CSMC Technologies Fab2 Logo

CSMC Technologies Fab2 Patente

🇨🇳 China

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392
Patente
2010–2025
Anmeldejahre
16
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

Patente durchsuchen

392 gesamt
Patent
28.07.2022
Differential-capacitance type mems microphone and manufacturing method therefor
WO2022156200
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
07.07.2022
Eeprom device and method for manufacturing same
WO2022142531
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.07.2022
Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022142532
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.07.2022
Mems microphone and diaphragm structure thereof
WO2022142507
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
07.07.2022
Semiconductor device
WO2022142370
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.07.2022
Test structure for floating source contact etching process and monitoring method
WO2022142372
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.07.2022
Semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022142371
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.07.2022
Electronic device, and semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022142339
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.07.2022
Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022142229
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
30.06.2022
Semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022134571
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
09.06.2022
Optical proximity effect correction method and system and mask
WO2022116586
Optik & Fototechnik
02.06.2022
Optical proximity correction method, mask, and readable storage medium
WO2022110902
Optik & Fototechnik
02.06.2022
Method for manufacturing semiconductor device, and shield gate trench device
WO2022110889
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
02.06.2022
Semiconductor Memory
WO2022110636
Akustik, Musik & Datenspeicherung
02.06.2022
Semiconductor Memory
WO2022110639
Akustik, Musik & Datenspeicherung
25.05.2022
Bipolarer Transistor mit Seitlichem Isoliertem Gate und Herstellungsverfahren dafür
EP3474330
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
25.05.2022
Vdmos-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP3499581
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
18.05.2022
Seitlich Diffundiertes Metalloxid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP3998638
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
05.05.2022
Semiconductor electrostatic protection device
WO2022088619
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.05.2022
Herstellungsverfahren eines Bipolaren Transistors mit Isoliertem Gate
EP3043387
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.04.2022
Manufacturing method for split-gate trench mosfet
WO2022083076
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.03.2022
Thermopile array and signal reading circuit therefor
WO2022062463
Elektronik & Schaltungstechnik
31.03.2022
Preparation method for semiconductor structure, and semiconductor structure
WO2022062373
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
10.03.2022
Laterally-diffused metal-oxide semiconductor apparatus and preparation method therefor, and electronic device
WO2022048163
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
03.03.2022
Split-gate flash memory device and preparation method therefor, and electronic device
WO2022041768
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
03.02.2022
Semiconductor Inductance Structure
WO2022021945
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
27.01.2022
Semiconductor device
WO2022016935
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
27.01.2022
Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
WO2022017110
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.01.2022
Trench mos barrier schottky diode device and manufacturing method therefor
WO2022007488
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.01.2022
Semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022001519
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.01.2022
Semiconductor device
WO2022001030
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.01.2022
Capacitive pressure sensor and method for manufacturing same
WO2022001029
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
02.12.2021
Trench sidewall gate with lead-out structure, and method for manufacturing same
WO2021238197
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
25.11.2021
Semiconductor device
WO2021232809
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
25.11.2021
Trench gate igbt device and preparation method therefor
WO2021232810
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.11.2021
Manufacturing method for trench of bcd device, and bcd device
WO2021218219
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.11.2021
Bias current generation circuit and flash memory
WO2021218160
Steuerungs- & Regelungstechnik
03.11.2021
Heteroübergangshalbleiterbauelement mit Niedrigem Einschaltwiderstand
EP3905339
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.10.2021
Silicon carbide device and preparation method therefor
WO2021212864
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.10.2021
Semiconductor device and fabrication method therefor
WO2021196758
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Wer vertritt CSMC Technologies Fab2?

Die Kanzleien und Patentanwälte, die CSMC Technologies Fab2 vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.

Zum Anmelder-Profil

Technologiefelder

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
307
Elektronik & Schaltungstechnik
19
Optik & Fototechnik
17
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
14
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
10
Elektrische Energietechnik
9
Akustik, Musik & Datenspeicherung
8
Steuerungs- & Regelungstechnik
4
Software & Datenverarbeitung
3
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
2

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen