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Yangtze Memory Technologies Patente

🇨🇳 China

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996
Patente
2018–2025
Anmeldejahre
8
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

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996 gesamt
Patent
31.05.2019
Method for manufacturing three-dimensional memory structure, three-dimensional memory structure, three-dimensional memory device and electronic apparatus
WO2019100838
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.05.2019
Protective structure and fabrication methods for the peripheral circuits of three-dimensional memory
WO2019100847
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.05.2019
Three-dimensional memory device and fabrication method thereof
WO2019100942
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.05.2019
Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019100875
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.05.2019
Method and structure for cutting dense line patterns using self-aligned double patterning
WO2019100899
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
23.05.2019
Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019095996
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
16.05.2019
Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019091200
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Staircase structure for memory device
WO2019042091
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Memory structure and forming method thereof
WO2019042250
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof
WO2019041956
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Memory structure and forming method thereof
WO2019042248
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Three-dimensional memory device and fabricating method thereof
WO2019041892
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019042058
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019042036
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Memory cell structure of three-dimensional memory device
WO2019042103
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof
WO2019041890
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Tunneling field effect transistor 3d nand data cell structure and method for forming the same
WO2019041906
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Array common source structures of three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019042098
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Word line contact structure for three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof
WO2019042178
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof
WO2019041957
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Method to improve channel hole uniformity of three-dimensional memory device
WO2019042071
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.03.2019
Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof
WO2019042037
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.02.2019
Method for forming gate structure of three-dimensional memory device
WO2019037509
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.02.2019
Method for forming three-dimensional memory device
WO2019037541
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.02.2019
Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices
WO2019037584
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
14.02.2019
Wafer bonding method and structure thereof
WO2019029237
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Low-Dropout Regulators
WO2018161834
Steuerungs- & Regelungstechnik
13.09.2018
Trench structures for three-dimensional memory devices
WO2018161832
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Structure and method for testing three-dimensional memory device
WO2018161841
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Openings layout of three-dimensional memory device
WO2018161835
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Joint openning structures of three-dimensional memory devices and methods for forming the same
WO2018161846
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Staircase Etch Control in Forming Three-Dimensional Memory Device
WO2018161865
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Hybrid bonding contact structure of three-dimensional memory device
WO2018161859
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Word line structure of three-dimensional memory device
WO2018161863
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Composite substrate of three-dimensional memory devices
WO2018161838
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.09.2018
Interconnect structure of three-dimensional memory device
WO2018161839
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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Technologiefelder

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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301
Software & Datenverarbeitung
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Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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15
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7
Steuerungs- & Regelungstechnik
5
Verfahrens- & Trenntechnik
2
Optik & Fototechnik
2
Elektrische Energietechnik
2
Kunststoff- & Polymertechnik
1
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
1

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