II-VI Delaware Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das optische Komponenten, Laser und Halbleiterbauteile für Telekommunikation, Industrie und Sensorik entwickelt, Teil von Coherent.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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114 gesamt| Patent | |||
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11.09.2024
Vcsel mit Integriertem Esd-Schutz
EP4429050
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2023
Anhängig
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11.09.2024
Systeme und Verfahren für einen Ultraweiten Beleuchtungsdiffusor
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Angemeldet am 04.03.2024
Anhängig
Vertretung
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04.09.2024
Artikel mit Kontaktflächen aus Ausschliesslich Diamant
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Angemeldet am 06.04.2016
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
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04.09.2024
Rot-Grün-Blaue Oberflächenemittierende Laseranordnung mit Vertikalem Resonator
EP4398429
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.12.2023
Anhängig
Vertretung
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28.08.2024
Wss unter Verwendung von Lcos-Arrays mit Rechteckigen Pixeln
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Status
Angemeldet am 22.06.2022
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
Patentship Patentanwaltgesellschaft · Augsburg
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21.08.2024
Optische Verbinder auf Basis eines Dualen Duplex-Belliy-To-Belly-Low-Connector (bblc)
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Angemeldet am 06.07.2023
Anhängig
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07.08.2024
Aluminiumionenstrahlerzeugungsquelle
EP4411781
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.02.2024
Anhängig
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31.07.2024
Mehrfach-Laserdiode mit Verbesserter Wellenlängenstabilität
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Angemeldet am 17.01.2024
Anhängig
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24.07.2024
Infiltrationsgebundener Cvd-Diamant für Reaktionsgebundenen Diamant und Sic-Verbundstoff
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Status
Angemeldet am 19.01.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Disclosed herein are bonded diamond composites that may include a ceramic composite layer, a diamond film layer, and a silicon carbide bonding layer bonding the diamond film layer to the ceramic composite layer. Example ceramic composite layers disclosed herein include diamond particles within a silicon carbide matrix. Methods of making bonded diamond composites through infiltration bonding are disclosed herein. Example methods include exposing a ceramic preform to molten silicon such that the silicon infiltrates into and through the silicon preform to a diamond film interfaced with the ceramic preform. Example methods include reacting the silicon with the ceramic preform and the diamond film to form a silicon carbide bonding layer bonding the diamond film to the resulting ceramic composite layer. |
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24.07.2024
Systeme und Verfahren zur Projektion der Beleuchtung von einem Vorrichtungsrand
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Status
Angemeldet am 08.05.2023
Anhängig
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24.07.2024
Mehrkomponentenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Mehrkomponentenvorrichtung
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Status
Angemeldet am 20.12.2023
Anhängig
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17.07.2024
Polarisierter/belinster Rückseitenemittierender (bse) Oberflächenemittierender Laser mit Vertikalem Resonator (vcsel)
EP4369536
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.10.2023
Anhängig
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03.07.2024
Separator für Elektrochemische Vorrichtung
EP4372848
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.06.2024
Sensor mit Adressierbarem Tiefenbereich Und/oder Sichtfeld und Rechenvorrichtung mit Solch einem Sensor
EP4386432
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 08.05.2023
Anhängig
Vertretung
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22.05.2024
Oberflächenemittierender Laser mit Vertikalem Resonator (vcsel) mit Geführtem Antigeführtem Wellenleiter
EP4372933
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.05.2023
Anhängig
Vertretung
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08.05.2024
Diamanthaltiger Klebstoff zum Verbinden Reaktionsgebundener Siliciumcarbidteile
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Status
Angemeldet am 04.01.2023
Anhängig
Vertretung
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24.04.2024
Polarisationssteuerung eines Vcsel mit Strukturellem Doppelbrechendem Resonator
EP4358325
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.09.2023
Anhängig
Vertretung
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24.04.2024
Doppelseitige Beschichtung für Elektrochemische Vorrichtungsanwendungen
EP4358168
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.03.2024
Stromlinienförmiges Verfahren zur Herstellung einer Aluminium-Scandium-Legierung
EP4339313
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 30.08.2023
Anhängig
Vertretung
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06.03.2024
Schutzschaltung unter Laserprogrammierbaren Sicherungen
EP4333054
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.08.2023
Anhängig
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06.03.2024
Verstärkte Metallmatrixverbundstoffe und Verfahren zur Herstellung davon
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Status
Angemeldet am 23.08.2023
Anhängig
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14.02.2024
Rationalisiertes Recycling von Lithium-Ionen-Batterie-Abfall
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Status
Angemeldet am 23.05.2023
Anhängig
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17.01.2024
Planare Vergrabene Optische Wellenleiter in einem Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren
EP4307034
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 17.07.2023
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A method of forming a semiconductor device may include providing semiconductor substrate having a substrate top side and a dielectric layer along the substrate top side and forming a first mask layer over the dielectric layer. The method may include forming a lower cladding wall and an upper cladding wall via a first opening in the first mask layer. The method may also include forming a second mask layer over the dielectric layer and forming side cladding walls via second openings in the second mask layer. Various semiconductor devices having a buried waveguide in formed via the method are also disclosed. |
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17.01.2024
Laser mit einem Verbundhohlraum aus Zwei Halbleitern
EP4307497
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.07.2023
Anhängig
Vertretung
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20.12.2023
Über Randgeschwindigkeit (anhäufung und Abfallzeit) Gesteuerter Segmentierter Lasertreiber
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Status
Angemeldet am 15.05.2023
Anhängig
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06.12.2023
Stromlastgesteuerter Lasertreiber
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Status
Angemeldet am 25.04.2023
Anhängig
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06.12.2023
Elektroden mit Rissen
EP4287289
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.05.2023
Anhängig
Vertretung
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29.11.2023
Hydrometallurgisches Verfahren zur Wiederverwertung von Lithium-Ionen-Batterie-Abfällen
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Status
Angemeldet am 15.11.2022
Anhängig
Vertretung
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22.11.2023
Reaktionsgebundenes Siliciumcarbid mit In-Situ-Geformter Siliciumschicht zur Optischen Endbearbeitung
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Status
Angemeldet am 02.05.2023
Anhängig
Vertretung
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11.10.2023
Silberdotiertes Schwefelkathodenmaterial für eine Wiederaufladbare Lithiumbatterie
EP4258384
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.03.2023
Anhängig
Vertretung
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27.09.2023
Spektralstrahlkombinierende Optische Anordnung
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Status
Angemeldet am 02.03.2023
Anhängig
Vertretung
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27.09.2023
Lasergerauhtes Reaktionsgebundenes Siliciumcarbid zur Herstellung einer Waferkontaktfläche
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Status
Angemeldet am 21.03.2023
Anhängig
Vertretung
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28.06.2023
Halbleiterlaserdiode mit Umgekehrtem P-N-Übergang
EP4203211
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2023
Halter für einen Mehrfaser-Push-On-Verbinder
EP4202514
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 20.12.2022
Anhängig
Vertretung
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12.04.2023
Gemeinsame Optische Anordnung für Kombinierte Punkt- und Flutbeleuchtungsmodule
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12.04.2023
Steuerung der Stromverteilung in Halbleiterlaservorrichtungen
EP4164074
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.03.2023
Integrierte Adaptive Optik auf Spiegeln
EP4124899
Optik & Fototechnik
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08.12.2021
Quantentopfpassivierungsstruktur für Laserfacetten
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Angemeldet am 03.07.2019
Erteilt am 08.12.2021
Vertretung
Talbot-Ponsonby, Daniel Frederick · Oxford
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03.11.2021
Laser-Lötoptik zum Fügen Beschichteter Werkstücke
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Status
Angemeldet am 16.11.2018
Erteilt am 03.11.2021
Vertretung
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02.12.2020
Zwei-Quellen-Lichtwellenlängen-Prozessor
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Angemeldet am 14.06.2005
Erteilt am 02.12.2020
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Wer vertritt II-VI Delaware?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die II-VI Delaware vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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