STMicroelectronics Italy Patente
🇮🇹 Italien
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.340 gesamt| Patent | |||
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26.02.2025
Hardware-Beschleunigervorrichtung, Zugehöriges System und Verfahren zum Betrieb
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 18.11.2021
Erteilt am 26.02.2025
Vertretung
Zusammenfassung
A hardware accelerator device comprises a set of processing circuits (160) arranged in subsets, a set of data memory banks coupled to a memory controller, a control unit, and an interconnect network (162). The processing circuits (160) are configurable to read (200) first input data from said data memory banks via the interconnect network (162) and the memory controller, process (20) said first input data to produce output data, and write (204) said output data into said data memory banks via the interconnect network (162) and the memory controller. The hardware accelerator device comprises a set of configurable lockstep control units (169) which interface the processing circuits (160) to the interconnect network (162). Each configurable lockstep control unit (169) is coupled to a subset of processing circuits (160) and is selectively activatable to operate in a first operation mode, or in a second operation mode. In the first operation mode, the lockstep control unit (169) is configured to compare data read requests and/or data write requests issued towards said memory controller by a first (160<0>) and a second (160<1>) processing circuits in the subset of processing circuits to detect a fault. In the second operation mode, the lockstep control unit (169) is configured to propagate towards said memory controller said data read requests and/or data write requests issued by the first (160<0>) and by the second (160<1>) processing circuits in the subset of processing circuits (160). |
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26.02.2025
Bitleitungsspannungserzeugungsschaltung für eine Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Entsprechendes Verfahren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 22.01.2021
Erteilt am 26.02.2025
Vertretung
Zusammenfassung
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26.02.2025
Sensorvorrichtung, System und Verfahren
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 05.01.2022
Erteilt am 26.02.2025
Vertretung
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19.02.2025
Siliciumcarbid-Leistungsvorrichtung mit Verbesserter Robustheit und Entsprechendes Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.09.2020
Erteilt am 19.02.2025
Vertretung
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19.02.2025
Phasenschieberarchitektur für Optische Strahlführungsvorrichtungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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19.02.2025
Thermoelektrischer Mems-Generator, Herstellungsverfahren des Generators und Heizsystem mit dem Generator
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.02.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer Programmtreiberschaltung mit einem Spannungsbegrenzer
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Erteilt am 12.02.2025
Vertretung
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12.02.2025
Esd-Schutzschaltkreis und Sein Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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12.02.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Zugehöriges Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.04.2023
Erteilt am 12.02.2025
Vertretung
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29.01.2025
Siliziumkarbid-Mosfet-Vorrichtung mit Vertikaler Leitung mit Verbesserter Gate-Vorspannungsstruktur und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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29.01.2025
Mikro-Elektro-Mechanisches Gerät zur Transduzierung von Hochfrequenz-Akustischen Wellen in ein Ausbreitungsmedium und Herstellungsverfahren dafür
Verfahrens- & Trenntechnik
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29.01.2025
Mikroelektromechanischer Optischer Verschluss mit Rotierenden Abschirmstrukturen und Zugehöriges Herstellungsverfahren
Optik & Fototechnik
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Zusammenfassung
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29.01.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Zugehöriges Betriebsverfahren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 31.08.2023
Erteilt am 29.01.2025
Vertretung
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29.01.2025
Verfahren und Vorrichtung zum Lernen auf einer Vorrichtung auf der Basis mehrerer Instanzen von Inferenzarbeitslasten
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a method of training a neural network (Net1) using a circuit comprising a memory (104) and a processing device (102), the method comprising: performing a first forward inference pass through the neural network based on input features to generate first activations, and generating an error based on a target value, and storing said error to the memory (104); and performing, for each layer of the neural network (Net1): a modulated forward inference pass; before, during or after the modulated forward inference pass, a second forward inference pass based on said input features to regenerate one or more first activations; and updating one or more weights in the neural network (Net1) based on the modulated activations and said one or more regenerated first activations. |
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15.01.2025
Verarbeitungssystem, Zugehörige Integrierte Schaltung, Vorrichtung und Verfahren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 03.11.2023
Erteilt am 15.01.2025
Vertretung
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01.01.2025
Hüllkurvendetektorschaltung, Entsprechende Empfängerschaltung und Galvanische Isolatorvorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 29.03.2022
Erteilt am 01.01.2025
Vertretung
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25.12.2024
Schaltplatte für ein Leistungsmodul mit Aufgeschweisstem Halbleiterelement und Drahtstifthalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.10.2021
Erteilt am 25.12.2024
Vertretung
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25.12.2024
Zweiachsige Resonante Mikroelektromechanische Spiegelstruktur mit Piezoelektrischer Ansteuerung mit Verbesserten Eigenschaften
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 28.02.2020
Erteilt am 25.12.2024
Vertretung
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25.12.2024
Datenverwaltungsverfahren für einen Bitweise Programmierbaren Nichtflüchtigen Speicher und Entsprechende Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Zusammenfassung
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25.12.2024
Nichtflüchtige Speicheranordnung mit einer bei Niedriger Spannung Arbeitenden Leseschaltung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 26.06.2020
Erteilt am 25.12.2024
Vertretung
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25.12.2024
Mems-Mikropartikelsensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 28.12.2021
Erteilt am 25.12.2024
Vertretung
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18.12.2024
Messsystem, Zugehörige Integrierte Schaltung und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 31.08.2023
Erteilt am 18.12.2024
Vertretung
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18.12.2024
Verfahren zur Bestimmung von Kalibrierten Werten des Atmosphärischen Drucks und Zugehörige Elektronische Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
Method (50) for determining a first (P<sub>1</sub>') and a second (P<sub>2</sub>') calibrated value of atmospheric pressure, performed by an electronic apparatus (10) comprising a fixed device (14) and a first (12a) and a second (12b) movable device comprising respectively a first (16a) and a second (16b) movable barometer. The method (50) comprises: determining (S10) whether the movable devices are being inductively charged by the fixed device; if so, acquiring (S12) respective measured values of atmospheric pressure (P<sub>1</sub>, P<sub>2</sub>) through the movable barometers (16a, 16b), and a reference value of atmospheric pressure (P<sub>rif</sub>) in a common reference point of the electronic apparatus (10), the movable barometers being at respective predefined height differences (Δh) with respect to the common reference point; calculating (S14) respective pressure differences (ΔP<sub>1</sub>, ΔP<sub>2</sub>) as a function of the measured values of atmospheric pressure and of the reference value of atmospheric pressure; and when the movable devices are not being charged, acquiring (S20) new measured values of atmospheric pressure through the movable barometers, and determining (S20) the respective calibrated values of atmospheric pressure as a function of the new measured values of atmospheric pressure and of the pressure differences. |
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18.12.2024
Netzwerkarchitektur, Entsprechendes Fahrzeug und Verfahren
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 31.08.2023
Erteilt am 18.12.2024
Vertretung
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18.12.2024
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Halbleiterbauelements mit Verbesserten Eigenschaften
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.07.2021
Erteilt am 18.12.2024
Vertretung
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11.12.2024
Sprachaktivitätserkennung mit einem Beschleunigungsmesser mit Geringem Stromverbrauch
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Zusammenfassung
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11.12.2024
System und Empfänger für Gnss-Signale
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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27.11.2024
Verfahren und Vorrichtung zur Laufzeitschätzung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 20.10.2021
Erteilt am 27.11.2024
Vertretung
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27.11.2024
Verfahren zur Herstellung eines Gate-Anschlusses einer Hemt-Vorrichtung und Hemt-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.10.2020
Erteilt am 27.11.2024
Vertretung
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27.11.2024
Mems-Vorrichtung mit Verbesserter Spannungsverteilung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 14.10.2021
Erteilt am 27.11.2024
Vertretung
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20.11.2024
Transistor mit Breiter Bandlücke mit Nanolaminierter Isolierender Gate-Struktur und Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit Breiter Bandlücke
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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20.11.2024
Verpackte Drucksensorvorrichtung und Entsprechendes Verfahren zur Erkennung des Vorhandenseins von Fremdkörpern
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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20.11.2024
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 29.11.2021
Erteilt am 20.11.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A semiconductor device includes: a substrate (2); a transduction microstructure (3) integrated in the substrate (2); a cap (5) joined to the substrate (2) and having a first face (5a) adjacent to the substrate (2) and a second, outer, face (5b); and a channel (15) extending through the cap (5) from the second face (5b) to the first face (5a) and communicating with the transduction microstructure (3). A protective membrane (17) made of porous polycrystalline silicon permeable to aeriform substances is set across the channel (15). |
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20.11.2024
Piezoelektrischer Mikrobearbeiteter Druckwandler mit Hoher Empfindlichkeit und Zugehöriges Herstellungsverfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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13.11.2024
Mikroelektromechanischer Beschleunigungsmesser mit Geschlossenem Regelkreis und Kompensation von Störschwingungsmoden und Verfahren zur Herstellung eines Mikroelektromechanischen Beschleunigungsmessers
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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06.11.2024
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Entsprechende Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.01.2023
Erteilt am 06.11.2024
Vertretung
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06.11.2024
Verkapseltes Halbleiterbauelement mit Verbesserter Zuverlässigkeit und Prüfbarkeit und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.09.2021
Erteilt am 06.11.2024
Vertretung
Zusammenfassung
Packaged device (57) having a carrying base (30); an accommodation cavity (32) in the carrying base; a semiconductor die (37) in the accommodation cavity (32), the semiconductor die having die pads (39); a protective layer (40), covering the semiconductor die and the carrying base; first vias (43A) in the protective layer, at the die pads (39); and connection terminals (49) of conductive material. The connection terminals have first connection portions (45A) in the first vias (43A), in electrical contact with the die pads (39), and second connection portions (46B, 55), extending on the protective layer (40), along a side surface (57C) of the packaged device. |
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06.11.2024
Reglerschaltung, Entsprechendes System und Verfahren
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.12.2021
Erteilt am 06.11.2024
Vertretung
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30.10.2024
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Entsprechendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.03.2022
Erteilt am 30.10.2024
Vertretung
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30.10.2024
Mems-Kreisel mit Verbesserter Unterdrückung des Quadraturfehlers
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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Wer vertritt STMicroelectronics Italy?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics Italy vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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