GlobalFoundries U.S. Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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272 gesamt| Patent | |||
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17.09.2025
Strukturen mit einer Isotopenarmen Halbleiterschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.09.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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03.09.2025
Optische Komponenten mit Verbesserter Wärmeableitung
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.10.2022
Erteilt am 03.09.2025
Vertretung
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27.08.2025
Heterogene Mehrkern-Wellenleiterstrukturen mit mehreren Schlitzen
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 06.10.2022
Erteilt am 27.08.2025
Vertretung
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27.08.2025
Rauscharmer Kaskodenverstärker mit Gefalteter Kaskode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.08.2024
Anhängig
Vertretung
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27.08.2025
Verfahren und System für Dreidimensionale Integrierte Schaltung (3DIC) und 3DIC
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.08.2024
Anhängig
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06.08.2025
Richtkoppler mit Heterogenen Mantelungen
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 24.10.2023
Erteilt am 06.08.2025
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06.08.2025
Vorrichtung mit Inneren und Äusseren Abstandshaltern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2024
Anhängig
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06.08.2025
Vorrichtung mit Inneren Seitenwand-Abstandsstücken
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2024
Anhängig
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06.08.2025
Vorrichtung mit einem Äusseren Leitfähigen Abstandshalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2024
Anhängig
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30.07.2025
Strukturen mit einer durch Laterales Epitaxialwachstum Geformten Halbleiterschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.07.2024
Anhängig
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23.07.2025
Silizium-Steuergleichrichter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.06.2024
Anhängig
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23.07.2025
Struktur und Verfahren für einen Induktor mit einer Wicklung mit einem Ersten Segment, das mit Zwei Zweiten Segmenten Verbunden Ist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.07.2024
Anhängig
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16.07.2025
Heteroübergang-Bipolartransistoren mit einer Intrinsischen Basis mit Asymmetrischem Dotierungstiefenprofil
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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16.07.2025
Kristalline Halbleiterschicht zwischen Bipolartransistor- und Feldeffekttransistorstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
Vertretung
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16.07.2025
Bipolare Transistorbasisstruktur Gekoppelt an eine Gatestruktur eines Feldeffekttransistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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16.07.2025
Photodetektoren mit einer Verbundenen Schlitzwellenleiterstruktur
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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09.07.2025
Transistorgesteuerter Siliziumsteuergleichrichter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.06.2024
Anhängig
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09.07.2025
Photodetektoren mit Integriertem Wellenleiterkern
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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11.06.2025
Vergrösserter Mehrschicht-Nitrid-Wellenleiter für eine Photonische Integrierte Schaltung
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 05.10.2023
Erteilt am 11.06.2025
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04.06.2025
Vollständig Verarmter Halbleiter-Auf-Isolator-Schalter mit Eingebautem Elektrostatischem Entladungsschutz
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.05.2024
Anhängig
Vertretung
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28.05.2025
Layoutoptimierung auf Echtzeitprozessmargenbasis
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.05.2024
Anhängig
Vertretung
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28.05.2025
Struktur und Verfahren für Induktor mit Wicklungen Unterschiedlicher Breite
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.05.2024
Anhängig
Vertretung
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21.05.2025
Vertikaler Heteroübergang-Bipolartransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.06.2024
Anhängig
Vertretung
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21.05.2025
Speicherstruktur mit Programmierschaltung für Niedrige Zellenversorgungsspannung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 15.05.2024
Anhängig
Vertretung
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14.05.2025
Transistorarrays mit Bipolaren Übergängen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.09.2023
Erteilt am 14.05.2025
Vertretung
Zusammenfassung
Structures that include bipolar junction transistors and methods of forming such structures. The structure comprises a semiconductor layer, a substrate (32), and a dielectric layer disposed between the semiconductor layer and the substrate. The structure further comprises a first bipolar junction transistor (12) including a first collector in the substrate (34), a first emitter (40), and a first base layer (20). The first base layer extends through the dielectric layer from the first emitter to the first collector. The structure further comprises a second bipolar junction transistor (14) including a second collector (34) in the substrate, a second emitter (42), and a second base layer (22). The second base layer extends through the dielectric layer from the second emitter to the second collector. The second base layer is connected to the first base layer by a section of the semiconductor layer to define a base line. |
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14.05.2025
Silizium-Regelgleichrichter Integriert mit einem Transistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.04.2024
Anhängig
Vertretung
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07.05.2025
Vorrichtung mit Isolationsstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.04.2024
Anhängig
Vertretung
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07.05.2025
Transistor mit Hoher Elektronenmobilität mit Wiederaufgewachsener Barrierenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2024
Anhängig
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07.05.2025
Photodetektoren mit einer Gekerbten Lichtabsorbierenden Schicht
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 18.04.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Structures for a photonics chip that include a photodetector and methods of forming such structures. The structure comprises a photodetector that is disposed on a substrate and that includes a light-absorbing layer. The light-absorbing layer includes a sidewall and a notch in the sidewall. The structure further comprises a waveguide core including a section adjacent to the notch in the sidewall of the light-absorbing layer. |
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30.04.2025
Vergrabene Verbindung, die eine Grabenisolation Durchkreuzt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
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16.04.2025
Transistor mit Hoher Elektronenbeweglichkeit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.03.2024
Anhängig
Vertretung
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09.04.2025
Transistor mit Hoher Elektronenmobilität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.03.2024
Anhängig
Vertretung
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09.04.2025
Mehrgate-Differenzleistungsverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2023
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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09.04.2025
Leistungsverstärker mit Vorspannungsschema zur Ermöglichung eines Hochleistungsbetriebs
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2023
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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09.04.2025
Flächeneffiziente Vollständig Verarmte Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur mit Transistoren mit Gemischter Schwellenspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
Disclosed is a fully depleted semiconductor-on-insulator structure including a buried Nwell in a substrate below P-type and N-type well regions, an insulator layer on the substrate, and mixed threshold voltage transistors on the insulator layer above at least one of the well regions. An Nwell can be connected to receive a positive bias voltage with any NFET and any PFET above being a FBB LVT/SLVT NFET and a RBB RVT/HVT PFET, respectively. A Pwell can be connected to receive another positive bias voltage less than the positive bias voltage on the Nwell with any NFET and any PFET above being a FBB RVT/HVT NFET and a RBB LVT/SLVT PFET, respectively. Additionally, or alternatively, a Pwell can be connected to receive a negative bias voltage with any NFET and any PFET above being a RBB RVT/HVT NFET and a FBB LVT/SLVT PFET, respectively. |
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09.04.2025
Kompakte Speicher-In-Pixel-Anzeigestruktur
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
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09.04.2025
Optische Schalter mit Ringresonator
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
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02.04.2025
Spin-Qubit-Vorrichtungen mit Qubit-Gates und Selbstausgerichteten Barriere-Gates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.03.2024
Anhängig
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19.03.2025
Bipolartransistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2024
Anhängig
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12.03.2025
Dichtungsringe für einen Halbleiterschichtstapel mit Grossem Bandabstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.03.2024
Anhängig
Vertretung
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Wer vertritt GlobalFoundries U.S.?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die GlobalFoundries U.S. vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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