Infineon Technologies Austria Patente
🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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703 gesamt| Patent | |||
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16.08.2023
Feldeffekttransistor mit Grabenübergang mit Mesa-Bereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.08.2023
Halbleiteranordnung mit einem Stromaufweitungsbereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.01.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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16.08.2023
Stromversorgung und Integrierte Magnetische Anordnungsimplementierungen
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.02.2023
Anhängig
Vertretung
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09.08.2023
Stromwandler
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 03.02.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.08.2023
Selbstjustierende Dv/dt-Gate-Treiberarchitektur
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 26.02.2020
Erteilt am 02.08.2023
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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02.08.2023
Zweifacher Gebrauch eines Sicherheitsfähigen Fahrzeugscanners für Gemeinschaftliche Fahrzeugsmontage- und -Fahrüberwachung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 02.02.2021
Erteilt am 02.08.2023
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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02.08.2023
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.01.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.08.2023
Halbleiterbauelement mit Grabenisolationsstrukturen in einem Übergangsbereich und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.07.2023
Chip-Substrat-Verbundhalbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.01.2022
Anhängig
Vertretung
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26.07.2023
Halbleitergehäuse mit einer Chip-Substrat-Verbundhalbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.01.2022
Anhängig
Vertretung
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19.07.2023
Verfahren und Vorrichtung zur Schätzung der Belastung eines Kondensators
Elektrische Energietechnik
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05.07.2023
Elektronische Schaltung und Abwärtswandler mit der Elektronischen Schaltung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.12.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.06.2023
Überstromschutz für Negativen Laststrom von Gate-Treibern einer Leistungsvorrichtung
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2022
Anhängig
Vertretung
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28.06.2023
Mehrstufige Invertierende Abwärts-Aufwärts-Wandlerarchitektur
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 14.12.2022
Anhängig
Vertretung
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28.06.2023
Stromversorgungssystem und Welligkeitsspannungsreduktion
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 19.12.2022
Anhängig
Vertretung
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14.06.2023
Schaltkondensatorwandler mit Kondensatorvorladung
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 19.07.2018
Erteilt am 14.06.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.06.2023
Lastadaptive Flussschwächung eines im Spannungssteuerungsmodus Betriebenen Permanentmagnetsynchronmotors
Elektrische Energietechnik
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14.06.2023
Batteriespannungssteuerung und -Regelung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 13.12.2022
Anhängig
Vertretung
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07.06.2023
Gehäuse für einen Lateralen Leistungstransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.12.2021
Anhängig
Vertretung
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31.05.2023
Umrichter mit Nullspannungsschaltung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 03.01.2019
Erteilt am 31.05.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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31.05.2023
Geregelter Gleichstromumrichter mit Geschalteten Kondensatoren
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 04.04.2020
Erteilt am 31.05.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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31.05.2023
Feldplattenverankerungsstruktur für Grabenbasierte Halbleiterbauelemente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.11.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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31.05.2023
Induktorvorrichtungen und Gestapelte Stromversorgungstopologien
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.05.2023
Analog-Digital-Wandler und Verfahren zur Analog-Digital-Umwandlung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
An analog-to-digital converter is provided which is configured to output an n-bit signal in response to an analog input signal. n is greater than 1. The converter comprises n comparators, where each comparator is configured to output one bit of the n-bit signal and comprising a first input and a second input. A first comparator is configured to receive the analog input signal at its first input and a reference value at its second input and to output the first, most significant bit of the n-bit signal. For the remaining comparators, an i-th comparator, i=2...n, is configured to output an i-th bit, the analog-to-digital converter comprises a respective i-th input device. The i-th input device is configured to selectively provide one of 2<sup>i-1</sup> reference values to one of the first or second input of the i-th comparator and the analog input signal to the other one of the first or second input of the i-th comparator, such that the n-bit signal is a Gray code representation of the analog input signal. |
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17.05.2023
Transistorvorrichtung mit Gleichrichterelement zwischen einer Feldelektrode und einer Sourceelektrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.07.2017
Erteilt am 17.05.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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17.05.2023
Stromrichtersteuergerät, Stromrichter und Verfahren
Elektrische Energietechnik
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17.05.2023
Flexible Hochgeschwindigkeitsschnittstellenimplementierung in einer Stromversorgung
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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17.05.2023
Mehrstufiger Stromwandler und Steuerung
Elektrische Energietechnik
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10.05.2023
Halbleiterbauelementgehäuse mit einem Stift in Form einer Bohrschraube
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.07.2020
Erteilt am 10.05.2023
Vertretung
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10.05.2023
Motorsteuerung und Entmagnetisierungsausgleich über Pwm-Signale
Elektrische Energietechnik
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03.05.2023
Gate-Treiber mit Stufenlosem Strom
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.09.2019
Erteilt am 03.05.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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03.05.2023
Hochspannungshalbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.05.2023
Verfahren zum Betrieb eines Stromquellenumrichters, Steuerschaltung und Stromquellenumrichter
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 02.11.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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03.05.2023
Verfahren und Vorrichtung zur auf Periodendetektion Basierenden Steuerung von Regelungssteuerparametern
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 26.10.2022
Anhängig
Vertretung
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19.04.2023
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor device is provided that comprises a semiconductor body having a first surface, a second surface opposing the first surface and side faces, an active area, wherein the active area comprises a plurality of active transistor cells and an edge termination region laterally surrounding the active area. Each active transistor cell comprises a columnar trench comprising a field plate and a mesa comprising a drift region of a first conductivity type. The edge termination region comprises a plurality of inactive cells, each inactive cell comprising a columnar termination trench comprising a field plate and a termination mesa comprising a drift region of a first conductivity type. The edge termination region comprises a transition region laterally surrounding the active region and an outer termination region laterally surrounding the transition region. In the transition region, the termination mesa comprises a body region of the second conductivity type that is arranged on the drift region. In the outer termination region, the drift region of the termination mesa extends to the first surface. The edge termination region further comprises a buried doped region that has a lateral extent such that it is positioned in the transition region and in the outer termination region. |
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19.04.2023
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.04.2023
Eingebettete Verpackung mit Delaminationsminderung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.04.2023
Interpretierbare Neuronale Netze für Nichtlineare Steuerung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
Anhängig
Vertretung
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12.04.2023
Stromversorgung und Emulierte Strommodussteuerung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 05.10.2022
Anhängig
Vertretung
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05.04.2023
Transistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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Wer vertritt Infineon Technologies Austria?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies Austria vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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