STMicroelectronics Italy Patente
🇮🇹 Italien
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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30.10.2024
Mems-Kreisel mit Verbesserter Unterdrückung des Quadraturfehlers
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23.10.2024
Mems-Gyroskopvorrichtung mit Verbessertem Hot-Start und Entsprechendes Verfahren
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23.10.2024
Speicherzelle
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23.10.2024
Kalibrierungsverfahren für Phasenregelkreise und Zugehörige Schaltung
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Angemeldet am 13.03.2023
Erteilt am 23.10.2024
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16.10.2024
Verpackter Umweltsensor
EP3828130
erteilt
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Angemeldet am 16.11.2020
Erteilt am 16.10.2024
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16.10.2024
Verfahren zum Betrieb von Audiosystemen, Entsprechender Schaltung, System- und Computerprogramm-Produkt
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Status
Angemeldet am 31.12.2018
Erteilt am 16.10.2024
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09.10.2024
Verfahren und System zur Verarbeitung Künstlicher Neuronaler Netzwerke
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Status
Angemeldet am 08.07.2021
Erteilt am 09.10.2024
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09.10.2024
Mems-Ultraschallwandlervorrichtung mit Verbesserter Dämpfung der Schwingungen einer Membran davon und Herstellungsverfahren dafür
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09.10.2024
Halbleiterchip mit Eingebettetem Kondensator und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips
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Status
Angemeldet am 15.01.2019
Erteilt am 09.10.2024
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09.10.2024
Mikroelektromechanischer Optischer Verschluss mit Übersetzenden Abschirmstrukturen und Zugehöriges Herstellungsverfahren
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09.10.2024
Sensor, insbesondere Mems-Sensor, zur Erzeugung eines Digitalen Ausgangssignals, das mit einer Mehrzahl von Sensoren in einem Elektronischen Gerät Koppelbar Ist
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09.10.2024
Spannungsregelkreis
EP4443265
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 18.03.2024
Anhängig
Vertretung
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09.10.2024
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Entsprechende Halbleiteranordnung
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Status
Angemeldet am 30.01.2023
Erteilt am 09.10.2024
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02.10.2024
Mikroelektromechanische Vorrichtung mit einer durch Piezoelektrische Ansteuerung Kippbaren Struktur mit Verbesserten Mechanischen und Elektrischen Eigenschaften
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Status
Angemeldet am 28.03.2019
Erteilt am 02.10.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A microelectromechanical device (20), has: a fixed structure (24) defining a cavity (23); a tiltable structure (22), elastically suspended in the cavity (23) and having a main extension in a horizontal plane (xy); a piezoelectrically driven actuation structure (30), which can be biased for causing rotation of the tiltable structure (22) about at least one first rotation axis (X) belonging to the horizontal plane (xy) and is interposed between the tiltable structure (22) and the fixed structure (24). The actuation structure (30) has at least one first pair of driving arms (32a, 32b), which carry respective regions of piezoelectric material (33) and are elastically coupled to the tiltable structure on opposite sides of the first rotation axis (X), by means of respective elastic decoupling elements (34a, 34b), which have a high stiffness in regard to movements out of the horizontal plane (xy) and are compliant in regard to torsion about the first rotation axis (X) . |
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02.10.2024
Modul zur Steuerung eines Schalt-Abwärts-Aufwärtswandlers mit Überstromerkennung und Verfahren zur Steuerung eines Schalt-Abwärts-Aufwärtswandlers
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02.10.2024
Piezoelektrischer Aktuator mit Verformbarer Struktur mit Verbesserten Mechanischen Eigenschaften und Verfahren zu Seiner Herstellung
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Status
Angemeldet am 30.04.2021
Erteilt am 02.10.2024
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25.09.2024
Integriertes Elektronisches Modul für 3D-Abtastanwendungen, und 3D-Abtastvorrichtung mit dem Integrierten Elektronischen Modul
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Status
Angemeldet am 27.02.2020
Erteilt am 25.09.2024
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25.09.2024
Verfahren zur Korrektur von Demodulationsphasendrift bei Kreiseln
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25.09.2024
Herstellungsverfahren für ein Element einer Elektronischen Vorrichtung mit Verbesserter Zuverlässigkeit und Zugehöriges Element, Elektronische Vorrichtung und Elektronische Einrichtung
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Status
Angemeldet am 31.08.2021
Erteilt am 25.09.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A manufacturing method of an anchorage element (82) of a passivation layer (69), comprising: forming, in a semiconductor body (80) made of SiC and at a distance from a top surface (52a) of the semiconductor body (80), a first implanted region (84) having, along a first axis (X), a first maximum dimension (di); forming, in the semiconductor body (80), a second implanted region (85), which is superimposed to the first implanted region (84) and has, along the first axis (X), a second maximum dimension (d<2>) smaller than the first maximum dimension (di); carrying out a process of thermal oxidation of the first implanted region (84) and second implanted region (85) to form an oxidized region (86'); removing said oxidized region (86') to form a cavity (83); and forming, on the top surface (52a), the passivation layer (69) protruding into the cavity (83) to form said anchorage element (82) fixing the passivation layer (69) to the semiconductor body (80). |
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25.09.2024
Verfahren zur Verwaltung mehrerer Betriebssysteme in Integrierten Schaltkarten, Entsprechendes System und Computerprogrammprodukt
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Status
Angemeldet am 25.03.2019
Erteilt am 25.09.2024
Vertretung
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18.09.2024
Verfahren zum Betreiben eines Mikroprozessors, Entsprechendes Verarbeitungssystem und Entsprechendes Computerprogrammprodukt
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Status
Angemeldet am 18.05.2023
Erteilt am 18.09.2024
Vertretung
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18.09.2024
Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Thermoelektrischen Wandlers und So Erhaltener Integrierter Thermoelektrischer Wandler
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Status
Angemeldet am 17.05.2021
Erteilt am 18.09.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A method of fabricating a thermoelectric converter comprises: providing a layer (115; 215) of a Silicon-based material having a first surface and a second surface, opposite to and separated from the first surface by a Silicon-based material layer thickness; forming a plurality of first thermoelectrically active elements (133a; 237; 330a) of a first thermoelectric semiconductor material having a first Seebeck coefficient, and forming a plurality of second thermoelectrically active elements (133b; 249; 330b) of a second thermoelectric semiconductor material having a second Seebeck coefficient, wherein the first and second thermoelectrically active elements are formed to extend through the Silicon-based material layer (115; 215) thickness, from the first surface to the second surface; forming electrically conductive interconnections (143, 413; 257, 413) in correspondence of the first surface and of the second surface of the layer of Silicon-based material (115; 215),, for electrically interconnecting the plurality of first thermoelectrically active elements and the plurality of second thermoelectrically active elements, and forming an input electrical terminal (257') and an output electrical terminal (257") electrically connected to the electrically conductive interconnections, wherein the first thermoelectric semiconductor material and the second thermoelectric semiconductor material comprise Silicon-based materials selected among porous Silicon or polycrystalline SiGe or polycrystalline Silicon. |
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11.09.2024
Halbleiterbauelement und Entsprechendes Verfahren
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Status
Angemeldet am 11.12.2020
Erteilt am 11.09.2024
Vertretung
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04.09.2024
System und Verfahren zum Erfassen von Auf- und Abbewegungen eines Fusses eines Benutzers mit dem Ziel, eine Funktionalität einer Vorrichtung des Benutzers Auszulösen, und Benutzergerät
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Status
Angemeldet am 12.05.2021
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
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04.09.2024
Türentriegelungsmechanismus
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Status
Angemeldet am 27.03.2020
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
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28.08.2024
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements Einschliesslich einer Mikroelektromechanischen Struktur und eine Assoziierte Integrierte Elektronische Schaltung
EP3281911
erteilt
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Status
Angemeldet am 23.03.2017
Erteilt am 28.08.2024
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28.08.2024
Integrierter Mos-Transistor mit Selektiver Deaktivierung von Zellen davon
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Status
Angemeldet am 30.07.2021
Erteilt am 28.08.2024
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28.08.2024
Integriertes Elektronisches Modul mit Zwei Mikrospiegeln und System mit dem Elektronischen Modul
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Status
Angemeldet am 24.09.2021
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
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28.08.2024
System zur Erfassung einer Berührungsgeste eines Benutzers, Vorrichtung mit dem System und Verfahren
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28.08.2024
Phasenwechselspeicher
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28.08.2024
Verfahren zur Herstellung von Substraten für Halbleiterbauelemente, Entsprechendes Substrat und Halbleiterbauelement
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Status
Angemeldet am 27.07.2022
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
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28.08.2024
Wiederkonfigurierbare Schaltung, Entsprechendes Gerät, und Verfahren
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Status
Angemeldet am 14.04.2021
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
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21.08.2024
Mikroelektromechanische Struktur mit Piezoelektrischer Dünnschicht mit Verbesserten Elektrischen Eigenschaften und Zugehöriges Herstellungsverfahren
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Status
Angemeldet am 27.09.2021
Erteilt am 21.08.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A piezoelectric microelectromechanical structure (10), provided with a piezoelectric layer structure (11) having a main extension in a horizontal plane (xy) and a variable cross-section in a plane (xz) transverse to the horizontal plane, comprises a bottom electrode (12), a piezoelectric material (14) constituted by a PZT film arranged on the bottom electrode, and a top electrode (16) arranged on the piezoelectric material, wherein the piezoelectric material has a first thickness (w1) along a vertical axis (z) at a first area (14') and a second thickness (w2) along the vertical axis (z) at a second area (14"), the second thickness being smaller than the first thickness. A corresponding manufacturing process is also disclosed. |
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21.08.2024
Spannungsreglerschaltung und Entsprechende Speichervorrichtung
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Angemeldet am 26.08.2022
Erteilt am 21.08.2024
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21.08.2024
Pwm-Signalgeneratorschaltung und Zugehörige Integrierte Schaltung
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Status
Angemeldet am 14.10.2020
Erteilt am 21.08.2024
Vertretung
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21.08.2024
Vorrichtung und Verfahren für G3-Plc-Bootstrap in Hybriden Netzwerken
EP4369616
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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21.08.2024
Verfahren zur Durchführung einer Betriebssystemaktualisierung in einem Sicheren Element und Zugehöriges Sicheres Element und Vorrichtung
EP4418104
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 30.01.2024
Anhängig
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21.08.2024
Selbsttest für Sensoren zur Änderung Elektrostatischer Ladung
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14.08.2024
Z-Achsen-Resonanzbeschleunigungsmesser mit Detektionsstruktur mit Verbesserter Leistung
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14.08.2024
Mikroelektromechanischer Membran-Elektroakustikwandler
EP4376442
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Wer vertritt STMicroelectronics Italy?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics Italy vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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