Institut Polytechnique de Grenoble

L'invention concerne une mémoire (100) comprenant : - une électrode conductrice principale (120) formant une cathode ; - une électrode conductrice secondaire (130) formant une anode ; et - une couche ferroélectrique semiconductrice (110) formant une couche active, disposée entre la cathode et l'anode (120, 130), la couche active (110) présentant une polarisation ferroélectrique (111) présentant une pluralité d'états stables, la cathode (120) formant un contact principal avec la couche active (110), la résistance du contact principal variant de façon strictement monotone en fonction de la polarisation ferroélectrique (111), le comportement du contact principal formant, en fonction de la polarisation ferroélectrique (111) : - un contact ohmique pour un premier état stable de la pluralité d'états stables ; et - un contact Schottky pour au moins un deuxième état stable de la pluralité d'états stables, la couche active (110) étant dégénérée et présentant une bande d'énergie interdite inférieure à 1,5 eV.

The invention has for object a memory cell (100) comprising a spin-orbit ferroelectric memory (110) comprising a first, second and third terminals (121, 122, 123), the memory (110) having a spontaneous electrical polarisation able to adopt two distinct states, the first, second, and third terminals (121, 122, 123) being connected to the memory in a way that a first charge current flows (11) in the second terminal (122) when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123), the amplitude and sign of the charge current being function of the voltage applied between the first and third terminals (121, 123) and function of the spontaneous electrical polarisation. The cell (100) comprises an isolation component (130) connected to the second terminal (122) and configured to prevent charge currents from flowing in the second terminal (122) towards the memory (110) when no voltage is applied between the first and third terminals (121, 123) and to allow charge currents to flow in the second terminal and from the memory when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123).

L'invention a pour objet un Générateur (D1) de bit probabiliste (p-bit) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un circuit de polarisation (POL) configuré pour injecter un courant de commande (Ic) à travers la jonction tunnel magnétique variable selon une première tension d'entrée (V<in1>) ; le circuit de polarisation (POL) comprenant : ∘ un transistor de contrôle (T<1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique entre deux nœuds d'alimentation et comprenant une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) formant une grille arrière (G2,<T1>) ; - des moyens de contrôle (CONT) configurés pour appliquer la première tension d'entrée (V<in1>) sur ladite grille arrière; - un circuit de détection (DET) configuré pour générer un signal de détection (s1) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique.

L'invention concerne un transistor (10) non-volatil comprenant une couche semi-conductrice ferroélectrique (11) comprenant un domaine ferroélectrique (12) présentant une polarisation électrique spontanée (13) pouvant prendre une pluralité d'états distincts, une source (14), une grille (15) et un drain (16). La source (14), la grille (15) et le drain (16) sont distants les uns des autres et agencés de sorte qu'un potentiel électrique appliqué entre la source (14) et la grille (15) applique un champ électrique sur le domaine ferroélectrique (12), le drain (16) étant en contact électrique avec la couche ferroélectrique (11), la source (14) formant, avec la couche ferroélectrique (11), une barrière Schottky (17) au niveau d'une interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) présentant une résistance électrique fonction de la polarisation électrique (13), le transistor étant tel que la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) est dégénérée au niveau de l'interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) et la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) présente une conductivité électrique indépendante de la polarisation spontanée (13).

La présente description concerne un dispositif (300) de mesure d'un champ magnétique (B) émis par un objet (100) comprenant un capteur matriciel (304) comprenant une matrice de capteurs magnétiques (302) configurés pour acquérir des mesures successives du champ magnétique, une charge commandable (314) destinée à être connectée électriquement à l'objet (100), et un module (216) configuré pour commander la charge commandable (314) pour faire varier le courant circulant dans l'objet (100) au cours des acquisitions des mesures successives du champ magnétique et pour recevoir les mesures successives du champ magnétique.

La présente description concerne un commutateur (200) à base d'un matériau à changement de phase, comprenant :- une région (107) en ledit matériau à changement de phase reliant des première (101A) et deuxième (101B) électrodes de conduction du commutateur ; et- un réseau de couplage (201) d'un signal laser d'activation du commutateur, situé en vis-à-vis d'une face de la région (107) en ledit matériau à changement de phase.

The invention relates to a photonic device (1) comprising a waveguide (10) in which light is dedicated to propagate along a main optical propagation direction (A), said waveguide comprising a central portion (10c) extending along the propagation direction. The device further comprises a phase change material (PCM) patch (20) disposed on the waveguide, wherein the PCM patch is dedicated to be heated. The device further comprises at least one heat sink (100) configured to drain heat from the PCM patch when heated, said heat sink being distinct from the central portion of the waveguide and having a thermal conductivity greater than or equal to that of the waveguide. Another aspect of the invention relates to a photonic system comprising said photonic device.

The present invention relates to a method of evaluating the interactions between a layer of silicone oil deposited on a substrate and a compound of interest which is contained in a solution, said solution being in contact with the silicone oil, which comprises the following steps: 1) preparing a mixture containing the silicone oil and an evaporable solvent, 2) contacting the mixture with the substrate, 3) evaporating the solvent to obtain a substrate coated with a layer of the silicone oil, 4) contacting the layer of the silicone oil with the solution, 5) evaluating at least one of the following parameters i), ii) and iii) : i) the adsorption of the compounf of interest on the layer of the silicone oil, ii) the degradation of the compound of the interest, iii) the degradation of the layer of the silicone oil.

L'invention concerne un procédé de brouillage acoustique pour brouiller un signal acoustique d'intérêt (S_v) de fréquence comprise entre 20 Hz et 20 kHz, comportant la génération et l'émission d'au moins un signal de commande électrique (S_xe) comportant au moins une première composante ayant une fréquence f₁ égale ou supérieure à 20 kHz, et une deuxième composante ayant une fréquence f₂ égale ou supérieure à 20 kHz, la conversion du signal de commande électrique (S_xe) en un signal acoustique ultrasonore chaotique (S_ac), l'émission du signal acoustique ultrasonore chaotique (S_ac), la captation du signal acoustique ultrasonore chaotique (S_ac) conjointement avec le signal acoustique d'intérêt (S_v), la conversion des signal (S_ac) et (S_v) en un signal brouillé (S_e) basse fréquence et large, et l'émission du signal brouillé (S_e) basse fréquence et large. Elle concerne également un système de brouillage.

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