Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

The present invention relates to a method for producing gamma delta (γδ) T cells. The present invention also relates to the cells obtained by said method and said cells for their use as a medicament and in an immunotherapy, preferably in the treatment or prevention of a cancer.

L'invention concerne une mémoire (100) comprenant : - une électrode conductrice principale (120) formant une cathode ; - une électrode conductrice secondaire (130) formant une anode ; et - une couche ferroélectrique semiconductrice (110) formant une couche active, disposée entre la cathode et l'anode (120, 130), la couche active (110) présentant une polarisation ferroélectrique (111) présentant une pluralité d'états stables, la cathode (120) formant un contact principal avec la couche active (110), la résistance du contact principal variant de façon strictement monotone en fonction de la polarisation ferroélectrique (111), le comportement du contact principal formant, en fonction de la polarisation ferroélectrique (111) : - un contact ohmique pour un premier état stable de la pluralité d'états stables ; et - un contact Schottky pour au moins un deuxième état stable de la pluralité d'états stables, la couche active (110) étant dégénérée et présentant une bande d'énergie interdite inférieure à 1,5 eV.

The present invention relates to a method of detecting and/or quantifying the presence of exons 5 and 6 of ANRIL (Antisense Noncoding RNA in the INK4 Locus) in a subject, comprising the following steps of:1) Preparation of total RNA from a biological sample of the subject,2) Conversion of RNA molecules into complementary DNA,3) Loop-mediated isothermal amplification using trans-exonic oligonucleotides that specifically amplify exons 5 and 6,4) Addition of Cas12a/RNA guides complexes, wherein RNA guide specifically targets exons 5 and 6 by base pairing,5) Addition of a reporter DNA probe,6) Detection of cleavage products, wherein detection of cleavage products reveals the presence of exons 5 and 6 of ANRIL, and7) possibly quantifying expression of exons 5 and 6 of ANRIL.The present invention also relates to a method for in vitro diagnosis of a cancer in a subject, to a method for in vitro prognosis a cancer in a subject to a kit for implementing the method and to a set of oligonucleotides.

The present invention relates to a method of detecting the presence of exon 8 of ANRIL (Antisense Non-coding RNA in the INK4 Locus) in a subject, comprising the following steps of:1) Preparation of total RNA from a biological sample of the subject,2) Conversion of RNA molecules into complementary DNA,3) Loop-mediated isothermal amplification using trans-exonic oligonucleotides that specifically produces an amplicon containing exon 8 fragment,4) Addition of Cas12a/RNA guide complexes, wherein RNA guide specifically targets exon 8-containing fragment by base pairing,5) Addition of a reporter DNA probe, and6) Detection of cleavage products,Wherein detection of cleavage products reveals the presence of exon 8 of ANRIL.The present invention also relates to a method for in vitro predicting in vitro the efficacy of a therapy targeting exon 8 of ANRIL in a subject, to a kit for implementing the method and to a set of oligonucleotides.

L'invention a pour objet un Générateur (D1) de bit probabiliste (p-bit) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un circuit de polarisation (POL) configuré pour injecter un courant de commande (Ic) à travers la jonction tunnel magnétique variable selon une première tension d'entrée (V<in1>) ; le circuit de polarisation (POL) comprenant : ∘ un transistor de contrôle (T<1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique entre deux nœuds d'alimentation et comprenant une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) formant une grille arrière (G2,<T1>) ; - des moyens de contrôle (CONT) configurés pour appliquer la première tension d'entrée (V<in1>) sur ladite grille arrière; - un circuit de détection (DET) configuré pour générer un signal de détection (s1) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique.

L'invention concerne un transistor (10) non-volatil comprenant une couche semi-conductrice ferroélectrique (11) comprenant un domaine ferroélectrique (12) présentant une polarisation électrique spontanée (13) pouvant prendre une pluralité d'états distincts, une source (14), une grille (15) et un drain (16). La source (14), la grille (15) et le drain (16) sont distants les uns des autres et agencés de sorte qu'un potentiel électrique appliqué entre la source (14) et la grille (15) applique un champ électrique sur le domaine ferroélectrique (12), le drain (16) étant en contact électrique avec la couche ferroélectrique (11), la source (14) formant, avec la couche ferroélectrique (11), une barrière Schottky (17) au niveau d'une interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) présentant une résistance électrique fonction de la polarisation électrique (13), le transistor étant tel que la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) est dégénérée au niveau de l'interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) et la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) présente une conductivité électrique indépendante de la polarisation spontanée (13).

The invention relates to the use of a mechanical force to generate a mechanochemical reaction in the implementation of a process of preparation of immunomodulatory drugs of Formula (I) or a pharmaceutically acceptable salt thereof, and their process of preparation.

La présente invention concerne un dispositif (16) de conversion d'énergie entre une source de tension continue (12) et une source de tension alternative (14), comprenant :- un premier onduleur (20) ayant une tension de fonctionnement égale à une tension basse (V_min) prédéterminée,- un second onduleur (22) connecté en série du premier onduleur (20) de sorte que la tension de fonctionnement de l'ensemble formé du premier onduleur (20) et du second onduleur (22) soit égale à une tension haute (V_max) prédéterminée, et- un hacheur (24) propre à être connecté à la source de tension continue (12) et connecté au premier onduleur (20) et au second onduleur (22) de sorte que la tension aux bornes du hacheur (24) soit égale à la différence entre la tension haute (V_max) et la tension basse (V_min).

The invention has for object a memory cell (100) comprising a spin-orbit ferroelectric memory (110) comprising a first, second and third terminals (121, 122, 123), the memory (110) having a spontaneous electrical polarisation able to adopt two distinct states, the first, second, and third terminals (121, 122, 123) being connected to the memory in a way that a first charge current flows (11) in the second terminal (122) when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123), the amplitude and sign of the charge current being function of the voltage applied between the first and third terminals (121, 123) and function of the spontaneous electrical polarisation. The cell (100) comprises an isolation component (130) connected to the second terminal (122) and configured to prevent charge currents from flowing in the second terminal (122) towards the memory (110) when no voltage is applied between the first and third terminals (121, 123) and to allow charge currents to flow in the second terminal and from the memory when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123).

La présente description concerne un commutateur (200) à base d'un matériau à changement de phase, comprenant :- une région (107) en ledit matériau à changement de phase reliant des première (101A) et deuxième (101B) électrodes de conduction du commutateur ; et- un réseau de couplage (201) d'un signal laser d'activation du commutateur, situé en vis-à-vis d'une face de la région (107) en ledit matériau à changement de phase.