CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) Patente

La présente invention concerne procédé de fabrication d'une pièce massive comportant un matériau à changement de phase solide-solide, le procédé comportant les étapes suivantes :- S1 : porter une composition initiale comprenant un matériau à changement de phase solide-solide à une température T1, le matériau comportant un composé hydride organique/inorganique à changement de phase solide-solide présentant un état ramolli dans une plage de température de ramollissement, la température T1 étant comprise dans la plage de température de ramollissement du composé, pour obtenir une composition ramollie qui présente une forme initiale ;- S2 : mettre en forme la composition ramollie dans une forme finale différente de la forme initiale ; et- S3 : refroidir la composition dans sa forme finale pour obtenir la pièce massive.

L'invention concerne un procédé de contrôle d'un système de mesure, ledit système de mesure comportant au moins deux capteurs électrochimiques (S1, S2) de même type en redondance, mis en contact avec un même milieu à analyser, le premier capteur électrochimique (S1) comportant une première électrode de référence (RE1) et une première électrode de travail (WE1), et le deuxième capteur électrochimique (S2) comportant une deuxième électrode de référence (RE2) et une deuxième électrode de travail (WE2), chaque capteur électrochimique étant apte à mesurer des valeurs d'une grandeur électrique en vue de déterminer des valeurs d'un même paramètre chimique à partir d'une courbe de calibration, ledit procédé consistant à exécuter une phase de remédiation (PH_3) lorsque l'une des électrodes de référence ou de travail des deux capteurs électrochimiques est défaillante.

Un procédé de mise en sécurité de N équipements (23) dotés d'un système de stockage électrochimique connecté à un système de conversion électrique bidirectionnel (22) pour la charge/décharge, comprend, suite à une augmentation de température : évaluation d'un niveau de dangerosité par équipement (23) ; calcul de puissances optimales de décharge respectives pour des systèmes de stockage électrochimique de certains au moins des équipements (23), en fonction au moins des niveaux de dangerosité respectifs évalués pour ces équipements ; commandes aux systèmes de conversion électrique bidirectionnels (22), pour décharger les systèmes de stockage électrochimique des équipements en fonction des puissances optimales de décharge calculées.

An electrical device comprising,- a substrate region (100),- a first electrode formed in a first doped diamond layer (101), on the substrate region (100),- a dielectric layer (102, 105, 106, 108, 110, 104, 107) on the first doped diamond layer (101) comprising two adjacent regions, a first region called intermediate layer (102, 105, 106, 108, 110) formed in a dielectric diamond material layer and a second region (104, 107) formed in a dielectric material,- a second electrode formed in a conductor material layer (103, 113, 123, 133), located on the dielectric layer,wherein- said first region in the dielectric diamond material having a first constant thickness- the second region comprises a dielectric material and has an increasing thickness from said first constant thickness on the intermediate layer (102, 105, 106, 108, 110) side to a second thickness on its other side opposite to the intermediate layer, said increase of thickness having a curved shape,- the second electrode (103, 113, 123, 133) comprises a first region (103a) having a first constant thickness above the intermediate layer (102, 105, 106, 108, 110) and a termination region (103b, 113b) extending the first region in a curved shape above the dielectric material.

The present invention relates to the field of anticancer treatment and concerns new populations of T cells, as blood markers to predict toxicity or effectiveness of immune checkpoint blockade (ICB)-based therapy in patients with cancer.

The present description concerns a circuit configured to perform a multiplication between first and second values each comprising up to a number N of chunks of n bits, comprising: - a number NMUL of multiplier sub-circuits configured to generate partial products corresponding to a multiplication between one chunk of the first value and one chunk of the second value; - an adder part configured to generate an intermediate sum, corresponding to the addition of partial products of same significance, and excess bit values; - an input crossbar circuit configured to select at least one chunk of the first value and at least one chunk of the second value and to provide them to one of the multiplier sub-circuits; - a control unit configured to indicate which chunks to supply to which multiplier sub-circuit; and - a parallel adder configured to generate a value corresponding to the product.

Un détecteur optoélectronique (40") comprend un dispositif (42") de routage optique, au niveau pixel, en polarisation ou en longueur d'onde de la lumière incidente (10), qui est formé au-dessus d'une matrice de photodétecteurs (41"). Un agencement (30x') des routeurs optiques élémentaires permet de réduire les inconvénients du couplage optique réciproque entre pixels adjacents tout en bénéficiant de la meilleure sensibilité du détecteur optoélectronique offerte par le routage optique par rapport au filtrage optique. A cette fin, les motifs de routage de deux routeurs élémentaires adjacents suivant la direction (X) de routage de la lumière, sont disposés en miroir l'un de l'autre suivant cette direction. Ainsi, un pixel associé à l'un des routeurs élémentaires et un pixel associé à l'autre des routeurs élémentaires, qui sont dédiés à la détection du même état de polarisation ou de la une même longueur d'onde, sont contigus suivant la direction de routage de la lumière.

L'invention concerne un dispositif de dépôt physique par sublimation à faible distance, comprenant : - une enceinte (3) sous vide comprenant un corps (30) et un couvercle (40) monté hermétiquement sur le corps, - au moins deux stations de dépôt (1, 2) comprenant chacune : • un compartiment (10, 20) agencé dans le corps de l'enceinte (3) et comprenant un creuset (11, 21) adapté pour être rempli d'un matériau cible (12, 22), et • un élément chauffant (13, 23) adapté pour chauffer le creuset (11, 21) à une température de sublimation du matériau cible, chaque compartiment (10) étant découplé thermiquement d'un autre compartiment (20), - un carrousel (4) adapté pour supporter au moins un substrat (S1, S2), le carrousel étant monté en rotation dans l'enceinte (3) pour positionner ledit substrat (S1, S2) de manière alternée en regard de chaque creuset (11, 21) pour permettre un dépôt d'une couche du matériau cible respectif sur le substrat, et - des moyens de contrôle de la température (5) dudit au moins un substrat pour refroidir chaque substrat à une température inférieure à la température de sublimation de chaque matériau cible.

Couverture de sécurité pour la surveillance de batteries électrochimiques, comportant : - une membrane souple (3), adaptée à entourer au moins partiellement au moins une batterie électrochimique (2) à surveiller en définissant une atmosphère confinée (8), cette membrane souple (3) présentant une face interne (5) destinée à être tournée vers la batterie électrochimique (2), et une face externe (6) destinée à être tournée vers l'extérieur ; - au moins un capteur de température (4) disposé sur la face interne de la membrane souple (3) ; - un module de contrôle (9) raccordé au capteur de température (4) et adapté à détecter un évènement d'augmentation de température de l'atmosphère confinée (8) à une vitesse supérieure à un seuil prédéterminé ; - une interface d'alerte (10) adaptée à émettre un signal représentatif d'une alerte lorsque le module de contrôle (9) détecte ledit évènement.

Couverture de sécurité pour la surveillance de batteries électrochimiques, comportant : - une membrane souple (3), adaptée à entourer au moins partiellement au moins une batterie électrochimique (2) à surveiller en définissant une atmosphère confinée (8), cette membrane souple (3) présentant une face interne (5) destinée à être tournée vers la batterie électrochimique (2), et une face externe (6) destinée à être tournée vers l'extérieur ; - au moins un capteur d'oxyde de carbone (7) disposé sur la face interne (5) de la membrane souple (3) ; - un module de contrôle (9) raccordé au capteur d'oxyde de carbone (7) et adapté à détecter un évènement d'augmentation du taux d'un gaz oxyde de carbone dans l'atmosphère confinée (8) à une vitesse supérieure à un seuil prédéterminé ; - une interface d'alerte (10) adaptée à émettre un signal représentatif d'une alerte lorsque le module de contrôle (9) détecte ledit évènement.

L'invention concerne un procédé de traitement pour recyclage d'un module photovoltaïque (M), ledit module photovoltaïque (M) comprenant ;- Une première couche (1) en face arrière du module photovoltaïque (M), cette première couche étant réalisée à base d'au moins un matériau polymère,- Une deuxième couche (2), dite couche intermédiaire, comprenant une enveloppe d'encapsulation (21) dans laquelle sont placées des cellules photovoltaïques (20),- Une troisième couche (3) formant un deuxième élément de protection en face avant du module photovoltaïque (M),- Le procédé comportant :- Une première étape d'usinage (E2) de la première couche du module photovoltaïque, configurée pour enlever la matière formant ledit premier élément de protection,- Une deuxième étape d'usinage (E3, E3') de ladite couche intermédiaire, configurée pour enlever la matière formant l'enveloppe d'encapsulation (21) et/ou la matière formant lesdites cellules photovoltaïques (20).

L'invention a pour objet un Générateur (D1) de bit probabiliste (p-bit) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un circuit de polarisation (POL) configuré pour injecter un courant de commande (Ic) à travers la jonction tunnel magnétique variable selon une première tension d'entrée (V<in1>) ; le circuit de polarisation (POL) comprenant : ∘ un transistor de contrôle (T<1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique entre deux nœuds d'alimentation et comprenant une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) formant une grille arrière (G2,<T1>) ; - des moyens de contrôle (CONT) configurés pour appliquer la première tension d'entrée (V<in1>) sur ladite grille arrière; - un circuit de détection (DET) configuré pour générer un signal de détection (s1) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique.

L'invention concerne un transistor (10) non-volatil comprenant une couche semi-conductrice ferroélectrique (11) comprenant un domaine ferroélectrique (12) présentant une polarisation électrique spontanée (13) pouvant prendre une pluralité d'états distincts, une source (14), une grille (15) et un drain (16). La source (14), la grille (15) et le drain (16) sont distants les uns des autres et agencés de sorte qu'un potentiel électrique appliqué entre la source (14) et la grille (15) applique un champ électrique sur le domaine ferroélectrique (12), le drain (16) étant en contact électrique avec la couche ferroélectrique (11), la source (14) formant, avec la couche ferroélectrique (11), une barrière Schottky (17) au niveau d'une interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) présentant une résistance électrique fonction de la polarisation électrique (13), le transistor étant tel que la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) est dégénérée au niveau de l'interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) et la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) présente une conductivité électrique indépendante de la polarisation spontanée (13).

Procédé d'apprentissage d'une interface neuronale directe, l'interface neuronale directe étant reliée à des capteurs (2₁...2_I1) préalablement disposés autour du cerveau d'un utilisateur, l'interface étant configurée pour commander un actionneur (6) en fonction de signaux électrophysiologiques détectés par chaque capteur, le procédé d'apprentissage comportant une formation d'un modèle prédictif (F), par régression entre un tenseur d'apprentissage, formé ) partir des signaux électrophysiologiques détectés et un tenseur de commande, représentatif de tâches mentales exécutées par l'utilisateur durant différentes époques temporelles, le modèle prédictif permettant d'estimer une tâche, imaginée par l'utilisateur en fonction des signaux électrophysiologiques détectés à chaque époque, le procédé étant tel que la formation du modèle direct est effectuée en fonction du poids respectivement assigné à chaque époque.

Procédé d'apprentissage d'une interface neuronale directe, l'interface neuronale directe étant reliée à des capteurs (2<1>...2<I1>) préalablement disposés autour du cerveau d'un utilisateur, l'interface étant configurée pour commander un actionneur (6) en fonction de signaux électrophysiologiques détectés par chaque capteur, en appliquant un modèle prédictif à un tenseur d'observation formé par les signaux détectés durant une époque temporelle. L'interface neuronale comporte un modèle de décodage d'un état de satisfaction permettant d'estimer une satisfaction de l'utilisateur à partir de signaux électrophysiologiques détectés à chaque époque temporelle. Le procédé est tel que le décodeur est formé en fonction d'un poids respectivement assigné à chaque époque temporelle.

Procédé d'apprentissage d'une interface neuronale directe, l'interface neuronale directe étant reliée à des capteurs (2<1>...2<I1>) préalablement disposés autour du cerveau d'un utilisateur, l'interface étant configurée pour commander un actionneur (6) en fonction de signaux électrophysiologiques détectés par chaque capteur, en différentes époques temporelle, en appliquant plusieurs modèles prédictifs à un tenseur d'observation formé par les signaux détectés durant une époque temporelle. Chaque modèle prédictif est associé à un groupe d'états, chaque groupe d'état comportant des états susceptibles d'être occupés par l'utilisateur. Pour chaque groupe d'états, le modèle prédictif permet d'estimer un état de l'utilisateur en mettant en œuvre un modèle de Markov à états cachés. A chaque époque temporelle est assigné un poids. Chaque modèle prédictif est mis en œuvre ne prenant en compte le poids assigné à chaque époque, et cela dans chaque groupe d'états.

The invention has for object a memory cell (100) comprising a spin-orbit ferroelectric memory (110) comprising a first, second and third terminals (121, 122, 123), the memory (110) having a spontaneous electrical polarisation able to adopt two distinct states, the first, second, and third terminals (121, 122, 123) being connected to the memory in a way that a first charge current flows (11) in the second terminal (122) when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123), the amplitude and sign of the charge current being function of the voltage applied between the first and third terminals (121, 123) and function of the spontaneous electrical polarisation. The cell (100) comprises an isolation component (130) connected to the second terminal (122) and configured to prevent charge currents from flowing in the second terminal (122) towards the memory (110) when no voltage is applied between the first and third terminals (121, 123) and to allow charge currents to flow in the second terminal and from the memory when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123).

L'invention concerne une mémoire (100) comprenant : - une électrode conductrice principale (120) formant une cathode ; - une électrode conductrice secondaire (130) formant une anode ; et - une couche ferroélectrique semiconductrice (110) formant une couche active, disposée entre la cathode et l'anode (120, 130), la couche active (110) présentant une polarisation ferroélectrique (111) présentant une pluralité d'états stables, la cathode (120) formant un contact principal avec la couche active (110), la résistance du contact principal variant de façon strictement monotone en fonction de la polarisation ferroélectrique (111), le comportement du contact principal formant, en fonction de la polarisation ferroélectrique (111) : - un contact ohmique pour un premier état stable de la pluralité d'états stables ; et - un contact Schottky pour au moins un deuxième état stable de la pluralité d'états stables, la couche active (110) étant dégénérée et présentant une bande d'énergie interdite inférieure à 1,5 eV.

La présente description concerne une méthode (300) de détermination, par un dispositif de calcul, d'une composition de sel combustible d'un réacteur nucléaire à sel fondu, la méthode comprenant :- la détermination de flux de neutrons (ϕ(E)) de plusieurs énergies et d'un facteur de multiplication par une étape de résolution (302) d'une équation du transport des neutrons ;- la détermination, pour chacun des nucléides, de sections efficaces microscopiques condensées à partir des flux de neutrons (ϕ(E)) ;- la détermination (303) de poids des nucléides sur le facteur de multiplication à partir des sections efficaces microscopiques condensées ; et- la détermination (304), à partir des poids des nucléides, d'un inventaire d'alimentation de sel combustible incluant au moins un calcul d'évolution des nucléides, par une étape de résolution (306) d'équations d'évolution, de manière à ce que l'inventaire d'évolution respecte au moins une condition de fonctionnement.

La présente invention concerne un dispositif (16) de conversion d'énergie entre une source de tension continue (12) et une source de tension alternative (14), comprenant :- un premier onduleur (20) ayant une tension de fonctionnement égale à une tension basse (V_min) prédéterminée,- un second onduleur (22) connecté en série du premier onduleur (20) de sorte que la tension de fonctionnement de l'ensemble formé du premier onduleur (20) et du second onduleur (22) soit égale à une tension haute (V_max) prédéterminée, et- un hacheur (24) propre à être connecté à la source de tension continue (12) et connecté au premier onduleur (20) et au second onduleur (22) de sorte que la tension aux bornes du hacheur (24) soit égale à la différence entre la tension haute (V_max) et la tension basse (V_min).

Dispositif électronique quantique comprenant :- une zone active (20) pour accueillir des boites quantiques et,- affleurants sur une face du dispositif :a) une pluralité de lignes de grille (G11, G12, G13, G14), isolées électriquement les unes des autres et recouvrant chacune une partie de la zone active (20), etb) des ilots de facilitation de reprise de contact (14-17, I4a-I7a) à raison d'au moins un ilot pour une ligne de grille, les ilots de facilitation de reprise de contact étant éloignés les uns des autres d'une distance (D1, D2, D3), chaque ilot de facilitation de reprise de contact comprenant un flanc le long duquel une partie latérale (P4-P7) d'une ligne de grille s'étend,le dispositif comprenant de plusau moins un contact électrique (P4-P7) pour contacter au moins une ligne de grille donnée (G11, G12, G13, G14), l'au moins un contact électrique étant situé au moins sur la partie latérale de la ligne de grille donnée qui s'étend le long du flanc d'un ilot de facilitation de reprise de contact (14-17, I4a-I7a).

L'invention concerne un accumulateur électrochimique (A) métal-ion avec un dispositif d'interruption de courant ,(11) intégré dans l'accumulateur, qui comprend un réservoir (14) rempli d'au moins un matériau endothermique et isolant électrique. Le dispositif étant commandé en pression, et. possédant un haut pouvoir de coupure.

L'invention concerne un machine thermodynamique réversible pour la production d'électricité et de chaleur comprenant un premier circuit destiné à la production de chaleur mettant en connexion fluidique successivement un premier échangeur thermique (1) fonctionnant en tant que générateur, puis un premier réservoir de séparation de phases (6) connecté fluidiquement en parallèle à un compresseur réversible (3) fonctionnant en tant que compresseur et à une pompe à solution (4), un deuxième échangeur thermique (2) fonctionnant en tant qu'absorbeur, puis à un deuxième réservoir de séparation de phases (7) puis à une vanne de détente (5), puis au premier échangeur thermique (1), et un deuxième circuit à compression destiné à la production d'électricité mettant en connexion fluidique successivement le premier échangeur thermique (1) fonctionnant en tant qu'absorbeur, le premier réservoir de séparation de phases (6), puis la pompe la solution (4), puis le deuxième échangeur thermique (2) fonctionnant en tant que générateur, puis le deuxième réservoir de séparation de phases (7), puis en parallèle le compresseur réversible (3) fonctionnant en tant qu'organe de détente et la vanne de détente (5) connectés fluidiquement au premier échangeur thermique (1).

Procédé de détermination d'une fréquence de fonctionnement d'un système de transmission acoustique (STA) comprenant un élément primaire (EP) et un élément secondaire (ES) agencés de part et d'autre d'une paroi, l'élément primaire comprenant un premier transducteur électro-acoustique (T1) pour générer et détecter des ondes acoustiques (OA), l'élément secondaire (ES) comprenant un second transducteur électro-acoustique (T2) et étant configuré pour modifier de manière contrôlée une impédance électrique aux bornes dudit second transducteur entre une condition de circuit ouvert et une condition de court-circuit ; caractérisé en ce que ladite fréquence de fonctionnement est déterminée à partir de l'évolution en fonction de la fréquence de la différence de phase entre une impédance d'entrée, du côté de l'élément primaire (EP), d'un quadripôle électrique modélisant l'ensemble formé par le premier (T1) et le second (T2) transducteur couplés acoustiquement, avec le second transducteur (T2) en court-circuit et en circuit ouvert. Système pour la mise en œuvre d'un tel procédé.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un niveau d'interconnexion comprenant une ligne métallique (62) et un via métallique (61), comprenant : • une formation, sur un substrat (S), d'une première couche diélectrique (21), • une formation, sur la première couche diélectrique (21), d'une couche d'arrêt de gravure (30) structurée comprenant un premier motif de ligne (301) et une ouverture de via (30v), • une formation, sur la couche d'arrêt de gravure, d'une deuxième couche diélectrique (22), • une formation, sur la deuxième couche diélectrique (22), d'un deuxième masque (40) définissant un deuxième motif de ligne (401) à l'aplomb du premier motif de ligne (301), • une gravure des deuxième et première couches diélectriques (22, 21), configurée pour former respectivement des cavités supérieure et inférieure (50sup, 50inf), • un remplissage des cavités inférieure et supérieure (50inf, 50sup) pour former la ligne métallique (62) et le via métallique (61).

The present disclosure relates to a method of transmitting a semantic symbol from a transmitter (115) to a receiver (130) over a wireless communication channel (125), the method comprising:- relaying the semantic symbol from the transmitter (115) to the receiver (130) by a multiple-input multiple-output (MIMO) device comprising a plurality of input-output elements; and- controlling by the transmitter (115) a physical transformation of a physical layer of the MIMO device to compensate for an alteration of the semantic symbol between the transmitter (115) and the receiver (130).

La présente description concerne un dispositif (300) de mesure d'un champ magnétique (B) émis par un objet (100) comprenant un capteur matriciel (304) comprenant une matrice de capteurs magnétiques (302) configurés pour acquérir des mesures successives du champ magnétique, une charge commandable (314) destinée à être connectée électriquement à l'objet (100), et un module (216) configuré pour commander la charge commandable (314) pour faire varier le courant circulant dans l'objet (100) au cours des acquisitions des mesures successives du champ magnétique et pour recevoir les mesures successives du champ magnétique.

La présente description concerne un procédé de gravure par ALE d'un matériau III-V comprenant les étapes suivantes :a) placer dans une enceinte une structure comprenant une couche de matériau III-V (100),b)mettre en œuvre, dans l'enceinte, à une température de gravure, une ou plusieurs fois le cycle ALE suivant :- oxyder une surface de la couche de matériau III-V (100) avec un gaz oxydant, moyennant quoi une couche d'oxyde (110) est formée,- purger l'enceinte sous flux de gaz inerte,- exposer la couche d'oxyde (110) formée à une vapeur de chlorure de thionyle pour graver la couche d'oxyde (110),- purger l'enceinte sous flux de gaz inerte.

La présente description concerne un dispositif configuré pour générer une valeur approximative en ajoutant du bruit à une sortie d'un circuit arithmétique équilibré, comprenant : - le circuit arithmétique équilibré configuré pour générer une première valeur ; - un circuit d'approximation configuré pour générer un masque de k bits sur la base d'une première distribution ; et - un circuit logique configuré pour générer une deuxième valeur basée sur la première valeur, les k bits les moins significatifs de la deuxième valeur étant générés en appliquant le masque aux k bits les moins significatifs de la première valeur, les bits les plus significatifs des deuxièmes valeurs étant égaux aux bits les plus significatifs de la première valeur, la première distribution étant telle que la deuxième valeur correspond à la première valeur avec une valeur d'erreur ajoutée ayant une distribution gaussienne d'écart-type σ.

La présente description concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique, le procédé comprenant les étapes successives suivantes :a) former, sur un substrat de support (101), un empilement d'électropolissage (109) comprenant :- une première couche (117) semiconductrice sacrificielle ;- une deuxième couche (113) semiconductrice de transport de charges ; et- une troisième couche (115) semiconductrice de protection de la deuxième couche (113), la troisième couche (115) étant interposée entre les première (117) et deuxième (113) couches et présentant un niveau de dopage strictement inférieur à ceux des première (117) et deuxième (113) couches ;b) former, du côté d'une face de l'empilement d'électropolissage (109) opposée au substrat de support (101), au moins une quatrième couche (121, 123, 125) à base de nitrure de gallium ; etc) retirer le substrat de support (101) par électropolissage de la première couche (117).

La présente description concerne un procédé de gestion d'accès à l'utilisation d'un automate comprenant :- la fourniture d'une valeur d'identification, associée à un utilisateur, à un premier dispositif ;- la génération, par un circuit sécurisé du premier dispositif, d'une adresse de compte sur la base d'une clef maître associée au premier dispositif, de la valeur d'identification et d'une valeur de contexte ;- l'envoi d'une transaction vers l'adresse de compte dans une chaîne de bloc ;- la validation ou l'invalidation de la transaction, par la chaîne de blocs, sur la base du solde associé à l'adresse de compte dans la chaîne de blocs ; et- si la transaction est validée par la chaîne de blocs, l'autorisation, par le premier dispositif, d'accès à l'utilisation de l'automate pour l'utilisateur.

La présente description concerne un commutateur (200) à base d'un matériau à changement de phase, comprenant :- une région (107) en ledit matériau à changement de phase reliant des première (101A) et deuxième (101B) électrodes de conduction du commutateur ; et- un réseau de couplage (201) d'un signal laser d'activation du commutateur, situé en vis-à-vis d'une face de la région (107) en ledit matériau à changement de phase.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif FeMFET comprenant :- une fourniture d'un transistor (1) comprenant une grille (10), une source (12) et un drain (13) connectés à des vias (14, 15),- une formation d'une première couche métallique (21),- une formation d'une couche ferroélectrique (30a),- une structuration de la couche ferroélectrique (30a) pour former un motif fermé (31) surmontant la grille (10) et des motifs ouverts (32a) surmontant les vias (14, 15),- une formation d'une deuxième couche métallique (22),- une gravure de la deuxième couche métallique (22), configurée pour former des vias (221, 222) en s'arrêtant sur la couche ferroélectrique (30a) et,- une gravure de la première couche métallique (21) de part et d'autre du motif fermé (31) et des motifs ouverts (32a), configurée pour former des lignes (211, 212).

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un niveau d'interconnexion comprenant : • une formation, sur un substrat (S), d'une première couche métallique (21), • une formation, sur la première couche métallique (21), d'une couche d'arrêt de gravure (30), • une structuration de la couche d'arrêt de gravure (30), • une formation, sur la couche d'arrêt de gravure structurée comprenant une ouverture de via (30v), d'une deuxième couche métallique (22), • une formation, sur la deuxième couche métallique (22), d'un deuxième masque définissant un motif de via (40v) à l'aplomb de l'ouverture de via (30v), • une gravure de la deuxième couche métallique (22), configurée pour former un via (61) sous le deuxième masque, puis • une gravure de la première couche métallique (21), configurée pour former une ligne (62) sous la couche d'arrêt de gravure structurée, la ligne (62) étant connectée au via (61) au travers de l'ouverture de via (30v).

L'invention concerne un dispositif électronique comprenant : - un composant présentant une résistance (R120) à coefficient de température négatif, et - un moyen de contrôle de la température présentant une résistance électrique (R130) variant en fonction de la température T de sorte que la somme de la résistance totale (R) soit, sur une deuxième sous-gamme de température (302), supérieure à une température de consigne (305), strictement supérieure à la résistance totale (R) à la température de consigne (305).

Substrat (10) en silicium cristallin pour cellule solaire en particulier dans le domaine du spatial, ledit substrat ayant une conductivité de type P et étant dopé à l'aide d'au moins une espèce dopante de type accepteur dans le silicium, cette espèce dopante ayant une concentration p0 à l'équilibre supérieure à 1017 atomes par cm3.

Le procédé de fabrication permet de fabriquer un dispositif (100) électronique comprenant : un substrat (101) ; un composant (102) électronique formé à partir du substrat (101) ; une couche (103) de planarisation en résine et agencée sur le composant (102) électronique ; un élément (108a, 108b, 108c) électriquement conducteur traversant la couche (103) de planarisation, ledit élément (108a, 108b, 108c) électriquement conducteur étant en contact avec une partie (106a, 106b, 106c) du composant (102) électronique et présentant une surface (109a, 109b, 109c) de contact agencée du côté d'une face (110) de la couche (103) de planarisation opposée au substrat (101).

Ce procédé comprend, pour l'évaluation d'un vecteur de données chiffrées d'un client par au moins un arbre de décision (22) fourni par un serveur (6), dans une phase de comparaison : par un premier environnement d'exécution, mettant en œuvre un schéma de chiffrement homomorphe, calcul (52, 54) d'un vecteur d'évaluation, comportant des composantes chiffrées représentatives d'une différence entre une composante du vecteur de données chiffrées et une valeur de seuil de décision associée à un nœud correspondant dudit au moins un arbre de décision, et le fourniture du vecteur d'évaluation à un deuxième environnement d'exécution qui est un environnement d'exécution sécurisé, exécuté par ledit serveur mais contrôlé par ledit client,et par le deuxième environnement d'exécution sécurisé:-déchiffrement (56) dudit vecteur d'évaluation en appliquant une clé privée dudit client, détermination (58) du signe de chaque composante du vecteur d'évaluation déchiffré et fourniture d'un vecteur des signes chiffré au premier environnement d'exécution.

Méthode de traitement par un processeur d'un secret protégé, comprenant une étape de choix (E0) et de mise en place (E2), sur le secret protégé par un masque initial, d'un masquage à faible entropie, puis la mise en œuvre sur le secret maintenu sous la protection dudit masquage à faible entropie d'une opération (EOP) incluant un retrait (E3-2) du masque initial. Un encodage étant sur n bits, le masquage à faible entropie comprend le choix et l'application d'un masque choisi dans l'ensemble {0 ; Zⁿ - 1} et appliqué par un opérateur ou exclusif bit à bit.

L'invention concerne un procédé d'estimation d'une grandeur caractéristique du fonctionnement d'un convertisseur de puissance candidat comprenant un transformateur (1c), le procédé étant exécuté par une unité de traitement de données (110) et comprenant les étapes suivantes : - acquisition d'un signal représentatif des vibrations émises par le transformateur (1c) ; - estimation de la grandeur caractéristique du fonctionnement du convertisseur de puissance candidat sur la base du signal représentatif des vibrations détectées.