Aixtron Patente
🇩🇪 Deutschland
Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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303 gesamt| Patent | |||
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14.07.2004
Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung eines Cvd Prozesses
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 02.10.2002
Anhängig
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07.07.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Vielzahl von Schichten auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.09.2002
Anhängig
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19.05.2004
Cvd-Reaktor mit Graphitschaum-Isoliertem, Rohrförmigem Suszeptor
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 18.10.2001
Erteilt am 19.05.2004
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03.03.2004
Verfahren und Vorrichtung zur Kurzzeitigen Thermischen Behandlung von Flachen Gegenständen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.05.2002
Anhängig
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25.02.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 22.04.2002
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02.01.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden eines in Flüssiger Form Vorliegenden Prekursors auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.01.2001
Erteilt am 02.01.2004
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17.09.2003
Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.12.2001
Anhängig
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10.09.2003
Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden einer oder mehrerer Schichten auf ein Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 02.02.2001
Erteilt am 10.09.2003
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30.07.2003
Kondensationsbeschichtungsverfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 15.02.2001
Erteilt am 30.07.2003
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09.07.2003
Cvd Reaktor und Prozesskammer dafür
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 30.11.2000
Erteilt am 09.07.2003
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03.07.2003
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden Kristalliner Schichten auf Kristallinen Substraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 06.12.2002
Anhängig
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27.02.2003
Vorrichtung zum Handhaben eines Verbundes
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.05.2002
Anhängig
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16.01.2003
Masken- und Substrathalteranordnung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.06.2002
Anhängig
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16.01.2003
Anordnung zum Handhaben Und/oder Aufbewahren einer Maske Und/oder eines Substrates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.05.2002
Anhängig
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08.01.2003
Verfahren zum Wachstum von Stickstoff Enthaltenden Halbleiterkristallmaterialien
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 12.04.2001
Anhängig
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27.11.2002
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Gruppe-Iii-N, Grup Pe-Iii-V-N und Metall-Stickstoff-Bauelementstrukturen auf Si-Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.03.2001
Anhängig
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24.10.2002
Vorrichtung oder Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten aus De R Gasphase
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 26.01.2002
Anhängig
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25.07.2002
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.12.2001
Anhängig
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06.06.2002
Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 27.10.2001
Anhängig
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28.03.2002
Leuchtdiode mit einem Leuchtkörper
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.09.2001
Anhängig
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16.08.2001
Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers in einem Hochtemperatur-Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.05.2001
Verdampfer für CVD-Anlage
Verfahrens- & Trenntechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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05.04.2001
Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen P-Typ Halbleiterschicht aus einem Nitrid eines Gruppe Iii-Elements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.09.2000
Anhängig
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Wer vertritt Aixtron?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Aixtron vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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