International Rectifier Patente
🇺🇸 USA
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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427 gesamt| Patent | |||
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22.12.2021
Steuer-Chip mit Spannungspegel-Umsetzern für einen Wechselrichter
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2013
Erteilt am 22.12.2021
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
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10.11.2021
Leistungswandlergehäuse mit Integriertem Induktorausgang
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2015
Erteilt am 10.11.2021
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
In one implementation, a semiconductor package includes a first patterned conductive carrier including partially etched segments. The semiconductor package also includes a control FET having a control drain attached to a first partially etched segment of the first patterned conductive carrier. In addition, the semiconductor package includes a sync FET having a sync source and a sync gate attached to respective second and third partially etched segments of the first patterned conductive carrier. The semiconductor package further includes a second patterned conductive carrier having a switch node segment situated over a control source of the control FET and over a sync drain of the sync FET, as well as an inductor coupled between the switch node segment and an output segment of the second patterned conductive carrier. |
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04.08.2021
III-Nitrid-Leistungsbauelement mit lötbarem Frontmetall
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.02.2011
Erteilt am 04.08.2021
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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14.07.2021
Kompaktes Leistungshalbleitergehäuse
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.09.2015
Erteilt am 14.07.2021
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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05.05.2021
Open Source Power-Quad-Flat-No-Lead-(PQFN)-Leitungsrahmen
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.01.2014
Erteilt am 05.05.2021
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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25.11.2020
Leistungswandlerpackung mit Top-Drain-konfiguriertem Leistungs-FET
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.09.2013
Erteilt am 25.11.2020
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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11.11.2020
Schützende Grenzschicht für Halbleitervorrichtungselektroden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.09.2006
Erteilt am 11.11.2020
Vertretung
Feldkamp, Rainer · München
Weitzel, Wolfgang · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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16.09.2020
Halbleitergehäuse mit einer Übertemperaturschutzschaltung unter Verwendung mehrfacher Temperaturschwellwerte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2014
Erteilt am 16.09.2020
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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24.06.2020
BondWireless-Strommodul mit dreidimensionalem Strom-Routing
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.03.2012
Erteilt am 24.06.2020
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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27.05.2020
Effiziente Schaltkreise zum Schalten hoher Spannungen und monolithische Integration dieser Schaltkreise
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.02.2011
Erteilt am 27.05.2020
Vertretung
Zeitler, Stephan · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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29.04.2020
Verstärkungsmodus-Transistoren aus einem Nitrid der Gruppe III mit dielektrischer Struktur mit einem einzigen Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.02.2011
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Zeitler, Stephan · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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08.04.2020
Steuerung und Treiberschaltungen auf einem Power-Quad-Flat-No-Lead-(PQFN) Leiterrahmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2014
Erteilt am 08.04.2020
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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25.03.2020
Oberflächenmontierbare Leistungskomponenten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.09.2013
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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18.03.2020
Halbleiterpackung mit leitfähigen trägergekoppelten Leistungsschaltern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.09.2013
Erteilt am 18.03.2020
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
In one implementation, a semiconductor package including conductive carrier coupled power switches includes a first vertical FET in a first active die having a first source and a first gate on a source side of the first active die and a first drain on a drain side of the first active die. The semiconductor package also includes a second vertical FET in a second active die having a second source and a second gate on a source side of the second active die and a second drain on a drain side of the second active die. The semiconductor package includes a conductive carrier attached to the source side of the first active die and to the drain side of the second active die, the conductive carrier coupling the first source to the second drain. |
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04.03.2020
Gestapeltes Halbbrückenleistungsmodul
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.06.2012
Erteilt am 04.03.2020
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
According to an exemplary embodiment, a stacked half-bridge power module includes a high side device having a high side power terminal coupled to a high side substrate and a low side device having a low side power terminal coupled to a low side substrate. The high side and low side devices are stacked on opposite sides of a common conductive interface. The common conductive interface electrically, mechanically, and thermally couples a high side output terminal of the high side device to a low side output terminal of the low side device. The high side device and the low side device can each include an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) in parallel with a diode. |
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20.11.2019
Herstellungsverfahren eines Gehäuses eines auf einer Kaskodenschaltung mit einem III-Nitrid-Bauelement basierenden Hochspannung-Gleichrichters mit geätztem Leiterrahmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 10.04.2012
Erteilt am 20.11.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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16.10.2019
Doppelkammerhalbleiterpaket
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2012
Erteilt am 16.10.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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04.09.2019
Integrierte Doppelstromwandlerpackung mit internem Antrieb IC
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.02.2013
Erteilt am 04.09.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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24.07.2019
Motorstromrekonstruktion über Gleichstrombusstrommessung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 28.03.2003
Erteilt am 24.07.2019
Vertretung
Weitzel, Wolfgang · Heidenheim
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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17.07.2019
Doppelstromwandlerpackung mit externem Antrieb IC
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.02.2013
Erteilt am 17.07.2019
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
A dual power converter package is disclosed. The package includes a leadframe having a first control FET paddle configured to support a drain of a first control FET, and a second control FET paddle configured to support a drain of a second control FET. The leadframe further includes a sync FET paddle configured to support a source of a first sync FET and a source of a second sync FET, and a first plurality of contacts configured to receive control signals for each of the control FETs and each of the sync FETs from a driver integrated circuit (IC) external to the leadframe. The leadframe may additionally include first and second switched nodes, configured for electrical connection to the first control FET and the first sync FET via a first clip, and to the second control FET and the second sync FET via a second clip, respectively. |
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17.07.2019
Gestapelte Halbbrückenverpackung mit einer stromführenden Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.12.2011
Erteilt am 17.07.2019
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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12.06.2019
Gestapelte Vorrichtung mit einem Gruppe-III-V-Transistor und einem lateralen Gruppe-IV-Transistor in einer zusammengesetzten Konfiguration
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2012
Erteilt am 12.06.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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12.06.2019
Gestapelte Halbbrückenverpackung mit gängigem leitfähigem Clip
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.12.2011
Erteilt am 12.06.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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22.05.2019
Stress-modulierte Gruppe III-V-Halbleitervorrichtung und zugehöriges Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.11.2011
Erteilt am 22.05.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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08.05.2019
Vorrichtungen aus Galliumnitridmaterial mit rückseitigen Kontaktlöchern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2019
Halbleiterbauelemente auf Galliumnitridmaterialbasis mit Thermisch Leitfähigen Regionen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.03.2019
Gehäuse eines auf einer Kaskodenschaltung mit einem III-Nitrid-Bauelement basierenden Hochspannung-Gleichrichters mit gestanztem Leiterrahmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 10.04.2012
Erteilt am 06.03.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Some exemplary embodiments of high voltage cascoded III-nitride semiconductor package with a stamped leadframe have been disclosed. One exemplary embodiment comprises a III-nitride transistor (230) having a cathode of a diode (220) stacked atop a source of the III-nitride transistor, and a stamped leadframe comprising a first bent lead (212b) coupled to a gate of the III-nitride transistor and the anode of the diode, and a second bent lead (212a) coupled to a drain of the III-nitride transistor. The bent leads expose respective flat portions that are surface mountable. In this manner, reduced package footprint, improved surge current capability, and higher performance may be achieved compared to conventional wire bonded packages. Furthermore, since multiple packages may be assembled at a time, high integration and cost savings may be achieved compared to conventional methods requiring individual package processing and externally sourced parts. |
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27.02.2019
Power-Quad-Flat-No-Lead-Halbleiterpaket mit Mehrchip-Modul mit einem Leitungsrahmen für elektrische Verbindungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.05.2011
Erteilt am 27.02.2019
Vertretung
Weitzel, Wolfgang · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Some exemplary embodiments of a multi-chip module (MCM) power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package utilizing a leadframe for electrical interconnections have been disclosed. One exemplary embodiment comprises a PQFN semiconductor package comprising a leadframe, a driver integrated circuit (IC) coupled to the leadframe, a plurality of vertical conduction power devices coupled to the leadframe, and a plurality of wirebonds providing electrical interconnects, including at least one wirebond from a top surface electrode of one of the plurality of vertical conduction power devices to a portion of the leadframe, wherein the portion of the leadframe is electrically connected to a bottom surface electrode of another of the plurality of vertical conduction power devices. In this manner, efficient multi-chip circuit interconnections can be provided in a PQFN package using low cost leadframes. |
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13.02.2019
Gruppe-III-IV- und Gruppe-IV-Verbundschalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.03.2013
Erteilt am 13.02.2019
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
In one implementation, a group III-V and group IV composite switch includes a group IV transistor in a lower active die, the group IV transistor having a source and a gate situated on a bottom side of the lower active die. The group III-V and group IV composite switch also includes a group III-V transistor in an upper active die stacked over the lower active die, the group III-V transistor having a drain, a source, and a gate situated on a top side of the upper active die. The source of the group III-V transistor is electrically coupled to a drain of the group IV transistor using a through-semiconductor via (TSV) of the upper active die. |
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30.01.2019
Integrierte Anfahrschaltung für Hochspannungsstromversorgung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 30.12.2011
Erteilt am 30.01.2019
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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30.01.2019
Hochspannungsbeständiges III-Nitrid-Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.12.2010
Erteilt am 30.01.2019
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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19.12.2018
Zusammengesetzte Halbleitervorrichtung mit hoher Schwellenspannung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.03.2012
Erteilt am 19.12.2018
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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19.12.2018
Hochspannungs-Verbundstoffhalbleitervorrichtung mit Schutz für eine Vorrichtung mit geringer Spannung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.03.2012
Erteilt am 19.12.2018
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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05.12.2018
Halbleitergehäuse mit guten thermischen Eigenschaften dank einer freiliegenden Anschlussklemme
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.04.2012
Erteilt am 05.12.2018
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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11.07.2018
Ionenimplantation bei Hochtemperaturoberflächen-Gleichgewichtsbedingungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.02.2014
Erteilt am 11.07.2018
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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04.07.2018
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.08.2006
Erteilt am 04.07.2018
Vertretung
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09.05.2018
System zum Sintern mittels einem unter Druck stehender Gas oder einer Flüssigkeit
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.01.2014
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
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14.02.2018
Iii-Nitrid-Materialstrukturen mit Siliziumsubstraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.12.2005
Erteilt am 14.02.2018
Vertretung
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31.01.2018
Leistungstransistor mit segmentiertem Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.01.2013
Erteilt am 31.01.2018
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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17.01.2018
Transistor mit erhöhter Durchbruchspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.01.2013
Erteilt am 17.01.2018
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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Wer vertritt International Rectifier?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die International Rectifier vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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