Intel Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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8.816 gesamt| Patent | |||
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03.07.2025
Hybride Silizium-Quantenpunktlaser (hsqdl) mit Reduziertem Thermischem Widerstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Auf Neuronalem Netzwerk Basierte Systeme für Hochgeschwindigkeitsdatenverbindungen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 23.02.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Ip-Multimedia-Subsystem und -Methode für die Reparatur von Mbms-Dateien unter Verwendung von Http-Servern
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 22.01.2013
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Optimierte Compute-Hardware für Operationen des Maschinellen Lernens
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 30.04.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Berechnungsoptimierungen für Maschinelle Lernvorgänge mit Geringer Genauigkeit
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 26.03.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
System, Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung einer Symmetrischen Mehrprozessor-Hochgeschwindigkeitsverbindung
Software & Datenverarbeitung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.05.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Verteilte Konvolution für Neuronale Netzwerke
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 18.12.2017
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Punktrasternetz mit Lernfähiger Semantischer Netztransformation
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Kopfarchitektur für Tiefe Neuronale Netzwerke (dnn)
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Physische Tastaturen für Rechenvorrichtungen mit mehreren Anzeigen
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 04.09.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Trainieren eines Neuronalen Netzwerks durch Injektion von Many-To-One-Wissen
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Latenzoptimierte Mechanismen zur Handhabung von Fehlern oder Fehlgeleiteten Paketen für Rechnerbusse
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 25.11.2020
Erteilt am 02.07.2025
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02.07.2025
Verfahren und Vorrichtungen für Intelligente Transportsysteme in einem Fahrzeug
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 27.12.2023
Anhängig
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02.07.2025
Verfahren und Vorrichtungen für Funkkommunikationsnetzwerke
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 27.12.2023
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Doppelseitige Vorrichtungskontakte und Durchkontaktierungen für Leistungs- und Layoutvorteile
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Intelligente Erfassung von Bildschirminhaltsaktualisierungen zur Benutzerkontextverarbeitung
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Handshake für Regulatorische Konformität von Funkgeräten
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 28.12.2023
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Verfahren und Anordnungen für einen Rauscharmen Verstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.07.2025
Technologien für Generative Ki für Lagerkommissionierung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Erzeugung einer Halbleiterteststruktur auf der Basis einer Lithographischen Simulation
Optik & Fototechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Speicherintegrierter Selbsttest (mbist) und Bist-Adaptiver Port (bap) für Periodische In-Feld-Tests
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Zusammenfassung
A BIST (built-in self-test) adaptive port (BAP) interface enables an in-field MBIST (memory BIST). The BAP enables non-destructive testing of the memory locations. The BAP includes registers to store contents of the memory device during the in-field MBIST on the memory device. The BAP can store the starting address of the next infield periodic testing and operational data from a selected memory address in the registers while the MBIST controller performs the test on the memory address. The system can then restore the operational contents of the memory after the test is complete. |
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Unterschiedlichen Epitaktischen Source- oder Drain-Strukturen und Bauelementetypen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Integrated circuit structures having varied epitaxial source or drain structures and device types are described. In an example, an integrated circuit structure includes a first plurality of horizontally stacked nanowires laterally spaced apart from a second plurality of horizontally stacked nanowires, each of the second plurality of horizontally stacked nanowires having a lateral width less than a lateral width of each of the first plurality of horizontally stacked nanowires. First epitaxial source or drain structures are at ends of the first plurality of horizontally stacked nanowires, each of the first epitaxial source or drain structures having a maximum lateral width. Second epitaxial source or drain structure are at ends of the second plurality of horizontally stacked nanowires, each of the second epitaxial source or drain structures having a maximum lateral width greater than the maximum lateral width of each of the first epitaxial source or drain structures. |
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02.07.2025
Grabenkondensator in einer Verbindungsregion
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Techniques are provided herein for forming one or more MIM trench capacitors in the interconnect region above the device layer of an integrated circuit. In an example, the MIM trench capacitor(s) are formed within one of the upper interconnect layers of the interconnect region, and thus can have a relatively high height (e.g., greater than about 200 nm). An interconnect layer included in a stack of interconnect layers includes a MIM capacitor having a first electrode (206), a capacitor dielectric (210) on the first electrode, and a second electrode (212) on the capacitor dielectric. The MIM capacitor runs along the outside surface of a plurality of dielectric fins (204), which greatly increases the surface area of the capacitor within a relatively small plan footprint. The first and second electrodes may connect with one or more topside contacts (216, 218) and/or one or more buried conductive lines (220, 222). |
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Rückseitenkontakterweiterung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Integrated circuit structures having backside contact extensions are described. In an example, a structure includes a first and second pluralities of horizontally stacked nanowires or fins. First and second gate stacks are over the first and second pluralities of horizontally stacked nanowires or fins. An epitaxial source or drain structure is between the first and second pluralities of horizontally stacked nanowires or fin. A dielectric structure is over the first gate stack, over the second gate stack, and over the epitaxial source or drain structure, the dielectric structure having an opening over the epitaxial source or drain. A conductive structure is in the opening in the dielectric structure and on the epitaxial source or drain structure, the conductive structure having a top surface below a top of the opening. A conductive extension is on the conductive structure, the conductive extension in and protruding above the opening in the dielectric structure. |
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02.07.2025
Isolationswände mit Luftspalt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Softwaredefinierte Superkerne
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Verbesserung der Transistorleistung für Gestapelte Vorrichtungen mit Selektiven Vorder- und Rückseitenkontaktmetallen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Devices, transistor structures, systems, and techniques are described herein related to selective front and backside contacts for stacked transistor devices. A transistor structure includes stacked first and second semiconductor structures with stacked first and second conductivity type source and drain structures coupled to the first and second semiconductor structures, respectively. A selective metal is on the frontside of first conductivity type source and a different metal is on the backside of the second conductivity type source. A deep via optionally having yet a different metal couples the frontside contact to backside metallization over the backside contact. |
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02.07.2025
Vorrichtung, Verfahren und System zur Bestimmung eines Kreditbasierten Zugriffs auf eine Gemeinsame Schaltungsressource
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Entwurf für Test (dft) und Entwurf für Debug (dfd)-Gesteuerte Leistungsdomänen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Abstimmbare Kaskadierte Mach-Zehnder-Interferometerstrukturen
Optik & Fototechnik
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02.07.2025
Intelligentes Heimfunktionsbewusstsein für Benutzeraufgaben
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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02.07.2025
Breitbandantennen für Drahtlose Rundfunkkanäle zwischen Chiplet-, Chip-, Gehäuse- oder Leiterplatten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.11.2024
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Vorrichtungen und Verfahren zur Einhaltung von Cybersicherheitsanforderungen von Hardware- und Softwarekomponenten
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 15.11.2024
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Io-Fabric-Leistungsverwaltung
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Verschachtelte Architekturen zur Erhöhten Heterogenen Integration
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.02.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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02.07.2025
Cachespeicherung zur Änderung der Namen von Registern
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Prozessoren, Verfahren, Systeme und Anweisungen zum Speichern und Wiederherstellen eines Geschützten Ausführungsumgebungskontexts
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Asymmetrischen Epitaktischen Source- oder Drain-, sowie Spacer- Anordnungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Streaming-Fabric-Schnittstelle
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 25.08.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Schnittstellenbrücke zwischen Integriertem Schaltungschip
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 14.12.2017
Anhängig
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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Wer vertritt Intel?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Intel vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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