CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) Patente
🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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6.004 gesamt| Patent | |||
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08.11.2023
Vorrichtung zur Elektromechanischen Umwandlung und System, das eine Solche Vorrichtung Verwendet
Software & Datenverarbeitung
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08.11.2023
Sonde für ein Rasterkraftmikroskop mit einem Optomechanischen Resonator und Rasterkraftmikroskop mit Solch einer Sonde
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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08.11.2023
Verfahren zur Herstellung einer Detektionsvorrichtung mit einer Einkapselungsstruktur mit einer Opaken Dünnschicht auf einer Peripheren Mineralischen Wand
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.12.2021
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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01.11.2023
Verfahren und System zur Automatisierten Betrugsrisikodetektion in einem Überwachten System
Software & Datenverarbeitung
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01.11.2023
Verfahren zur Herstellung eines Phasenwechselmaterials
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.11.2023
Verfahren zur Bildung von Abstandhaltern für einen Transistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
According to one aspect, a method for forming spacers on a gate pattern is provided comprising: - Deposition of a first dielectric layer comprising basal portions on the active layer and lateral portions on the flanks of the pattern, - Anisotropic modification of only the basal portions of this first layer, so as to obtain modified basal portions. - Deposition of a second dielectric layer on the first layer, also comprising basal and lateral portions, - Anisotropic etching of only the basal portions of this second layer, so as to eliminate these basal portions while retaining the lateral portions, - Removing the modified basal portions while retaining the unmodified first and second lateral portions, by selective etching of the modified dielectric material with respect to the unmodified dielectric material. - A preferred field of application concerns the production of FinFET or FDSOI transistors. |
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01.11.2023
Verfahren zur Herstellung eines Porösen Materials und Leitfähiger Füllstoffe mit Hilfe eines Überkritischen Fluids, Elektrode und Elektrochemische Vorrichtung, die Dieses Enthalten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2021
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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01.11.2023
Verfahren und System zur Verwaltung eines Speicherelements für Elektrische Energie
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.11.2023
Verfahren zur Herstellung eines Beschichteten Keramischen Teilchens auf Basis eines Llzo-Materials
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.11.2023
Verfahren zur Herstellung von Dünnen Schichten, insbesondere nach dem Sol-Gel-Verfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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Status
Angemeldet am 09.12.2021
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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01.11.2023
Ablagekopf für eine Filamentwickelanlage
Verpackungs- & Fördertechnik
Kunststoff- & Polymertechnik
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01.11.2023
Elektrisch Angetriebenes Transportsystem
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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01.11.2023
Vorrichtung zum Abwickeln eines Fadens von einer Spule
Verpackungs- & Fördertechnik
Kunststoff- & Polymertechnik
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01.11.2023
Schutz gegen Seitenkanalangriffe mit Quadratischer Maskierung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 07.04.2023
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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01.11.2023
Vorrichtung und Verfahren zur Messung des Blutdrucks und eines Spannungszustands
Medizintechnik & Gesundheit
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01.11.2023
Verfahren und Vorrichtung zur Erkennung von Datenanomalien
Landwirtschaft & Nahrungsmitteltechnik
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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01.11.2023
Ingaas/gaassb Übergitterstruktur auf einem Inp-Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.11.2023
Verfahren zur Herstellung von Vertikalen Bauteilen aus Iii-N-Materialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.11.2023
Verfahren zur Charakterisierung von Spermazellen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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01.11.2023
Thermoelektrischer Elektronen-Gas-Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.01.2021
Erteilt am 01.11.2023
Vertretung
Ipsilon · Bourg-la-Reine
Cabinet Nony · Paris
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01.11.2023
Verfahren zur Herstellung einer Iii-N-Materialschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.11.2023
Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung einer Neutronenquelle
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.11.2023
Verfahren zur Bestimmung der Anwesenheit von Bakterien in oder auf einer Agarkomponente
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.11.2023
Nachweisvorrichtung mit Verschiedenen Szintillierenden Schichten
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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25.10.2023
Vereinfachte Tandemstruktur für Solarzellen mit Zwei Anschlüssen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.12.2021
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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25.10.2023
Verfahren und System zur Behandlung von Tierischen Produkten
Pharma & Biotechnologie
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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25.10.2023
Verfahren zur Herstellung eines Porösen Teils durch Laserschmelzen auf einem Pulverbett
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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25.10.2023
Verfahren und System zur Schätzung der von einem Fotovoltaischen Modul Gelieferten Elektrischen Leistung
Elektrische Energietechnik
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25.10.2023
Verfahren zur Schätzung der Lebensdauer eines Energiespeichersystems
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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25.10.2023
Verfahren und System zur Schätzung der von einem Fotovoltaischen Modul Gelieferten Elektrischen Leistung
Elektrische Energietechnik
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25.10.2023
Kunststoffszintillatoren mit durch Purcell-Effekt Verstärkter Intrinsischer Emission
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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25.10.2023
Benutzung von Gewichten Niedriger Datendichte oder von Null Verschiedener Dichte in einem Rechner mit Gewichteter Summe
Software & Datenverarbeitung
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25.10.2023
Verfahren zur Herstellung eines Elektrischen Leiters, Wie eines Stromstabs, für eine Elektrochemische Hochtemperaturvorrichtung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 16.12.2021
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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25.10.2023
Verbinder für Stränge von Solarzellen zur Herstellung eines Fotovoltaischen Moduls
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.10.2023
Vorrichtung zur Modifizierung der Magnetisierungsrichtung einer Magnetschicht, Zugehöriges Verfahren und Spintronisches System
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.10.2023
Verfahren zur Rekonstruktion eines Bildes auf der Basis von Komprimierter Erfassung von Messungen
Software & Datenverarbeitung
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25.10.2023
Resistiver Temperatursensor mit Erhöhter Genauigkeit
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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25.10.2023
Verfahren zur Herstellung einer Quantenvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif quantique comprenant les étapes suivantes :- Fournir (100) un substrat (1) présentant une face avant (101) et portant au moins un motif de transistor (2) sur sa face avant (101),Ledit motif de transistor (2) comprenant, en empilement :• un diélectrique de grille (21) sur la face avant (101) du substrat (1),• une grille (22a) sur le diélectrique de grille (21), ladite grille (22a) présentant un sommet et des flancs (221),- Former (110) une couche de protection (111, 112) au niveau de la face avant (101) du substrat (1), ladite couche de protection (111, 112) étant configurée pour empêcher une diffusion d'au moins une espèce métallique dans le substrat (1),- Former (120) une couche métallique (50) à base d'au moins une espèce métallique au moins sur les flancs (221) de la grille (22a), ladite au moins une espèce métallique comprenant au moins un élément supraconducteur,- Former (130) une région (22b) supraconductrice dans la grille (22a), par diffusion latérale de l'au moins un élément supraconducteur à partir des flancs (221) de ladite grille (22a). |
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25.10.2023
Roboter mit Co-Handhabung mit Mischkraftsteuerungsgesetz mit Hoher Effektorempfindlichkeit und Aktivierung der Interaktion mit dem Körper des Roboters
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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25.10.2023
Absorptionsmaschine
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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Zusammenfassung
L'invention concerne une machine (1000) à absorption comprenant un mélange en circulation (100), la machine (1000) présentant une première configuration dans laquelle la machine (1000) produit du froid et une deuxième configuration dans laquelle la machine (1000) produit de la chaleur, ledit mélange en circulation (100) présentant en fonction de sa position dans ladite machine une solution dite pauvre (110), une solution dite condensée (120), une solution dite riche (130), et une solution dite réfrigérante (140), ladite machine (1000) comprenant au moins : • Un absorbeur (1100) ; • Un premier dispositif d'échange thermique (1200) ; • Un générateur de chaleur (1600) ;, • Un condenseur (1700) ; • Un évaporateur (1900) ; • Une première bouteille de séparation (1410) ; • Une deuxième bouteille de séparation (1420) ; • Une troisième bouteille de séparation (1430). |
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Wer vertritt CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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