Ego, Christophe
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Patente
20 gesamt| Patent | |||
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14.01.2026 · IMEC VZW
Hierarchische Kohlenstoffnano- und Mikrostrukturen
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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Status
Angemeldet am 03.05.2012
Erteilt am 14.01.2026
Vertretung
Ego, Christophe · Boortmeerbeek
Winger · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
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30.06.2021 · IMEC VZW
Tunnelfeldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.05.2013
Erteilt am 30.06.2021
Vertretung
Zusammenfassung
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08.07.2020 · IMEC VZW
Verfahren zur Übertragung einer Graphenschicht
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 17.09.2013
Erteilt am 08.07.2020
Vertretung
Ego, Christophe · Boortmeerbeek
Winger · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
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05.02.2020 · IMEC VZW
Verfahren zum Aktivieren einer porösen Schichtoberfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.12.2013
Erteilt am 05.02.2020
Vertretung
Ego, Christophe · Boortmeerbeek
Winger · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
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17.07.2019 · IMEC VZW
Passivierter stegförmiger III-V- oder Ge-Feldeffekttransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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10.07.2019 · IMEC VZW
Schichtabscheidung auf III-V-Halbleitern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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05.06.2019 · IMEC VZW
Graphenbasierter Feldeffekttransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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03.10.2018 · IMEC VZW
Sauerstoff-Monoschicht auf einem Halbleiter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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23.05.2018 · IMEC VZW
Schutz von porösen Substraten vor der Behandlung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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11.04.2018 · IMEC VZW
Feldeffekttransistor mit Halbleiterheterostruktur und Verfahren zu seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A heterostructure field effect transistor is disclosed comprising a semiconductor wire 2 comprising in its longitudinal direction L a source 1001 and a drain 1003 region, a channel region 1002 in between the source 1001 and drain 1003 region and in its transversal direction T for the source region 1001, a source core region 101 and a source shell region 201 disposed around the source core region 101, the source shell region having a thickness t<1>and in its transversal direction T for the drain region 1003, a drain core region 103 and a drain shell region 203 disposed around the drain core region 103, the drain shell region having a thickness t<3>and in its transversal direction T for the channel region 1002, a channel core region 102 and a channel shell region 202 disposed around the channel core region 102; the channel shell region having a thickness (t<2>); wherein the thickness t<2>of the channel shell region 202 is smaller than the thickness t<1>of the source shell region 201 and is smaller than the thickness t<3>of the drain shell region 203. |
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Vertretene Patentanmelder
Die Patentanmelder, die Ego, Christophe in den erfassten Patenten am häufigsten vertritt.
| Anmelder | Anzahl Patente |
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| 1. imec | 20 |
| 2. Katholieke Universiteit Leuven | 8 |
| 3. KU Leuven Research & Development | 1 |
| 4. Tokyo Electron | 1 |
Patente nach Jahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung: so viele Anmeldungen sind für das Jahr insgesamt zu erwarten.