GlobalFoundries U.S. Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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230 gesamt| Patent | |||
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23.07.2025
Silizium-Steuergleichrichter
EP4590087
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.06.2024
Anhängig
Vertretung
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16.07.2025
Bipolare Transistorbasisstruktur Gekoppelt an eine Gatestruktur eines Feldeffekttransistors
EP4586323
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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16.07.2025
Kristalline Halbleiterschicht zwischen Bipolartransistor- und Feldeffekttransistorstrukturen
EP4586762
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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16.07.2025
Heteroübergang-Bipolartransistoren mit einer Intrinsischen Basis mit Asymmetrischem Dotierungstiefenprofil
EP4586324
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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16.07.2025
Photodetektoren mit einer Verbundenen Schlitzwellenleiterstruktur
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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09.07.2025
Photodetektoren mit Integriertem Wellenleiterkern
EP4582843
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 10.07.2024
Anhängig
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09.07.2025
Transistorgesteuerter Siliziumsteuergleichrichter
EP4583664
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.06.2024
Anhängig
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11.06.2025
Vergrösserter Mehrschicht-Nitrid-Wellenleiter für eine Photonische Integrierte Schaltung
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Status
Angemeldet am 05.10.2023
Erteilt am 11.06.2025
Vertretung
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04.06.2025
Vollständig Verarmter Halbleiter-Auf-Isolator-Schalter mit Eingebautem Elektrostatischem Entladungsschutz
EP4564432
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.05.2024
Anhängig
Vertretung
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28.05.2025
Layoutoptimierung auf Echtzeitprozessmargenbasis
EP4560520
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.05.2024
Anhängig
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28.05.2025
Struktur und Verfahren für Induktor mit Wicklungen Unterschiedlicher Breite
EP4560655
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.05.2024
Anhängig
Vertretung
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21.05.2025
Vertikaler Heteroübergang-Bipolartransistor
EP4557376
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.06.2024
Anhängig
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21.05.2025
Speicherstruktur mit Programmierschaltung für Niedrige Zellenversorgungsspannung
EP4557290
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 15.05.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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14.05.2025
Transistorarrays mit Bipolaren Übergängen
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Status
Angemeldet am 19.09.2023
Erteilt am 14.05.2025
Vertretung
Zusammenfassung
Structures that include bipolar junction transistors and methods of forming such structures. The structure comprises a semiconductor layer, a substrate (32), and a dielectric layer disposed between the semiconductor layer and the substrate. The structure further comprises a first bipolar junction transistor (12) including a first collector in the substrate (34), a first emitter (40), and a first base layer (20). The first base layer extends through the dielectric layer from the first emitter to the first collector. The structure further comprises a second bipolar junction transistor (14) including a second collector (34) in the substrate, a second emitter (42), and a second base layer (22). The second base layer extends through the dielectric layer from the second emitter to the second collector. The second base layer is connected to the first base layer by a section of the semiconductor layer to define a base line. |
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14.05.2025
Silizium-Regelgleichrichter Integriert mit einem Transistor
EP4553902
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.04.2024
Anhängig
Vertretung
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07.05.2025
Photodetektoren mit einer Gekerbten Lichtabsorbierenden Schicht
EP4550015
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 18.04.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Structures for a photonics chip that include a photodetector and methods of forming such structures. The structure comprises a photodetector that is disposed on a substrate and that includes a light-absorbing layer. The light-absorbing layer includes a sidewall and a notch in the sidewall. The structure further comprises a waveguide core including a section adjacent to the notch in the sidewall of the light-absorbing layer. |
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07.05.2025
Vorrichtung mit Isolationsstrukturen
EP4550395
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.04.2024
Anhängig
Vertretung
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07.05.2025
Transistor mit Hoher Elektronenmobilität mit Wiederaufgewachsener Barrierenstruktur
EP4550422
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2024
Anhängig
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30.04.2025
Vergrabene Verbindung, die eine Grabenisolation Durchkreuzt
EP4546404
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
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16.04.2025
Transistor mit Hoher Elektronenbeweglichkeit
EP4539125
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.03.2024
Anhängig
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09.04.2025
Flächeneffiziente Vollständig Verarmte Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur mit Transistoren mit Gemischter Schwellenspannung
EP4535414
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
Disclosed is a fully depleted semiconductor-on-insulator structure including a buried Nwell in a substrate below P-type and N-type well regions, an insulator layer on the substrate, and mixed threshold voltage transistors on the insulator layer above at least one of the well regions. An Nwell can be connected to receive a positive bias voltage with any NFET and any PFET above being a FBB LVT/SLVT NFET and a RBB RVT/HVT PFET, respectively. A Pwell can be connected to receive another positive bias voltage less than the positive bias voltage on the Nwell with any NFET and any PFET above being a FBB RVT/HVT NFET and a RBB LVT/SLVT PFET, respectively. Additionally, or alternatively, a Pwell can be connected to receive a negative bias voltage with any NFET and any PFET above being a RBB RVT/HVT NFET and a FBB LVT/SLVT PFET, respectively. |
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09.04.2025
Mehrgate-Differenzleistungsverstärker
EP4535661
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2023
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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09.04.2025
Optische Schalter mit Ringresonator
EP4535053
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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09.04.2025
Kompakte Speicher-In-Pixel-Anzeigestruktur
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Status
Angemeldet am 05.04.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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09.04.2025
Transistor mit Hoher Elektronenmobilität
EP4535429
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.03.2024
Anhängig
Vertretung
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09.04.2025
Leistungsverstärker mit Vorspannungsschema zur Ermöglichung eines Hochleistungsbetriebs
EP4535658
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2023
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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02.04.2025
Spin-Qubit-Vorrichtungen mit Qubit-Gates und Selbstausgerichteten Barriere-Gates
EP4531112
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.03.2024
Anhängig
Vertretung
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19.03.2025
Bipolartransistoren
EP4525048
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2024
Anhängig
Vertretung
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12.03.2025
Dichtungsringe für einen Halbleiterschichtstapel mit Grossem Bandabstand
EP4521453
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.03.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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05.03.2025
Puf-Struktur mit Gate über Nichtausgerichteten Halbleiterregionen
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Status
Angemeldet am 22.02.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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26.02.2025
Photonik-Chip-Gehäusestrukturen mit Kontrollierter Unterfüllungsleiste
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Status
Angemeldet am 30.01.2024
Anhängig
Vertretung
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12.02.2025
Spannungsreduktionsstrukturen für einen Verbundhalbleiterschichtstapel
EP4506987
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.01.2024
Anhängig
Vertretung
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29.01.2025
Array-Anordnungen von Vertikalen Bipolartransistoren
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Status
Angemeldet am 18.09.2023
Erteilt am 29.01.2025
Vertretung
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29.01.2025
Testablagesystem und Zugehöriges Verfahren
EP4498096
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 19.01.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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22.01.2025
Nanofolienstrukturen mit Eckenabstandshalter
EP4496005
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.01.2024
Anhängig
Vertretung
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15.01.2025
Ein- und Mehrstufige Spannungspegelumsetzer
EP4492685
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.01.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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15.01.2025
Vom Rückkopplungsstrom Abhängiger Rampengenerator für Schaltnetzteil
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Status
Angemeldet am 12.01.2024
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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25.12.2024
Halbleiterbauelement mit Diffusionsbruchstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP4481802
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.09.2023
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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18.12.2024
Breitbandige Optische Schalter basierend auf einem Ringunterstützten Mach-Zhender Interferometer
EP4478112
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 12.12.2023
Anhängig
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11.12.2024
Laserchips mit einem Leiterrahmen zur Befestigung an einem Photonischen Chip
EP4475360
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 20.11.2023
Anhängig
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Wer vertritt GlobalFoundries U.S.?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die GlobalFoundries U.S. vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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