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Aixtron Patente

🇩🇪 Deutschland

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

303
Patente
2000–2025
Anmeldejahre
26
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

Patente durchsuchen

303 gesamt
Patent
14.07.2004
Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung eines Cvd Prozesses
Metallurgie & Oberflächentechnik
07.07.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Vielzahl von Schichten auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
19.05.2004
Cvd-Reaktor mit Graphitschaum-Isoliertem, Rohrförmigem Suszeptor
Metallurgie & Oberflächentechnik
03.03.2004
Verfahren und Vorrichtung zur Kurzzeitigen Thermischen Behandlung von Flachen Gegenständen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
25.02.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
02.01.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden eines in Flüssiger Form Vorliegenden Prekursors auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
17.09.2003
Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
10.09.2003
Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden einer oder mehrerer Schichten auf ein Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
30.07.2003
Kondensationsbeschichtungsverfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
09.07.2003
Cvd Reaktor und Prozesskammer dafür
Metallurgie & Oberflächentechnik
03.07.2003
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden Kristalliner Schichten auf Kristallinen Substraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
27.02.2003
Vorrichtung zum Handhaben eines Verbundes
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
16.01.2003
Masken- und Substrathalteranordnung
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
16.01.2003
Anordnung zum Handhaben Und/oder Aufbewahren einer Maske Und/oder eines Substrates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
08.01.2003
Verfahren zum Wachstum von Stickstoff Enthaltenden Halbleiterkristallmaterialien
Metallurgie & Oberflächentechnik
27.11.2002
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Gruppe-Iii-N, Grup Pe-Iii-V-N und Metall-Stickstoff-Bauelementstrukturen auf Si-Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.10.2002
Vorrichtung oder Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten aus De R Gasphase
Metallurgie & Oberflächentechnik
25.07.2002
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.06.2002
Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Metallurgie & Oberflächentechnik
28.03.2002
Leuchtdiode mit einem Leuchtkörper
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
16.08.2001
Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers in einem Hochtemperatur-Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
09.05.2001
Verdampfer für CVD-Anlage
Verfahrens- & Trenntechnik Metallurgie & Oberflächentechnik
05.04.2001
Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen P-Typ Halbleiterschicht aus einem Nitrid eines Gruppe Iii-Elements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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