Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

The present description relates to a photonic chip (100) comprising at least one waveguide (102) disposed on a support (104), the waveguide comprising at least one interface element (112) extending between a first end (114) and a second end (116) forming an optical coupling outer surface (118) belonging to a same plane as a side face (120) of the photonic chip or to a plane parallel to the side face, and wherein the second end comprises:- a thickness, perpendicular to an upper face (122) of the support on which the waveguide is disposed, which is less than a thickness of the first end, and/or- a width, parallel to the optical coupling outer surface and perpendicular to the thickness of the second end, which is greater than a width of the first end.

La présente invention concerne procédé (1000) d'aide au pilotage pour un pilote dans un aéronef. Le procédé comprend une phase d'enrichissement (1100) comprenant : - réception (1110) d'une ontologie comprenant une base de données, - génération (1120) d'une matrice représentative de l'ontologie, dite matrice initiale, - application (1130), à la matrice initiale, d'opération(s) matricielle(s) issue(s) d'un ensemble de règles d'inférence, pour obtenir une matrice enrichie - détermination (1140) d'au moins un nouvel axiome entre les données de la base de données par comparaison de la matrice enrichie avec la matrice initiale, - enrichissement (1150) de l'ontologie par inclusion du ou des axiomes nouvellement déterminés dans la base de données, formant une ontologie enrichie. Le procédé comprend en outre une phase de requête (1200), comprenant : - acquisition (1210) d'une requête de la part du pilote, - interrogation (1220) de l'ontologie enrichie, - émission (1230) d'une réponse à la requête acquise.

La présente invention concerne un procédé de compression d'une image. Le procédé comprend :- obtention (E100) d'une image binaire comportant des lignes de pixels, chaque pixel comprenant un premier et un deuxième ensembles,- choix (E102) d'un nombre d'éléments du premier ensemble,- formation (E104) :- d'un flux de bits de poids fort des premiers ensembles ;- d'un flux des bits de poids faible des deuxièmes ensembles ;- établissement (E106) d'une matrice d'ensemble comportant des termes agencés en lignes et colonnes, les termes étant calculés à partir d'un flux choisi, chaque terme étant égal à la concaténation de plusieurs ensembles contigus du flux choisi en parcourant successivement chaque ligne de la matrice d'ensemble, le nombre d'ensembles contigus dépendant du nombre d'éléments choisis pour le premier ensemble, et- compression (E110) de la matrice établie pour obtenir une matrice compressée correspondant à la compression de l'image.

The invention relates to a sputtering process for generating a charged particles beam (40), whereby an E x B crossed field is applied to a sputtering target (20) in a vacuum environment, wherein the sputtering target (20) includes a hollow tube-shaped sputtering target (22) extending along a longitudinal axis in which a plasma phase is generated, the target having at least one open end (24, 24'). At least over a predetermined length of the hollow tube-shaped sputtering target (22): - an electric field E is generated inside (27) the hollow tube-shaped sputtering target (22), the electric field gradient being uniform in the vicinity of the sputtering target and normal thereto; and - a first magnetic field B is generated inside (27) the hollow tube-shaped sputtering target (22); According to the invention, the first magnetic field B is generated by means of a first magnet arrangement (30) positioned outside the target (20) and configured to uniformly generate, along said predetermined length, a magnetic field gradient of B whose component Bt is orthoradial to the longitudinal axis, whereby a first unidirectional E x B drift is obtained along the longitudinal axis that induces a linear erosion of the inner surface of the sputtering target along the longitudinal axis as well as an unidirectional and anisotropic linear drift motion of charged particles along the longitudinal axis such that a charged particles beam (40) exits at the open end (24) of the target (20). The invention also relates to a corresponding sputtering device and is suitable in sputtering deposition processes but also in other applications, e.g. implantation, isotopic separation, etching and propulsion.

The present invention is directed to method for determining the presence of pollutants, preferably chlordecone in a liquid sample using fluorophore-loaded nanoemulsions. Finally, the invention is directed to kit comprising fluorophore-loaded nanoemulsions diluted in an aqueous phase and their uses for the determination of pollutants.

Système de génération de rayons X comprenant :- une source (1) de faisceau laser (2) focalisé sur une cible gazeuse (6), générant, par accélération laser-plasma, un faisceau d'électrons (7) et un faisceau laser (8) ;- une cible solide (9) de rayonnement de freinage bremsstrahlung, configurée pour être exposée, sur sa face exposée, au faisceau laser (8) et au faisceau d'électrons (7) sortant de la cible gazeuse (6), et pour générer des rayons X ;dans lequel la cible solide (9) comprend une couche protectrice solide (10), disposée sur la face exposée, de densité inférieure à un premier seuil (S1), de point de fusion supérieur à un deuxième seuil (S2), d'épaisseur inférieure à un troisième seuil (S3), de surface exposée polie de rugosité mesurée par un rugosimètre inférieure à un quatrième seuil (S4), le premier seuil (S1) valant 7 g/cm³, le deuxième seuil (S2) valant 1000°C, le troisième seuil (S3) valant 2 mm, et le quatrième seuil (S4) valant 10 µm.

The present invention relates to an indole derivative of formula (I)3,3'-(pyridine-3,5-diylbis(5-methoxy-1H-indole-2,1-diyl))bis(N,N-dimethylpropan-1-amine) as inhibitors of interaction between Spike and ACE2 proteins for the treatment of infections due to respiratory viruses, such as e.g. SARS-CoV-1, SARS-CoV-2 or MERS CoV infections.

The disclosure notably relates to a device for enabling combined measurements of a sample 100 using a first measurement apparatus 210 and an optical microscope 220 simultaneously. The sample is located inside of a chamber 211 of the first measurement apparatus. The system comprises a collection quadric surface mirror 310 located inside the chamber of the first measurement apparatus. The system further comprises a relay module 400 positioned between the collection mirror and a compensating module located outside the chamber of the first measurement apparatus. The relay module is configured to relay the light beam reflected by the collection mirror to the compensating module. The system further comprises the compensating module. Such a device forms an improved solution for enabling the effective combined measurement using a first characterization technique and an optical microscope simultaneously.

The invention relates to a method for manufacturing a silicon carbide on insulator, said method comprising the following steps:a) providing a substrate,b) providing a silicon carbide structure,at least one of the substrate and of the silicon carbide structure being provided with an electrically insulating layer;c) arranging the silicon carbide structure against the substrate with the electrically insulating layer between them so as to form a contact between them;d) focusing a laser beam towards the electrically insulating layer to weld the silicon carbide structure to the substrate, the laser beam being controlled to define one or several welded areas separated by one or several non-welded areas.The invention also relates to a method for manufacturing SiCOI photonic structures that may contain one or several color centers, from a SiCOI structure obtained with the manufacturing method of the invention.

La présente description concerne un dispositif comprenant au moins une cellule mémoire, la cellule mémoire comprenant : - une zone active (20b), en un matériau semiconducteur, comprenant des régions de source et de drain (22); - une première grille de sélection (26) en un matériau semiconducteur s'étendant de manière parallèle à la zone active (20b), la première grille de sélection étant séparée de la zone active par une première couche en un matériau diélectrique (28) ; et - une deuxième grille de mesure (30a, 30b) reposant sur les régions de source et de drain et sur la première grille.