Aixtron Patente
🇩🇪 Deutschland
Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
Patente durchsuchen
303 gesamt| Patent | |||
|---|---|---|---|
|
12.08.2009
Gaseinlassorgan F]r einen Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 05.01.2006
Erteilt am 12.08.2009
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
20.05.2009
Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 07.07.2003
Erteilt am 20.05.2009
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
04.03.2009
Cvd-Beschichtungsvorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 24.08.2001
Erteilt am 04.03.2009
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
13.08.2008
Cvd-Reaktor mit Auswechselbarer Prozesskammerdecke
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 20.11.2006
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
06.08.2008
Hydrid Vpe Reaktor und Verfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 02.10.2003
Erteilt am 06.08.2008
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
02.04.2008
Aus einem Tragkörper und Darauf Gasgelagerten und Drehangetriebenen Substrathalter Bestehende Anordnung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 22.04.2002
Erteilt am 02.04.2008
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
24.01.2008
Small volume symmetric flow single wafer ald apparatus
Verfahrens- & Trenntechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 20.07.2007
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
13.12.2007
Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Pulverförmigen Organischen Ausgangsstoffs
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 04.06.2007
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.11.2007
Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein Cvd- oder Rtp-Verfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 15.05.2006
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
24.10.2007
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 15.02.2003
Erteilt am 24.10.2007
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
05.09.2007
Vorrichtung zum Abscheiden Dünner Schichten mit Drahtloser Prozessparameter-Aufnahme
Metallurgie & Oberflächentechnik
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 15.02.2003
Erteilt am 05.09.2007
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
28.03.2007
Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen eines in die Gasform Gebrachten Flüssigen Ausgangsstoffes in einen Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 27.10.2001
Erteilt am 28.03.2007
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
07.02.2007
Reaktionskammer mit wenigstens einer Hf-Durchführung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 12.04.2001
Erteilt am 07.02.2007
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
03.01.2007
Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 13.07.2001
Erteilt am 03.01.2007
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
11.10.2006
Cvd-Vorrichtung mit Differenziert Temperiertem Substrathalter
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 22.04.2002
Erteilt am 11.10.2006
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
10.08.2006
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von aus mehreren Komponentenhalbleitern Bestehende Schichtenfolgen
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 05.01.2006
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
27.07.2006
Verfahren zum Selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen sowie Dazu Geeignete Ausgangsstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 07.12.2005
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
06.07.2006
Vorrichtung zum Verdampfen von Kondensierten Stoffen
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 16.12.2005
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.06.2006
Verfahren zur Herstellung einer Elektrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 07.12.2005
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
07.06.2006
Verfahren und Vorrichtung zur Schichtenabscheidung unter Verwendung von Nicht-Kontinuierlicher Injektion
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 07.09.2004
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
26.04.2006
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 27.09.2002
Erteilt am 26.04.2006
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
29.03.2006
Prozesskammer mit Abschnittsweise Unterschiedlich Drehangetriebenem Boden und Schichtabscheideverfahren in einer Derartigen Prozesskammer
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 10.06.2002
Erteilt am 29.03.2006
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
29.03.2006
Maskenhaltevorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Optik & Fototechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 29.03.2004
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
09.09.2005
Cvd-Reaktor mit Prozesskammerh Henstabilisierung
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 20.01.2005
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
24.08.2005
Cvd-Reaktor mit von einem Gasstrom Drehgelagerten und -Angetriebenen Substrathalter
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 25.10.2001
Erteilt am 24.08.2005
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
04.08.2005
Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben eines Dielektrischen Substrates und einer Dielektrischen Maske
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 13.12.2004
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
29.06.2005
Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 25.10.2001
Erteilt am 29.06.2005
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.06.2005
Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 31.08.2001
Erteilt am 22.06.2005
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
27.04.2005
Verfahren zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 01.12.2001
Erteilt am 27.04.2005
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
09.03.2005
Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Materialien mit Grosser Elektronischer Bandlücke und Grosser Bindungsenergie
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 24.08.2000
Erteilt am 09.03.2005
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
03.02.2005
Cvd-Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Iii-V-N-Schicht auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 24.06.2004
Anhängig
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.12.2004
Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Vorrichtung zur Durchf Hrung des Verfahrens
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 19.03.2003
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.12.2004
Vorrichtung zum Abscheiden von D Nnen Schichten auf einem Su Bstrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 13.03.2003
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
13.10.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere Organischer Schichten im Wege der Ovpd
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 22.09.2001
Erteilt am 13.10.2004
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.09.2004
Verfahren zum Abscheiden von Iii-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-Iii-V-Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 16.11.2002
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.09.2004
Verfahren zum Herstellen von Iii-V-Laserbauelementen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 15.11.2002
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.09.2004
Abdichtungsmittel und dessen Verwendung in Abscheidungsreaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 03.07.2000
Erteilt am 15.09.2004
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.09.2004
Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten
Verfahrens- & Trenntechnik
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 12.07.2001
Erteilt am 15.09.2004
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.09.2004
Verfahren zum Abscheiden von Iii-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-Iii-V-Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 11.12.2002
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
21.07.2004
Verfahren und Vorrichtung zur Dosierten Abgabe Kleiner Flüssigkeitsvolumenströme
Metallurgie & Oberflächentechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 10.11.2001
Erteilt am 21.07.2004
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
Wer vertritt Aixtron?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Aixtron vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
Zum Anmelder-Profil