Aixtron Logo

Aixtron Patente

🇩🇪 Deutschland

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

303
Patente
2000–2025
Anmeldejahre
26
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

Patente durchsuchen

303 gesamt
Patent
12.08.2009
Gaseinlassorgan F]r einen Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
20.05.2009
Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.03.2009
Cvd-Beschichtungsvorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
13.08.2008
Cvd-Reaktor mit Auswechselbarer Prozesskammerdecke
Metallurgie & Oberflächentechnik
06.08.2008
Hydrid Vpe Reaktor und Verfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
02.04.2008
Aus einem Tragkörper und Darauf Gasgelagerten und Drehangetriebenen Substrathalter Bestehende Anordnung
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.01.2008
Small volume symmetric flow single wafer ald apparatus
Verfahrens- & Trenntechnik
13.12.2007
Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Pulverförmigen Organischen Ausgangsstoffs
Metallurgie & Oberflächentechnik
22.11.2007
Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein Cvd- oder Rtp-Verfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.10.2007
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
05.09.2007
Vorrichtung zum Abscheiden Dünner Schichten mit Drahtloser Prozessparameter-Aufnahme
Metallurgie & Oberflächentechnik Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
28.03.2007
Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen eines in die Gasform Gebrachten Flüssigen Ausgangsstoffes in einen Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
07.02.2007
Reaktionskammer mit wenigstens einer Hf-Durchführung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
03.01.2007
Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
11.10.2006
Cvd-Vorrichtung mit Differenziert Temperiertem Substrathalter
Metallurgie & Oberflächentechnik
10.08.2006
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von aus mehreren Komponentenhalbleitern Bestehende Schichtenfolgen
Metallurgie & Oberflächentechnik
27.07.2006
Verfahren zum Selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen sowie Dazu Geeignete Ausgangsstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.07.2006
Vorrichtung zum Verdampfen von Kondensierten Stoffen
Metallurgie & Oberflächentechnik
22.06.2006
Verfahren zur Herstellung einer Elektrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.06.2006
Verfahren und Vorrichtung zur Schichtenabscheidung unter Verwendung von Nicht-Kontinuierlicher Injektion
Metallurgie & Oberflächentechnik
26.04.2006
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten
Metallurgie & Oberflächentechnik
29.03.2006
Prozesskammer mit Abschnittsweise Unterschiedlich Drehangetriebenem Boden und Schichtabscheideverfahren in einer Derartigen Prozesskammer
Metallurgie & Oberflächentechnik
29.03.2006
Maskenhaltevorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik
09.09.2005
Cvd-Reaktor mit Prozesskammerh Henstabilisierung
Metallurgie & Oberflächentechnik
24.08.2005
Cvd-Reaktor mit von einem Gasstrom Drehgelagerten und -Angetriebenen Substrathalter
Metallurgie & Oberflächentechnik
04.08.2005
Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben eines Dielektrischen Substrates und einer Dielektrischen Maske
Metallurgie & Oberflächentechnik
29.06.2005
Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem Cvd-Reaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
22.06.2005
Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Metallurgie & Oberflächentechnik
27.04.2005
Verfahren zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
09.03.2005
Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Materialien mit Grosser Elektronischer Bandlücke und Grosser Bindungsenergie
Metallurgie & Oberflächentechnik
03.02.2005
Cvd-Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Iii-V-N-Schicht auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
22.12.2004
Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Vorrichtung zur Durchf Hrung des Verfahrens
Metallurgie & Oberflächentechnik
15.12.2004
Vorrichtung zum Abscheiden von D Nnen Schichten auf einem Su Bstrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
13.10.2004
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere Organischer Schichten im Wege der Ovpd
Metallurgie & Oberflächentechnik
22.09.2004
Verfahren zum Abscheiden von Iii-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-Iii-V-Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
22.09.2004
Verfahren zum Herstellen von Iii-V-Laserbauelementen
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
15.09.2004
Abdichtungsmittel und dessen Verwendung in Abscheidungsreaktor
Metallurgie & Oberflächentechnik
15.09.2004
Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere Kristalliner Schichten auf insbesondere Kristallinen Substraten
Verfahrens- & Trenntechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
15.09.2004
Verfahren zum Abscheiden von Iii-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-Iii-V-Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.07.2004
Verfahren und Vorrichtung zur Dosierten Abgabe Kleiner Flüssigkeitsvolumenströme
Metallurgie & Oberflächentechnik Steuerungs- & Regelungstechnik

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen