STMicroelectronics International Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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733 gesamt| Patent | |||
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02.10.2024
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Zugehöriges Halbleiterbauelement
EP4439661
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.03.2024
Anhängig
Vertretung
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02.10.2024
Polykristallines Siliciumcarbidsubstrat und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP4439630
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2024
Substrat oder Wafer auf Polykristalliner Basis mit Niedrigem Widerstand
EP4439629
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2024
Polykristallines Siliciumcarbidsubstrat mit Dichtegradient und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP4439628
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2024
Integrierte Elektronische Vorrichtung mit einer Verbesserten Leitfähigen Kontaktstruktur und Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP4439674
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2024
Hemt-Anordnung mit Verbesserter Gate-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
EP4439677
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.09.2024
Hybrides Multichip-Qfp-Qfn-Gehäuse
EP4425537
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A hybrid QFN and QFP integrated circuit package includes a leadframe with first second die pads supporting first and second integrated circuits, respectively. The leadframe further includes QFN conductive pads QFP conductive leads. A package housing encapsulates the first and second die pads, the first and second integrated circuits mounted thereto, the QFN conductive pads, and proximal ends of the QFP conductive leads. Distal ends of the QFP conductive leads extend away from side edges of the package housing. Bottom surfaces of the QFN conductive pads are exposed at a bottom surface of the package housing. The QFN conductive pads are located between the first and second die pads. |
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25.09.2024
Identifizierung einer Anwendung
EP4435651
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
La présente description concerne un système (200) comprenant au moins une première application (202) et une plateforme (201) logicielle partagée, dans lequel chaque application (202) est identifiée par ladite plateforme (201) logicielle par un premier nombre aléatoire, ledit premier nombre aléatoire étant stocké de manière chiffrée dans un code d'exécution de ladite première application (202), et un deuxième nombre représentatif dudit premier nombre aléatoire étant stocké dans une première partie d'une mémoire uniquement accessible à ladite plateforme (201). |
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25.09.2024
Normal-Aus-Heteroübergang-Integrierte Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Vorrichtung
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25.09.2024
System-On-Chip, Einschliesslich Ressourcenisolierungsrahmen und Gegenmassnahmen und Entsprechendes Verfahren
EP4435656
Software & Datenverarbeitung
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25.09.2024
Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Elektronischen Bauteilen
EP4435835
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.09.2024
Verifikation eines Datenelementes
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18.09.2024
Treiberschaltung mit Entladungssteuerung, Entsprechendes Elektronisches System und Fahrzeug
EP4432562
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.02.2024
Anhängig
Vertretung
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18.09.2024
Debug-Anschluss für Einzelsignal
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Status
Angemeldet am 27.02.2024
Anhängig
Vertretung
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18.09.2024
Kurzschlussdetektionsschaltung
EP4431963
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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11.09.2024
Drahtlose Stromübertragung zwischen einem Stromsender und einem Gerät
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11.09.2024
Eingebetteter Mechanischer Stopper für eine Wärmesensorvorrichtung
EP4428508
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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11.09.2024
Pulsbreitenmodulationsschaltung
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11.09.2024
Verfahren zur Herstellung eines Elektronischen Chips mit einer Speicherschaltung und eine Speicherschaltung
EP4429436
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.09.2024
Hemt-Anordnung mit Verringertem Gate-Leckstrom und Herstellungsverfahren dafür
EP4428929
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.09.2024
Hemt-Vorrichtung mit Verbesserter Einschaltleistungsfähigkeit und Herstellungsverfahren dafür
EP4428930
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.09.2024
Hemt-Anordnung mit Reduziertem Anschaltwiderstand und Herstellungsverfahren dafür
EP4428928
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.09.2024
Integrierte Schaltung mit einer Prüfschaltung, Zugehöriges Verfahren und Computerprogrammprodukt
EP4425196
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 12.02.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
An integrated circuit is disclosed. The integrated circuit comprises a sequential logic circuit (20) and a circuit (204, 220) configured to change operation as a function of a subset of the state output signals (Q) provided by state flip-flops (202; 402) of the sequential logic circuit (20). A test circuit (300, 404, 406) is configured to determine whether a test mode signal (SCAN_MODE) is asserted and, when the test mode signal (SCAN_MODE) is asserted, write and read (TE, TI, TO) the content of the state flip-flops (202; 402) in order to test the operation of the sequential logic circuit (20).In particular, the processing system (10) comprises also at least one storage circuit (408). Each storage circuit (408) is interposed between the circuit (204, 220) and a respective state output signal (Q), wherein each storage circuit (408) is configured to receive the respective state output signal (Q) and provide a modified state signal (Q') to the circuit (204, 220). Specifically, when the test mode signal (SCAN_MODE) is de-asserted, the storage circuit (408) provides the received state output signal (Q) in a transparent manner to the circuit (204, 220) and stores the received state output signal (Q) to a storage element (4082; 4086). Conversely, when the test mode signal (SCAN_MODE) is asserted, the storage circuit (408) provides the stored state output signal (Q') to the circuit (204, 220). |
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04.09.2024
Graben-Leistungs-Mosfet mit Geteiltem Gate und Dicker Poly-Zu-Poly-Isolierung
EP4425567
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor substrate has a substrate trench extending from a front surface and including a lower part and an upper part. A first insulation layer lines the substrate trench, and a first conductive material is insulated from the semiconductor substrate by the first insulating layer to form a transistor field plate electrode. A gate trench in the first insulation layer defines an integral part of the first insulating layer surrounding the first conductive material in an upper part of the substrate trench. A second insulating layer lines the semiconductor substrate at the upper part of the substrate trench in the gate trench. A second conductive material fills the gate. The second conductive material forms a transistor gate electrode that is insulated from the semiconductor substrate by the second insulating layer and further insulated from the first conductive material by the integral part of the first insulating layer. |
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04.09.2024
Verfahren zur Ausführung einer Javakartenanwendung
EP4425328
Software & Datenverarbeitung
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04.09.2024
Flugzeitmessung des Nächsten Ziels mit Impulsverzerrungsimmunität
EP4425209
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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28.08.2024
Adaptive Wortleitungsuntersteuerung für einen Speicherinternen Rechenvorgang mit Gleichzeitigem Zugriff auf Mehrere Zeilen eines Statischen Direktzugriffsspeichers (sram)
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Zusammenfassung
An in-memory computation circuit includes a memory array with SRAM cells connected in rows by word lines and in columns by bit lines. Each row includes a word line drive circuit powered by an adaptive supply voltage. A row controller circuit simultaneously actuates word lines in parallel for an in-memory compute operation. A column processing circuit processes analog voltages developed on the bit lines in response to the simultaneous actuation to generate a decision output for the in-memory compute operation. A voltage generator circuit generates the adaptive supply voltage for powering the word line drive circuits during the simultaneous actuation. A level of the adaptive supply voltage is modulated dependent on integrated circuit process and/or temperature conditions in order to optimize word line underdrive performance and inhibit unwanted memory cell data flip. |
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28.08.2024
Selektive Bitleitungsklemmsteuerung für Speicherinterne Rechenoperation mit Gleichzeitigem Zugriff auf Mehrere Zeilen eines Statischen Direktzugriffspeichers
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Zusammenfassung
A circuit includes a memory array with SRAM cells connected in rows by word lines and in columns by bit lines. A row controller circuit simultaneously actuates, through a word line driver circuit for each row, word lines in parallel for an in-memory compute operation. A column processing circuit processes analog voltages developed on the bit lines in response to the simultaneous actuation to generate a decision output for the in-memory compute operation. A bit line clamping circuit includes a sensing circuit that compares the analog voltages on a given pair of bit lines to a threshold voltage. A voltage clamp circuit is actuated in response to the comparison to preclude the analog voltages on the given pair of bit lines from decreasing below a clamping voltage level. |
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28.08.2024
Speicherzelle
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Zusammenfassung
La présente description concerne un procédé d'utilisation d'une cellule mémoire (10) reprogrammable, la cellule comprenant trois régions semiconductrices, la deuxième région comprenant des deuxièmes parties supérieures (22a, 22b), les deuxième parties supérieures formant un transistor (44) avec des première (34) et deuxième (38) couche, une première partie (24a) supérieure de la première région (24) située en regard de la deuxième couche conductrice(38) étant dopée d'un type de conductivité opposé à celui d'une troisième partie (20a) supérieure de la troisième partie (20) située en regard de la deuxième couche, le procédé comprenant la programmation de valeurs :- par l'application d'un champ électrique compris entre 5 MV/cm et 10 MV/cm entre la première région (24) et la deuxième couche ; et- par l'application d'un champ électrique compris entre 5 MV/cm et 10 MV/cm entre la troisième région (20) et la deuxième couche. |
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28.08.2024
Virtueller Modusausführungsmanager
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Status
Angemeldet am 22.03.2022
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
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28.08.2024
Adaptives Körpervorspannungsmanagement für einen Speicherrechnerbetrieb, bei dem Gleichzeitig auf Mehrere Zeilen eines Statischen Direktzugriffspeichers (sram) Zugegriffen Wird
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28.08.2024
Verfahren zur Aktualisierung einer auf einem Sicheren Element Installierten Software
EP4421624
Software & Datenverarbeitung
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28.08.2024
System und Verfahren zur Verwaltung von Sim-Kartenprofilen für Verschiedene Eingebettete Universelle Ic-Karten
EP4422225
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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28.08.2024
Verfahren zur Überwachung eines Taktsignals, Entsprechende Vorrichtung und System
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21.08.2024
Sic-Basierte Elektronische Vorrichtung mit Mehrlagen- und Multifunktioneller Passivierung und Verfahren zur Herstellung der Elektronischen Vorrichtung
EP4386829
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.08.2024
Verfahren und Systeme zur Verarbeitung Künstlicher Neuronaler Netze
EP4418167
Software & Datenverarbeitung
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21.08.2024
Rekonfigurierbare, Streaming-Basierte Cluster von Verarbeitungselementen und Multimodale Verwendung davon
EP4418131
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 02.02.2024
Anhängig
Vertretung
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14.08.2024
Verarbeitungssystem, Zugehörige Integrierte Schaltung, Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 27.02.2023
Erteilt am 14.08.2024
Vertretung
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14.08.2024
Schaltung und Verfahren zur Abtastprüfung
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Status
Angemeldet am 06.03.2023
Erteilt am 14.08.2024
Vertretung
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14.08.2024
Verfahren zur Steuerung einer Hüllenform eines Ausgangssignals, das von einem Treiber eines Drahtlosen Senders Ausgegeben Wird, und Entsprechende Integrierte Schaltung
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Wer vertritt STMicroelectronics International?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics International vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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