STMicroelectronics Italy Patente
🇮🇹 Italien
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.334 gesamt| Patent | |||
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22.03.2023
Abtastlaserprojektorsystem mit Photodioden Innerhalb des Abtastbereichs, Aber Ausserhalb des Projektionsbereichs zur Rückkopplung
EP4152744
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Angemeldet am 13.09.2022
Anhängig
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08.03.2023
Spannungsgesteuerter Oszillator mit Serienresonanzkreis
EP4145706
Elektronik & Schaltungstechnik
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01.03.2023
Verfahren und Systeme zum Testen von Elektronischen Schaltungen
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Angemeldet am 22.07.2022
Anhängig
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01.03.2023
Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Komponente mit Verbesserter Räumlicher Belegung und Integrierte Komponente
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Angemeldet am 22.01.2020
Erteilt am 01.03.2023
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22.02.2023
Transistor mit Hoher Elektronenbeweglichkeit und Herstellungsverfahren dafür
EP4092756
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.02.2023
Temperaturkompensierungsschaltung, Entsprechende Vorrichtung und Verfahren
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Angemeldet am 21.09.2018
Erteilt am 22.02.2023
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15.02.2023
Verfahren zur Programmierung einer Differentiellen Phasenänderungsspeicheranordnung, Phasenänderungsspeicheranordnung und Elektronisches System
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Angemeldet am 16.10.2020
Erteilt am 15.02.2023
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08.02.2023
Spracherkennungssystem und -Verfahren unter Verwendung von Beschleunigungsmessern zur Erfassung der Knochenleitung
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08.02.2023
Dreistufiger Bewegungsdetektor unter Verwendung einer Beschleunigungsmesservorrichtung in Schlüsselanhängeranwendung
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Status
Angemeldet am 06.03.2020
Erteilt am 08.02.2023
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01.02.2023
Verfahren zum Montieren von Halbleiterbauelementen und Entsprechendes Halbleiterbauelement
EP4125122
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 28.07.2022
Anhängig
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01.02.2023
Verfahren und Vorrichtungen zum Adaptiven Ausgabeabtasten für Stromwandler
EP4125198
Elektrische Energietechnik
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01.02.2023
Verfahren zum Produzieren von Substraten für Halbleiterbauelemente, Entsprechendes Substrat und Halbleiterbauelement
EP4125125
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.07.2022
Anhängig
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01.02.2023
Verfahren zur Herstellung von Substraten für Halbleiterbauelemente, Entsprechendes Substrat und Halbleiterbauelement
EP4125124
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.07.2022
Anhängig
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25.01.2023
Galvanisch Isolierte Gleichspannungswandlerschaltung mit Datenkommunikation, Entsprechendes System und Entsprechendes Verfahren
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Angemeldet am 31.12.2018
Erteilt am 25.01.2023
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18.01.2023
Elektronisches System zur Ansteuerung von Lichtquellen und Verfahren zur Ansteuerung von Lichtquellen
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Angemeldet am 11.03.2022
Anhängig
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18.01.2023
Bandabstandsreferenzschaltung, Entsprechende Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 16.11.2020
Erteilt am 18.01.2023
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11.01.2023
Verfahren zum Durchführen von Kriptorischen Vorgängen in einer Verarbeitungsvorrichtung, Entsprechende Verarbeitungsvorrichtung und Computerprogrammprodukt
EP4117221
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 20.06.2022
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Method for performing cryptographic operations in a processing device, said cryptographic operations comprising a Leakage Resilient derivation function which derives at least a key (DK) from a master key (MK), said method comprising performing said operation of deriving said at least a key (DK) from a master key (MK) by invoking a plurality of instances of an encryption cipher (11), providing a unique initialization vector (NC), in particular a random number, comprising a plurality of initialization vector bits, in particular 128, invoking a first instance of said cipher (11) providing to said first instance of said cipher (11) a master key (MK) as encryption key and a first set of bits (NCS<0>) in said plurality of initialization vector bits as plaintext input which is encoded by said cipher with said master key (MK) obtaining an intermediate key, performing an iterative procedure comprising at each iteration invoking a further instance of said cipher (11), providing an intermediate key (IK<i-1>) at the encrypted output of an instance of the cipher (11), previous with respect to said further instance, and a set (NCS<i>) of said plurality of initialization vector bits as plaintext input, which is subsequent the set (NCS<i-1>) used by the previous instance of the cipher, said subsequent set (NCS<i>) being encoded by said further instance of the cipher (11) with said previous intermediate key (IK<i-1>) to obtain a subsequent intermediate key (IK<i>), said iteration being performed on all the sets (NCSi) of the plaintext, wherein said providing set (NCS<i>) of said plurality of initialization vector bits as plaintext input includes providing introducing said initialization vector bits in bytes of an input state (S) of the cipher (11), introducing at most one initialization vector bit per byte, a number (nn) of bits introduced in said input state (S) varying from 2 to the number of bytes in the input state of the cipher (11). |
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04.01.2023
Mems-Neigungsmesser mit Reduziertem Schwingungsberichtigungsfehler
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Status
Angemeldet am 25.02.2021
Erteilt am 04.01.2023
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04.01.2023
Senderschaltung, Entsprechende Isolierte Treibervorrichtung, Elektronisches System und Verfahren zum Codieren eines Pulsbreitenmodulierten Signals in ein Differenzielles Gepulstes Signal
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Status
Angemeldet am 13.06.2022
Anhängig
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04.01.2023
Steuervorrichtung eines Schaltspannungsreglers und Schaltspannungsregler
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04.01.2023
Verfahren zum Entgegenwirken von Kontamination in Gassensoren, Zugehörige Schaltung, Vorrichtung und Computerprogrammprodukt
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Status
Angemeldet am 05.09.2019
Erteilt am 04.01.2023
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04.01.2023
Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, Entsprechendes Substrat und Halbleitervorrichtung
EP4113599
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.06.2022
Anhängig
Vertretung
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04.01.2023
Verfahren zur Herstellung einer Elektronischen Vorrichtung mit Vertikaler Leitung aus Siliziumkarbid und Elektronische Vorrichtung mit Vertikaler Leitung aus Siliziumkarbid
EP4113581
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.12.2022
Kompensationsschaltung für Delta-Sigma-Modulatoren, Entsprechende Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 15.01.2021
Erteilt am 28.12.2022
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28.12.2022
Frequenzvervielfacherschaltung, Entsprechendes System und Fahrzeug
EP4109747
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 10.06.2022
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A circuit (12), comprising: frequency multiplier circuitry (120) having input nodes (INp, IN<sub>N</sub>) configured to receive an input signal (V<sub>f0</sub>) and an anti-phase version thereof, the input signal (V<sub>f0</sub>) having a first frequency value, the frequency multiplier circuitry (120) configured to produce a current signal (i<sub>2f0</sub>) at a second frequency value that is an even multiple of the first frequency value; a transformer (122) comprising a primary side (Lp, Cp) and a secondary side (Ls, Cs), wherein the primary side (Lp, Cp) of the transformer (122) comprises a primary inductance (Lp) coupled (126) to the frequency multiplier circuitry (120) to receive the current signal (i<sub>2f0</sub>) therefrom, wherein the secondary side (Ls, Cs) of the transformer (122) is configured to provide a frequency multiplied voltage signal (V<sub>OUT</sub>); wherein the frequency multiplier circuitry (120) and the transformer (122) are cascaded between at least one first node (D) and a second node (S), the at least one first node (D) and the second node (S) configured to be coupled to a supply node (VDD) and ground (GND); a first shunt resonator (124a) coupled between the supply node (VDD) and the at least one first node (D); a second shunt resonator (124b) coupled between the second node (S) and ground (GND), and a bypass current path (126) coupled between the at least one first node (D) and the second node (S). |
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28.12.2022
System auf einem Chip mit einer Verbindungsschnittstelle zwischen Master-Vorrichtungen und Slave-Vorrichtungen
EP4109286
Software & Datenverarbeitung
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28.12.2022
Mosfet-Bauelement aus Siliciumkarbid mit Integrierter Diode und Herstellungsverfahren dafür
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Status
Angemeldet am 05.07.2018
Erteilt am 28.12.2022
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21.12.2022
Mikrocontroller und Entsprechendes Betriebsverfahren
EP4105785
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 30.05.2022
Anhängig
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21.12.2022
Mikroelektromechanischer Piezoresistiver Drucksensor mit Selbsttestfähigkeit und Entsprechendes Herstellungsverfahren
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Status
Angemeldet am 16.01.2019
Erteilt am 21.12.2022
Vertretung
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21.12.2022
Ringoszillatorschaltung
EP4106191
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 01.06.2022
Anhängig
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21.12.2022
Doppelkanalige Hemt-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
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Status
Angemeldet am 30.05.2016
Erteilt am 21.12.2022
Vertretung
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14.12.2022
Stromversorgungsschaltung, Entsprechende Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 19.05.2022
Anhängig
Vertretung
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14.12.2022
Phasenwechselspeicher mit Versorgungsspannungsregelkreis
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Status
Angemeldet am 26.06.2020
Erteilt am 14.12.2022
Vertretung
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14.12.2022
Inertialmesssystem mit Intelligenter Leistungsmodusverwaltung und Entsprechendes Intelligentes Leistungsmodusverwaltungsverfahren
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Status
Angemeldet am 30.07.2020
Erteilt am 14.12.2022
Vertretung
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07.12.2022
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Entsprechendes Halbleiterbauelement
EP4099368
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.05.2022
Anhängig
Vertretung
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30.11.2022
Treiberschaltung für einen Resonanzkonverter, Zugehörige Integrierte Schaltung, Elektronischer Wandler und Verfahren
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Status
Angemeldet am 31.08.2020
Erteilt am 30.11.2022
Vertretung
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30.11.2022
Speicherarchitektur mit Reaktionsmanager für Fehlerkorrekturschaltung
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Zusammenfassung
A memory (58) includes error correction circuitry that receives a data packet (51), outputs a correctable error flag (55) indicating presence or absence of a correctable error in the data packet, and outputs an uncorrectable error flag (57) indicating presence or absence of an uncorrectable error in the data packet. A response manager (60), operating in availability mode, generates output indicating that a correctable error was present if the correctable error flag indicates presence thereof, and generates an output indicating that an uncorrectable error was present if the uncorrectable error flag indicates presence thereof. In a coverage mode, the response manager generates an output indicating that a correctable error was potentially present but should be treated as an uncorrectable error if the correctable error flag indicates presence of the correctable error, and generates an output indicating that an uncorrectable error was present if the uncorrectable error flag indicates presence thereof. |
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30.11.2022
Schaltung zur Übertragung eines Signals zwischen Verschiedenen Spannungsdomänen und Entsprechendes Verfahren zur Übertragung eines Signals
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Status
Angemeldet am 21.04.2021
Erteilt am 30.11.2022
Vertretung
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30.11.2022
Verbesserte Vakuumintegrierte Elektronische Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
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Angemeldet am 19.10.2016
Erteilt am 30.11.2022
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30.11.2022
Verfahren zur Herstellung einer Umverteilungsschicht, Umverteilungsschicht, Integrierte Schaltung
EP4095892
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt STMicroelectronics Italy?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics Italy vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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