Siltronic Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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375 gesamt| Patent | |||
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26.08.2026
Verfahren zum Chemisch-Mechanischen Polieren einer Substrathalbleiterscheibe
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Zusammenfassung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum chemisch-mechanischen-Polieren wenigstens einer Substrathalbleiterscheibe mittels einer Poliervorrichtung umfassend wenigstens einen Polierkopf, der wenigstens eine Druckkammer und einen Haltering am äußeren Rand umfasst, wobei wenigstens eine aktuell zu polierende Substrathalbleiterscheibe eine erste Scheibenseite und eine zweite Scheibenseite umfasst, wobei das Verfahren wenigstens eine Polierabfolge umfasst, welche folgende Schritte umfasst: (I): Kontaktieren der ersten Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe mit einem Poliertuch, welches auf einem Polierteller der Poliervorrichtung aufgebracht ist; (II): Bestimmen und Einstellen eines Polierdrucks an dem Polierkopf, wobei der Polierdruck durch eine Polierdruckverteilung beschrieben ist, wobei sich der Polierdruck aus wenigstens einem Polierkammerdruck einer zugeordneten Druckkammer zusammensetzt, wobei das Bestimmen des Polierdrucks, insbesondere das Bestimmen des wenigstens einen Polierkammerdrucks, durch Rückgriff auf eine Datenbank von Polierrezepten wenigstens in Abhängigkeit wenigstens einer zuvor ermittelten räumlichen Ist-Kontur für die erste Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe und einer vorgebbaren räumlichen Soll-Kontur der ersten Scheibenseite der Substrathableiterscheibe erfolgt; und (III): Ausüben des Polierdruckes, insbesondere des wenigstens einen Polierkammerdrucks, aus Schritt II) auf die zweite Scheibenseite über die zugeordnete wenigstens eine Druckkammer des wenigstens einen Polierkopfs und die Kontaktierung des Halterings auf das Poliertuch. |
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17.06.2026
Wafer mit einer Mehrschichtigen Struktur und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Mehrschichtigen Struktur
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Zusammenfassung
A wafer comprising a multilayered structure, wherein the multilayered structure comprises in this ordera silicon substrate;a buffer structure; andone or more monocrystalline device layers having a total thickness of not less than 80 nm and not more than 1000 nm and comprising at least one GaN layer;the buffer structure comprising in this orderat least one AIN nucleation layer;an Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer;at least one superlattice structure comprising 20 to 120 periods, each period consisting of a layer of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and a layer of Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N; anda monocrystalline GaN buffer layer having a carbon concentration of not less than 1 × 10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup> and a thickness of not less than 0.5 µm and not more than 4 µm;wherein 0.3≤z≤0.7; 0.6≤x≤1.0; and 0≤y≤0.4; andcharacterized in thatat least one of the at least one superlattice structure comprises carbon in a concentration of not less than 1 × 10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup>, andthe buffer structure comprises islands having a layered structure and consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N, the islands being located in-between the Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer and the at least one superlattice structure consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N. |
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05.02.2026
Verfahren zur Bestimmung der Form einer Scheibe aus Halbleitermaterial und Verfahren zur Herstellung von Scheiben aus Halbleitermaterial
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.07.2025
Anhängig
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24.12.2025
Verfahren zum Kristallziehen eines Dotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 18.07.2023
Erteilt am 24.12.2025
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20.11.2025
Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.05.2025
Anhängig
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19.11.2025
Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.11.2025
Verfahren zur Bestimmung von Kristalldefekten in einem Werkstück aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 11.04.2025
Anhängig
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12.11.2025
Verfahren zur Bestimmung von Kristalldefekten in einem Werkstück aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.09.2025
Verfahren zum Herstellen eines Hochdotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 18.03.2024
Anhängig
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10.09.2025
Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.06.2018
Anhängig
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14.08.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Scheibenförmigen Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.01.2025
Anhängig
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13.08.2025
Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.02.2023
Erteilt am 13.08.2025
Zusammenfassung
Verfahren zum Reinigen einer Vorderseite und einer Rückseite einer Halbleiterscheibe umfassend in gegebener Reihenfolge: die Reinigung der Vorderseite der Halbleiterscheibe enthaltend in gegebener Reihenfolge: (1) Vorreinigungsschritt mit Wasser, so dass die Vorderseite noch nass ist, während der nächste Reinigungsschritt beginnt, (2) ein erster Reinigungsschritt zum Reinigen mit ozonisiertem Wasser und anschließendem Spülschritt mit gereinigtem Wasser, (3) ein zweiter Reinigungsschritt, der einen Behandlungsschritt mit ozonisiertem Wasser enthält, der gefolgt wird von einem Behandlungsschritt mit einer HF enthaltenden Flüssigkeit, (4) ein dritter Reinigungsschritt zum Reinigen mit ozonisiertem Wasser und an-schließendem Spülschritt mit gereinigtem Wasser, die gemeinsame Reinigung der Vorderseite und der Rückseite der Halbleiterscheibe enthaltend: einen vierten Reinigungsschritt, der einen Behandlungsschritt mit ozonisiertem Wasser enthält, der gefolgt wird von einem Behandlungsschritt mit einer HF enthaltenden Flüssigkeit, und einen Trocknungsschritt, bei dem beide Seiten der Halbleiterscheibe getrocknet werden. |
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13.08.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Scheibenförmigen Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.07.2025
Verfahren zum Epitaktischen Beschichten von Halbleiterscheiben
Metallurgie & Oberflächentechnik
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16.07.2025
Verfahren zur Identifizierung der Ursache von Verunreinigungen von Scheiben aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.06.2025
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe unter Vermindertem Autodoping
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 05.12.2024
Anhängig
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26.06.2025
Trocknungsvorrichtung für eine Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.12.2024
Anhängig
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25.06.2025
Trocknungsvorrichtung für eine Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Die Erfindung betrifft eine Trocknungsvorrichtung, welche dazu ausgebildet ist, wenigstens eine darin an einer Trägereinheit (10) temporär angeordnete, benetzte Halbleiterscheibe (200) während wenigstens eines Trocknungsprozesses zu trocknen, wobei die Trocknungsvorrichtung (100) eine Trocknungshaubeneinheit (110) umfasst. Die Trocknungshaubeneinheit (110) umfasst wenigstens ein transparentes Scheibenelement (111, 112, 113), welches dazu ausgebildet ist und derart an der Trocknungshaubeneinheit (110) angeordnet ist, dass es in einem geschlossenen Zustand der Trocknungshaubeneinheit (110) von außerhalb der Trocknungsvorrichtung (100) über das wenigstens eine transparente Scheibenelement (111, 112, 113), über den gesamten wenigstens einen Trocknungsprozess betrachtet, eine im Wesentlichen uneingeschränkte optische Einsicht im Wesentlichen auf die gesamte Oberfläche der angeordneten Halbleiterscheibe (200), insbesondere für wenigstens einen Bediener, bereitstellt. |
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25.06.2025
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe unter Vermindertem Autodoping
Metallurgie & Oberflächentechnik
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19.06.2025
Float-Zone-Vorrichtung mit Verstellbarem Kondensator
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 27.11.2024
Anhängig
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19.06.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Scheibenförmigen Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.11.2024
Anhängig
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18.06.2025
Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus einer Gasphase, umfassend das Messen einer Randgeometrie der Substratscheibe, die einem Rand der Substratscheibe in Abhängigkeit von Randpositionen einen Dickenkennwert zuweist; das Ablegen der Substratscheibe in eine Tasche eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden der epitaktischen Schicht, wobei die Tasche von einer Begrenzung mit kreisförmigem Umfang umgeben ist; das Erhitzen der Substratscheibe; und das Leiten von Prozessgas über die Substratscheibe; gekennzeichnet durch das Ablegen der Substratscheibe in die Tasche derart, dass ein Abstand, den die Substratscheibe zur Begrenzung der Tasche hat, an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dickeren Rands kleiner ist, als an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dünneren Rands. |
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18.06.2025
Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 07.09.2021
Erteilt am 18.06.2025
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18.06.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Scheibenförmigen Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.12.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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18.06.2025
Vorrichtung zur Reduzierung von Pendelauslenkungen Während eines Kristallziehprozesses
Metallurgie & Oberflächentechnik
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18.06.2025
Float-Zone-Vorrichtung mit Verstellbarem Kondensator
Metallurgie & Oberflächentechnik
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05.06.2025
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Kristallstabs unter Verminderter Pendelauslenkung Während des Ziehprozesses
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 30.10.2024
Anhängig
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04.06.2025
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Kristallstabs unter Verminderter Pendelauslenkung Während des Ziehprozesses
Metallurgie & Oberflächentechnik
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21.05.2025
Verfahren zum Ausbau eines Stabes aus einer Kristallziehanlage
Metallurgie & Oberflächentechnik
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07.05.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.12.2019
Erteilt am 07.05.2025
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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01.05.2025
Parametrisierung der Rundung einer Scheibe aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.10.2024
Anhängig
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30.04.2025
Verfahren zum Gleichzeitigen Schneiden mehrerer Scheiben von einem Werkstück
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 19.05.2022
Erteilt am 30.04.2025
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23.04.2025
Verfahren zum Gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Zusammenfassung
Verfahren zum gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben (34) von einem Werkstück (1) mittels einer Drahtsäge, umfassend einen Trennschleifvorgang, wobei ein Werkstück (1) senkrecht zu einer Längsachse (26) des Werkstücks gegen ein zwischen zwei Drahtführungsrollen (5, 6) gespanntes Drahtgatter (24) eines Sägedrahts (4), der in Längsrichtung des Sägedrahts bewegt wird, zugestellt wird, wobei ein Kühlschmiermittel dem Drahtgatter (24) zugeführt wird, und wobei zwischen Drahtabschnitten des Drahtgatters (24) Scheiben (34) entstehen, die an einer Leiste (2) befestigt sind und zwischen denen Trennspalte (22) bestehen, und das Herausziehen der Leiste (2) und der Scheiben (34) aus dem Drahtgatter (24), wobei während des Herausziehens der Leiste (2) und der Scheiben (34) das Besprühen der Trennspalte (22) mit einer Flüssigkeit (21) mittels einer Sprühvorrichtung, bis die Drahtabschnitte die Trennspalte (22) verlassen haben, wobei die Flüssigkeit (21) unter hohem Druck durch Düsen (14) zugeführt wird, die an Düsenleisten (16, 17) befestigt sind, die parallel zur Längsachse (26) des Werkstücks (1) oszillierend bewegt werden, wobei die Flüssigkeit (21) und mitgerissene Luft (35) die Scheiben (34) zeitweilig zum Schwingen anregen. |
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23.04.2025
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, der mit Dotierstoff vom N-Typ Dotiert Ist, Gemäss der Cz-Methode
Metallurgie & Oberflächentechnik
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17.04.2025
Semiconductor wafer having a multilayered structure and method for producing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.03.2024
Anhängig
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16.04.2025
Halbleiterscheibe mit einer Mehrschichtstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.10.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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20.03.2025
Verfahren zum Ziehen eines Einkristallstabs
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 01.08.2024
Anhängig
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19.03.2025
Verfahren zum Ziehen eines Einkristallstabs
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 13.09.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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23.01.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 05.07.2024
Anhängig
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23.01.2025
Verfahren zum Kristallziehen eines Dotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 08.07.2024
Anhängig
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Wer vertritt Siltronic?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Siltronic vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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