CSMC Technologies Fab2 Logo

CSMC Technologies Fab2 Patente

🇨🇳 China

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392
Patente
2010–2025
Anmeldejahre
16
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

Patente durchsuchen

392 gesamt
Patent
28.06.2012
Voltage Comparator
WO2012083781
Elektronik & Schaltungstechnik
28.06.2012
Double-Diffusion Metal-Oxide Semiconductor Devices
WO2012083783
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.06.2012
Semiconductor device and method for fabricating the same
WO2012083784
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.06.2012
Trench mosfet device and method for fabricating the same
WO2012079456
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.06.2012
Ldmos device and fabrication method thereof
WO2012079458
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.06.2012
Reference Power Supply Circuit
WO2012079454
Steuerungs- & Regelungstechnik
14.06.2012
Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same
WO2012075905
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.06.2012
Method for manufacturing metal-oxide-semiconduct or field-effect transistors
WO2012071990
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.06.2012
Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012071987
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.06.2012
Method for manufacturing dual-gate oxide semiconductor devices
WO2012071986
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.06.2012
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) and method for fabricating the same
WO2012072020
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.06.2012
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method for manufacturing the same
WO2012071988
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.05.2012
Ldmos device and method for fabricating the same
WO2012065485
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.05.2012
Ldmos device and method for fabricating the same
WO2012065514
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.05.2012
Vdmos device and method for fabricating the same
WO2012065515
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
18.05.2012
Method for manufacturing double-gate structures
WO2012062175
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
19.04.2012
Method for fabricating small-scale mos device
WO2012048624
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.04.2012
Kompatibler Vertikaler Halbleitertransistor aus Doppelt Diffundiertem Metalloxid und Seiten-Halbleitertransistor aus Doppelt Diffundiertem Metalloxid sowie Herstellungsverfahren dafür
EP2437288
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
22.03.2012
Mos Transistor
WO2012034371
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
22.03.2012
Trench Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Transistor
WO2012034372
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
22.03.2012
High-voltage mos device and method for manufacturing the same
WO2012034515
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
15.03.2012
Mos device and fabricating method thereof
WO2012031546
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
08.03.2012
Ldmos device and method for manufacturing the same
WO2012028077
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
08.03.2012
Semiconductor device and method for fabricating semiconductor buried layer
WO2012028110
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
08.03.2012
Semicondunctor device and method of fabricating the same
WO2012028109
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
29.12.2011
Vdmos device and manufacturing method thereof
WO2011160591
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
09.06.2011
N type lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011066802
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
09.06.2011
Bipolar transistor and method for manufacturing the same
WO2011066800
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
09.06.2011
Ultra-shallow junction and method for forming the same
WO2011066786
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
05.05.2011
Formation method of fuse structure
WO2011050711
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.04.2011
Semiconductor device structure and method for manufacturing the same
WO2011044833
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.03.2011
Method for fabricating trench dmos transistor
WO2011035727
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Wer vertritt CSMC Technologies Fab2?

Die Kanzleien und Patentanwälte, die CSMC Technologies Fab2 vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.

Zum Anmelder-Profil

Technologiefelder

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
307
Elektronik & Schaltungstechnik
19
Optik & Fototechnik
17
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
14
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
10
Elektrische Energietechnik
9
Akustik, Musik & Datenspeicherung
8
Steuerungs- & Regelungstechnik
4
Software & Datenverarbeitung
3
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
2

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen