NXP Semiconductors Patente
🇳🇱 Niederlande
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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7.992 gesamt| Patent | |||
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06.08.2014
ESD-Schutzschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.01.2012
Erteilt am 06.08.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
An integrated circuit device provides electrostatic discharge (ESD) protection. In connection with various example embodiments, an ESD protection circuit includes a diode-type circuit having a p-n junction that exhibits a low breakdown voltage. Connected in series with the diode between an internal node susceptible to an ESD pulse and ground, are regions of opposite polarity having junctions therebetween for mitigating the passage of leakage current via voltage sharing with the diode's junction. Upon reaching the breakdown voltage, the diode shunts current to ground via another substrate region, bypassing one or more junctions of the regions of opposite polarity and facilitating a low clamping voltage. |
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06.08.2014
3-Stufen-Brückentreiber mit einzelner Versorgung und niedriger Gleichtakt-EMI-Abstrahlung
Software & Datenverarbeitung
Elektronik & Schaltungstechnik
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30.07.2014
Bewegungszitterlöschung in Bildsequenzen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 03.08.2006
Erteilt am 30.07.2014
Vertretung
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30.07.2014
Elektrochemischer Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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23.07.2014
Halbleiterbaulement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.07.2014
Analog-Digital-Wandlerschaltungen mit sukzessivem Annäherungsregister und Verfahren dafür
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 03.08.2011
Erteilt am 23.07.2014
Vertretung
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23.07.2014
Verpackte elektrische Komponenten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.07.2014
Bipolar-CMOS-DMOS-Prozesse
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.07.2014
Verfahren und Vorrichtung zum Audiovergleich
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 30.12.2009
Erteilt am 23.07.2014
Vertretung
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16.07.2014
Schutzschaltung für einen Kaskodenschalter, und ein Verfahren zum Schutz eines Kaskodenschalters
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 09.05.2012
Erteilt am 16.07.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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16.07.2014
Schaltmodusumrichter und Verfahren zur Steuerung des Schaltmodusumrichters
Elektrische Energietechnik
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02.07.2014
Drahtlose Übertragung von Leistung und Daten
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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02.07.2014
Verfahren zur Steuerung eines synchronen Gleichrichters
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 04.12.2009
Erteilt am 02.07.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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02.07.2014
Messgerät und Herstellungsverfahren dafür
Verfahrens- & Trenntechnik
Pharma & Biotechnologie
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Status
Angemeldet am 30.04.2010
Erteilt am 02.07.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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25.06.2014
RF-Repeater-Schaltung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.06.2014
Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.03.2007
Erteilt am 25.06.2014
Vertretung
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25.06.2014
Integrierte Schaltung mit einem direktionalen Lichtsensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.05.2012
Erteilt am 25.06.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Crawford, Andrew · Nijmegen
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25.06.2014
Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors und bipolarer Transistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Disclosed is a method of manufacturing a bipolar transistor comprising providing a substrate (10) including an active region (22); depositing a layer stack; forming a base window (38) over the active region in said layer stack; forming at least one pillar (40) in the base window, wherein a part of the pillar is resistant to polishing; depositing an emitter material (46) over the resultant structure, thereby filling said base window; and planarizing the deposited emitter material by polishing. A bipolar transistor manufactured in accordance with this method is also disclosed. |
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25.06.2014
Stromüberwachungsschaltungen und Verfahren und Transistoranordnung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 19.12.2012
Anhängig
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Crawford, Andrew · Nijmegen
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25.06.2014
Leistungsverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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25.06.2014
GaN-HEMTs und GaN-Dioden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2014
Gatterleck von GaN-HEMTs und GaN-Dioden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2014
Festkörperbeleuchtungselement, Spitzenwellenlängenschätzungsverfahren und Klassifizierungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2014
Verfahren und Anordnung zur Charakterisierung eine PV-Zelle und ein PV-Modul
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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25.06.2014
Systeme und Verfahren zum Task-Scheduling in durch Multimodussoftware Definierten Funkgeräten
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 26.02.2009
Erteilt am 25.06.2014
Vertretung
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25.06.2014
Resonanzschaltkreise mit automatischen selbstabgleich
Elektronik & Schaltungstechnik
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25.06.2014
Frequenz-Abwärtswandler
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.07.2011
Erteilt am 25.06.2014
Vertretung
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25.06.2014
System zum Mischen von Signalen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.06.2014
Integrierte Schaltung mit Sensor und Verfahren zur Herstellung solch einer integrierten Schaltung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.08.2011
Erteilt am 25.06.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Crawford, Andrew · Nijmegen
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25.06.2014
Sige-Verspannungsrelaxationspuffer für Hochmobilitätsbauelemente und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.01.2004
Erteilt am 25.06.2014
Vertretung
Van Malderen, Joëlle · Liège
Van Malderen, Joëlle · Liège
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18.06.2014
IR COx-Sensor und eine diesen umfassende integrierte Schaltung
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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18.06.2014
Vorrichtung zur Erzeugung eines Nachrichtenauthentifizierungscodes zur Authentifizierung einer Nachricht
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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18.06.2014
Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit mehreren bipolaren Transistoren und integrierte Schaltung mit mehreren bipolaren Transistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.08.2011
Erteilt am 18.06.2014
Vertretung
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18.06.2014
Verfahren und Vorrichtung zum Schutz einer Mram-Vorrichtung gegen Angriffe
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 15.12.2003
Erteilt am 18.06.2014
Vertretung
Leach, James · London
Schouten, Marcus Maria · Eindhoven
van der Veer, Johannis Leendert · Eindhoven
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18.06.2014
Detektion eines sauren (CO2, SO2) oder basischen (NH3) Gases durch Beobachten der dielektrischen Relaxation eines Reaktionsprodukts (z.B. eines Zwitterions) einer Säure/Basereaktion des Gases mit einer chemischen Substanz (wie DBU) unter Verwendung eines integrierten Schaltkreises
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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18.06.2014
Einschalt- und Eingangsspitzenstrombegrenzung in DC/DC Wandlern mit geschalteten Kapazitäten
Elektrische Energietechnik
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11.06.2014
Simultanmehrbandsendeempfänger
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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11.06.2014
ESD-Schutz
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.06.2014
Verfahren und Vorrichtung für den verbesserten drahtlosen Empfang
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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11.06.2014
Akustische Wandler mit perforierten Membranen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.04.2012
Erteilt am 11.06.2014
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Crawford, Andrew · Nijmegen
Williamson, Paul Lewis · Eindhoven
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Wer vertritt NXP Semiconductors?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP Semiconductors vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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