Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Patente
🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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8.392 gesamt| Patent | |||
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25.05.2022
Verfahren zur Ortung eines Magnetischen Objekts
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 08.07.2016
Erteilt am 25.05.2022
Vertretung
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25.05.2022
Hilfslösung zur Visualisierung der Simulation eines Automatischen Belichtungsprozesses
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.05.2022
Methode zur Bestimmung des Wärmeausdehnungskoeffizienten einer Kristallinen Dünnschicht durch Beugung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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25.05.2022
Transistor mit Heteroübergang mit Verbessertem Elektronengas-Einschluss
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention relates to a high electron mobility heterojunction transistor (1), comprising: - a first GaN layer (13); - a second GaN layer (14) with P-type doping on the first layer, including Magnesium as a P-type dopant, with a concentration at least equal to 5 * 10<16>cm<-3>and at most equal to 2 * 10<18>cm<-3>, said second GaN layer (14) having a thickness of between 20 and 50 nm; - a third GaN layer (15) with N-type doping on the second GaN layer to form a depleted p/n junction; - a fourth GaN layer (16) not intentionally doped and on the third GaN layer; - a semiconductor layer (17) directly above the fourth GaN layer not intentionally doped to form an electron gas layer (18). |
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25.05.2022
Sram-/rom-Speicher, der durch Verbindungen zu den Versorgungsanschlüssen Rekonfigurierbar Ist
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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18.05.2022
Flugvorrichtung
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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18.05.2022
Verfahren zum Transfer einer Dünnschicht Mithilfe eines Präkeramischen Geladenen Polymers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.05.2022
Sensorbauteil mit Schwarzen Pixeln, und Verfahren zur Herstellung eines Solchen Bauteils
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.05.2022
Vorrichtung mit einer Hängenden Membran mit Erhöhter Verdrängungsamplitude
Optik & Fototechnik
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18.05.2022
Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung, die eine oder Mehrere Nanostrukturen Umfasst
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.05.2022
Künstliches Neuron für Neuromorphen Chip mit Resistiven Synapsen
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
L'invention porte sur un neurone artificiel pour puce neuromorphique comprenant une synapse à mémoire résistive représentative d'un poids synaptique. Le neurone artificiel comprend un circuit de lecture, un circuit d'intégration et un circuit logique interposé entre le circuit de lecture et le circuit d'intégration.Le circuit de lecture (CL3) est configuré pour imposer à la synapse une tension de lecture indépendante de la tension de membrane et pour fournir une grandeur analogique représentative du poids synaptique.Le circuit logique (LOG) est configuré pour générer à partir de ladite grandeur analogique une impulsion (Cmd_exci, Cmd_inhi) présentant ladite duréeLe circuit d'intégration comprend un accumulateur de poids synaptiques aux bornes duquel s'établit une tension de membrane (V<sub>mem</sub>) et un comparateur configuré pour émettre une impulsion postsynaptique en cas de franchissement d'un seuil par la tension de membrane. Il comprend par ailleurs une source de courant (SI<sub>exc</sub>, SI<sub>inhi</sub>) pilotée par ladite impulsion pour injecter un courant dans l'accumulateur de poids synaptiques pendant ladite durée. |
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12.05.2022
System-on-a-chip for binary tree summation of floating values
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 14.10.2021
Anhängig
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12.05.2022
Display device comprising a hybrid technology stack
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.10.2021
Anhängig
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11.05.2022
Festbett-Röhrenreaktor
Verfahrens- & Trenntechnik
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11.05.2022
Gelenk für Mikro- und Nanoelektrische Systeme mit Bewegungen Ausserhalb der Ebene, das eine Reduzierte Nichtlinearität Ermöglicht
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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11.05.2022
Verfahren zur Herstellung eines Werkstücks aus einer Aluminiumlegierung durch Additive Fertigung aus einem Pulvergemisch, das ZRSI2-Teilchen Enthält
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 20.10.2021
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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11.05.2022
Mikroelektromechanische Und/oder Nanoelektromechanische Vorrichtung mit Bewegung Ausserhalb der Ebene, die mit Kapazitiven Mitteln zur Änderung der Oberfläche Ausgestattet Ist
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11.05.2022
Verfahren zum Clustern von Cache-Servern in einem Mobilen Edge-Computing-Netzwerk
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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11.05.2022
Verfahren zur Ausführung eines Computerprogramms durch einen Elektronischen Computer, der einen Hauptspeicher und einen Sekundärspeicher Umfasst
Software & Datenverarbeitung
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11.05.2022
Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Ladungsträgereinfangstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.05.2022
Poröse Elektrolytmembran, Herstellungsverfahren dafür und Elektrochemische Vorrichtungen damit
Verfahrens- & Trenntechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.05.2022
Halbleiterstruktur mit einer Unterirdischen Porösen Schicht für Hf-Anwendungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.05.2022
Verfahren zur Charakterisierung einer Biologischen Probe durch Tandem-Massenspektrometrie
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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04.05.2022
Anpassungsverfahren der Lichtextraktionseffizienz einer Leuchtdiode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.05.2022
Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Einphasigem Oxid (fe, CR)2 O3 mit einer Rhomboedrischen Struktur auf einem Substrat aus Stahl oder einer Superlegierung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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04.05.2022
Schaltung zur Steuerung der Eingangsimpedanz einer Rekuperator-Schnittstelle
Elektrische Energietechnik
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04.05.2022
Oberflächenfunktionalisierungsverfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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04.05.2022
Led-Beleuchtungsvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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04.05.2022
Vorrichtung zur Bestimmung der Masse eines in einem Fluid suspendierten oder gelösten Partikels
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 07.03.2014
Erteilt am 04.05.2022
Vertretung
Ilgart, Jean-Christophe · Paris
Brevalex · Courbevoie
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04.05.2022
Herstellungsverfahren einer Optoelektronischen Vorrichtung mit Diodenmatrix
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.05.2022
Lichtemissionsvorrichtung mit mindestens einem Vcsel und einer Streulinse
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.05.2022
Verfahren und System zur Kommunikation zwischen Zwei Geräten
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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04.05.2022
Verfahren zur Reduzierung der Spitzenleistung eines Mehrträger-Reflektometriesignals
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 11.06.2020
Anhängig
Vertretung
Atout PI Laplace · Paris
Marks & Clerk France · Arcueil
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04.05.2022
Spekulative Speicherabfrage eines Zentralspeichers eines Multiprozessorsystems
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.05.2015
Erteilt am 04.05.2022
Vertretung
Argyma · Toulouse
Santarelli · Paris La Défense
Zusammenfassung
Procédé d'accès à une donnée dans un système multiprocesseur, comportant les étapes suivantes: - de réception par un module de gestion de mémoire cache, d'une requête initiale relative à l'accès par un processeur à une donnée, - de premier envoi d'au moins une première requête à destination d'au moins une mémoire cache concernant ladite donnée, - de deuxième envoi, en parallèle au premier envoi, d'au moins une deuxième requête à destination d'un module de gestion de mémoire centrale concernant ladite donnée, - de vérification, par ledit module de gestion de mémoire centrale, pour déclencher ou non l'interrogation d'une mémoire centrale, et - d'interrogation ou non, par ledit module de gestion de mémoire centrale, de ladite mémoire centrale en fonction de ladite vérification. |
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04.05.2022
Verfahren und Vorrichtung zur Datensicherung in einer IT-Infrastruktur, die Funktionen zur Wiederinbetriebnahme umfasst
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 30.04.2014
Erteilt am 04.05.2022
Vertretung
Argyma · Toulouse
Santarelli · Paris La Défense
Zusammenfassung
L'invention a notamment pour objet la sauvegarde de données dans une infrastructure informatique offrant des fonctions de reprise d'activité. A ces fins, un système de sauvegarde est pourvu d'au moins un premier (405-1) et un second (405-2) ensembles de moyens de stockage et d'au moins un premier (CTL 1 ) et un second (CTL 2 ) contrôleurs de mémoire associés auxdits premier et second moyens de stockage, respectivement. Le système de sauvegarde est en outre pourvu d'un microcontrôleur (µP) configuré pour dupliquer un flux de commandes et de données à destination dudit premier contrôleur de mémoire vers ledit second contrôleur de mémoire dans un mode d'utilisation normale permettant une réplication locale de données dans ledit second ensemble de moyens de stockage et pour adresser un flux de commandes et de données distincts à chacun desdits premier et second contrôleurs de mémoire dans un mode de réplication à distance. |
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04.05.2022
Verfahren für Katalysatorfreies Selektives Wachstum einer Sinx-Schicht auf einer Gan-Halbleiterdrahtstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.04.2012
Erteilt am 04.05.2022
Vertretung
Ahner, Philippe · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
Zusammenfassung
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04.05.2022
Einkapselungsverfahren einer Mikroelektronischen Vorrichtung mit Dünnen oder Ultradünnen Substraten, die Leicht Handhabbar Sind
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
Procédé d'encapsulation d'un dispositif microélectronique (300) comprenant les étapes successives suivantes :a) fourniture d'un substrat de support (200), comprenant une première face principale sur laquelle est disposé un dispositif microélectronique (300), une seconde face principale, et une face latérale,b) dépôt d'une couche de collage (500) sur la première face du substrat (200),c) positionnement d'un capot d'encapsulation (400) comprenant une première face principale, une seconde face principale, et une face latérale, sur la couche de collage (500),d) dépôt d'une couche de protection latérale (600) sur :- la face latérale et le pourtour de la seconde face du substrat de support (200),- la face latérale et le pourtour de la seconde face du capot d'encapsulation (400),- la couche de protection latérale (600) délimitant une zone protégée,e) amincissement de la seconde face principale du substrat de support (200) et/ou de la seconde face principale du capot d'encapsulation (400) en dehors de la zone protégée. |
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04.05.2022
Ladungsausgleichssysteme für Batterien
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 07.03.2012
Erteilt am 04.05.2022
Vertretung
Zusammenfassung
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04.05.2022
Verfahren zur Behandlung von durch Prionen Kontaminierten Oberflächen
Medizintechnik & Gesundheit
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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Zusammenfassung
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04.05.2022
Kondensator mit Variabler Kapazität, der eine Materialschicht mit Zustandsveränderung Umfasst, und Verfahren zur Variation der Kapazität eines Kondensators
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.12.2015
Erteilt am 04.05.2022
Vertretung
Zusammenfassung
L'invention concerne un condensateur électrique à capacité variable comprenant une première électrode (2) et une deuxième électrode (5) en regard de la première électrode et une zone d'un matériau diélectrique (10) disposée entre lesdites première et deuxième électrodes (5) caractérisé en ce que la deuxième électrode (5) est formée pour une part d'une électrode primaire (6) en un matériau électriquement conducteur et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle (7) comprenant un matériau à changement d'état (8), l'électrode primaire (6) et l'électrode additionnelle (7) étant en regard de la première électrode, ledit matériau à changement d'état (8) étant disposé au moins partiellement au contact de l'électrode primaire (6) et configurée pour prendre alternativement un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle (7) est isolée électriquement de l'électrode primaire (6) et un état faiblement résistif dans lequel l'électrode additionnelle (7) est en conduction électrique avec l'électrode primaire (6) de sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode (5). |
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Wer vertritt Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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