Toshiba Electronic Devices & Storage Patente
🇯🇵 Japan
Toshiba Electronic Devices & Storage ist eine Tochtergesellschaft des japanischen Toshiba-Konzerns für Halbleiterbauelemente und Speicherprodukte. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Software und Telekommunikation. Die Anmeldungen betreffen überwiegend Halbleiterbauelemente und zugehörige Steuerschaltungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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254 gesamt| Patent | |||
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04.03.2020
Bildverarbeitungsvorrichtung, Fahrassistenzsystem, Bildverarbeitungsverfahren und Programm
Software & Datenverarbeitung
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26.02.2020
Led mit Erhöhter Injektionseffizienz
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.10.2010
Erteilt am 26.02.2020
Vertretung
Siegert, Georg · München
Hoffmann Eitle · München
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01.01.2020
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.10.2019
Informationsverarbeitungsvorrichtung, Informationsverarbeitungsverfahren und Computerlesbares Medium zum Generieren einer Hinderniskarte
Steuerungs- & Regelungstechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.10.2019
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2019
Lichtemittierende Vorrichtung
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.02.2014
Erteilt am 02.10.2019
Vertretung
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25.09.2019
Bildverarbeitungsvorrichtung, Antriebsunterstützende Vorrichtung und Bildverarbeitungsverfahren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.09.2019
Erkennungsvorrichtung, Fahrzeugsystem und Speichermedium
Software & Datenverarbeitung
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25.09.2019
Bildsignalverarbeitungsvorrichtung, Bildverarbeitungsschaltung und Bildverarbeitungsverfahren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.09.2019
Bildgebungssteuerungsvorrichtung, Bildgebungsvorrichtung und Bildgebungssteuerungsverfahren
Optik & Fototechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.09.2019
Fotodetektor, Lidar und Verfahren zur Herstellung des Fotodetektors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.09.2019
Bildverarbeitungsvorrichtung, Fahrassistenzsystem und Bildverarbeitungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
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18.09.2019
Optimierte Disparitätsberechnung
Software & Datenverarbeitung
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21.08.2019
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.07.2019
Halbleiterbauelement
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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03.07.2019
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.02.2014
Erteilt am 03.07.2019
Vertretung
Zusammenfassung
According to one embodiment, a semiconductor light emitting device (110, 110a, 110b, 111, 112) includes a first metal layer (51), a second metal layer (52), a third metal layer (53), a semiconductor light emitting unit (15) and an insulating unit (80). The semiconductor light emitting unit (15) is separated from the first metal layer (51) in a first direction. The second metal layer (52) is provided between the first metal layer (51) and the semiconductor light emitting unit (15) to be electrically connected to the first metal layer (51), and is light-reflective. The second metal layer (52) includes a contact metal portion (52c), and a peripheral metal portion (52p). The third metal layer (53) is light-reflective. The third metal layer (53) includes an inner portion (53i), a middle portion (53m), and an outer portion (53o). The insulating unit (80) includes a first insulating portion (81), a second insulating portion (82), and a third insulating portion (83). According to the embodiment, a practical semiconductor light emitting device (110, 110a, 110b, 111, 112) having high luminous efficiency can be provided. |
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19.06.2019
Gestapelter Nitridhalbleiterkörper und eine diesen enthaltende lichtemittierende Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.06.2019
Gradientenschätzvorrichtung, Gradientenschätzverfahren, Computerlesbares Medium und Steuerungssystem
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
According to one arrangement, a gradient estimation device (20, 20-2) includes an acquisition unit (201), an extraction unit (203, 203-2), a calculation unit (204). The acquisition unit (20, 20-2) acquires a first image and a second image obtained by photographing a surface of an object. The extraction unit (203, 203-2) extracts, from the first image, a first pixel indicating a boundary of an object in a direction different from a gradient direction of the surface, and extract a second pixel corresponding to the first pixel from the second image. The calculation unit (204) calculates gradient magnitude of the surface by transforming at least one of the first image and the second image such that a matching degree between the first pixel and the second pixel is increased. |
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15.05.2019
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2019
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement und sein Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.04.2019
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2019
Arithmetische Verarbeitungsvorrichtung und Verfahren dafür
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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27.03.2019
Takterzeuger und Takterzeugungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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27.03.2019
Halbleiterbauelementherstellungsvorrichtung und Halbleiterbauelementherstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2019
Betriebsvorrichtung und Betriebssystem
Software & Datenverarbeitung
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20.03.2019
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.03.2019
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.03.2019
Datenübertragungsschaltung und Datenübertragungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
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20.03.2019
Signalerkennungsvorrichtung, Signalerkennungsverfahren und Fahrunterstützungssystem
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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20.03.2019
Entfernungsmessvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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13.03.2019
Bildverarbeitungsvorrichtung und Fehlerdiagnosesteuerungsverfahren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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20.02.2019
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.12.2018
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.12.2018
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.12.2018
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.10.2018
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.08.2018
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.02.2014
Erteilt am 22.08.2018
Vertretung
Zusammenfassung
According to one embodiment, a semiconductor light emitting device (110, 120) includes a metal layer (60), a stacked structural body (90), a first electrode (40), a pad electrode (44), a first conductive layer (41), a second conductive layer (42) and an insulating layer (80). The metal layer (60) includes a major surface (60mf) having a first region (60a), a second region (60b), a third region (60c) and a fourth region (60d). The stacked structural body (90) includes a first semiconductor layer (10), a second semiconductor layer (20) and a light emitting layer (30). The first semiconductor layer (10) includes a first portion (11) and a second portion (12). The second semiconductor layer (20) is provided between the first region (60a) and the first portion (11). The first electrode (40) is provided between the second region (60b) and the second portion (12). The pad electrode (44) is provided on the third region (60c). The first conductive layer (41) is provided between the second region (60b) and the first electrode (40) and between the third region (60c) and the pad electrode (44). |
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15.08.2018
Dünnfilm-Led mit P- und N-Kontakten, die Elektrisch von einem Substrat Isoliert Wurden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.05.2010
Erteilt am 15.08.2018
Vertretung
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01.08.2018
Bipolartransistor mit isoliertem Gate und Verfahren zu dessen Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.08.2018
Bildverarbeitungsvorrichtung und Bildverarbeitungsverfahren zur Radialen Verzerrungskorrektur
Software & Datenverarbeitung
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Wer vertritt Toshiba Electronic Devices & Storage?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Toshiba Electronic Devices & Storage vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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