International Rectifier Patente
🇺🇸 USA
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
Patente durchsuchen
427 gesamt| Patent | |||
|---|---|---|---|
|
13.12.2017
Power-Quad-Flat-No-Lead-(PQFN)-Gehäuse mit Bootstrap-Dioden auf einer üblichen integrierten Schaltung (IC)
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 04.02.2014
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
13.12.2017
Gehäuse zur Oberflächenanbringung mit von der Trägerplatte Beabstandetem Chipboden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 23.12.2002
Erteilt am 13.12.2017
Vertretung
Moore, David Simon · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
13.12.2017
Vorrichtungen aus Galliumnitrid mit Rückseitigen Kontaktlöchern und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 22.02.2002
Erteilt am 13.12.2017
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.11.2017
Power-Quad-Flat-No-Lead-(PQFN)-Gehäuse mit Steuerungs- und Treiberschaltungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 25.02.2014
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
22.11.2017
Halbleitergehäuse mit mehrphasigem Wechselrichter mit internem Temperatursensor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 25.02.2014
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.11.2017
Power-Quad-Flat-No-Lead-(PQFN)-Halbleitergehäuse mit Leitungsrahmeninseln für Mehrphasen-Leistungswechselrichter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 30.12.2013
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.11.2017
Integrierte Leistungsstufe mit Gruppe III-V Transistoren
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 27.08.2013
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.11.2017
Gestapelte Vorrichtung mit einem Gruppe-III-V-Transistor und einem vertikalen Gruppe-IV-Transistor in einer zusammengesetzten Konfiguration
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 04.04.2012
Erteilt am 15.11.2017
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
08.11.2017
Power-Quad-Flat-No-Lead-Gehäuse (PQFN) in einer Single-Shunt-Umrichterschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 20.12.2013
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
01.11.2017
Integrierte Halbbrückenschaltung mit masseseitigen und versorgungsspannungsseitigen Verbundschaltern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 04.02.2014
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
01.11.2017
Halbleiterstruktur mit einem räumlich eingegrenzten, dielektrischen Bereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 07.01.2014
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
20.09.2017
Verbundstoffhalbleitervorrichtung mit einem SOI-Substrat mit einer integrierten Diode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 11.07.2012
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
16.08.2017
IGBT-Leistungshalbleiterverpackung mit elektrisch leitfähigem Bügel
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
19.07.2017
Galliumnitridmaterialanordnungen und Diesbezügliche Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 30.11.2006
Erteilt am 19.07.2017
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
05.07.2017
Verbundstoffhalbleitervorrichtung mit integrierter Diode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 11.07.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
17.05.2017
Leistungshalbleitermodul
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 16.08.2004
Erteilt am 17.05.2017
Vertretung
Ebner von Eschenbach, Jennifer · München
Maiwald Patentanwalts GmbH · Düsseldorf
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
03.05.2017
Gruppe III-V Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) vom Anreicherungstyp und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 15.05.2012
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
04.01.2017
Leiterrahmenplatte mit Schlitzen in Verbindungsstangen sowie das Verwendungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 25.02.2014
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
24.08.2016
Monolithisches integriertes zusammengesetztes Halbleiterbauelement der Gruppe III-V und Gruppe IV sowie Verfahren zu seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
06.07.2016
Halbleiterverpackung mit reduziertem Ein-Widerstand und Obermetall-Ausbreitungswiderstand mit Anwendung auf die Leistungstransistorverpackung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Some exemplary embodiments of a semiconductor package including a semiconductor device having electrodes on opposite major surfaces connectable to a planar support surface without a bondwire and a control electrode disposed in a corner position for reducing top-metal spreading resistance and device on-resistance have been disclosed. One exemplary structure comprises a semiconductor device having a first major surface including a first electrode and a second major surface including a second electrode and a control electrode, wherein the control electrode is disposed in a corner of the second major surface, and wherein the first electrode, the second electrode, and the control electrode are electrically connectable to a planar support surface without a bondwire. The pads of the device may be arranged in a balanced grid to maintain device stability during integration. A minimum gap distance between die pads allows the placement of vias in the planar support surface. |
|||
|
22.06.2016
Gestapelte Halbbrückenverpackung mit gängigem leitfähigem Leitungsrahmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
According to an exemplary embodiment, a stacked half-bridge package includes a control transistor having a control drain for connection to a high voltage input, a control source coupled to an output terminal, and a control gate for being driven by a driver IC. The stacked half-bridge package further includes a sync transistor having a sync drain for connection to the output terminal, a sync source coupled to a low voltage input, and a sync gate for being driven by the driver IC. The control and sync transistors are stacked on opposite sides of a common conductive leadframe with the common conductive leadframe electrically and mechanically coupling the control source with the sync drain. The common conductive leadframe thereby serves as the output terminal. |
|||
|
25.05.2016
Robuster, durch Sicherung geschützter Transistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
25.05.2016
Robustes und Zuverlässiges Leistungshalbleitergehäuse
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
In one implementation, a semiconductor package includes a patterned conductive carrier including a support segment (330a) having a partially etched recess (344,364). The semiconductor package also includes an integrated circuit (IC)(350) situated on the support segment (330a), and an electrical connector (360) coupling the IC (350) to the partially etched recess (344,364). In addition, the semiconductor package includes a packaging dielectric (370) formed over the patterned conductive carrier (330a) and the IC (350). The packaging dielectric interfaces (370) with and mechanically engages the partially etched recess (344,364) so as to prevent delamination of the electrical connector (360). |
|||
|
13.04.2016
Stromeinheit mit Leitfähigen Leisten
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 23.09.2015
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
13.04.2016
Einsetzbare Antriebseinheit mit Montierbaren Kontakten zum Einstecken in eine Mutterplatine
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 23.09.2015
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
09.03.2016
Monolithisches integriertes zusammengesetztes Halbleiterbauelement der Gruppe III-IV und Gruppe IV-Halbleiter und integrierte Schaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
30.09.2015
Verfahren zur Iii-Nitrid-Bauelement Isolation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 06.12.2004
Erteilt am 30.09.2015
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
05.08.2015
Gruppe-III-IV und Gruppe-IV-Verbunddiode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 06.03.2013
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
15.07.2015
Halbleiterstruktur aus einer Galliumnitridschicht auf einem Substrat mit einer amorphen Siliziumnitrid-Zwischenschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
08.07.2015
Universal-Kontaktstellenanordnung für Halbleiterbauelemente mit Oberflächenanbringung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 24.10.2006
Erteilt am 08.07.2015
Vertretung
Weitzel, Wolfgang · Heidenheim
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
08.07.2015
Umrichterschaltung mit gegen Kurzschlusströme geschütztem Verbundschalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Zusammenfassung
There are disclosed herein various implementations of a short circuit protected composite switch and a circuit including such a switch. In one exemplary implementation, such a short circuit protected composite switch includes a III-N field-effect transistor (FET) having a drain, a source, and a gate, and a high current group IV FET coupled in series with the III-N FET and configured to limit a current through the III-N FET. The short circuit protected composite switch also includes another group IV FET coupled between the gate and the source of the III-N FET, and another transistor coupled between the gate of the III-N FET and a source of the high current group IV FET. |
|||
|
17.06.2015
III-V-Spannungswandler mit monolithisch integriertem Pegelschieber, spannungsseitiger Treiber und spannungsseitiger Leistungsschalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
10.06.2015
Verbundleistungsvorrichtung mit ESD-Schutzklemme
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
10.06.2015
Gruppe-III-V-fusionierter Transistor mit Doppelgatter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
03.06.2015
Gruppe-III-V-Transistor mit Halbleiterfeldplatte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
06.05.2015
Gruppe-III-V-Bauelement mit Pufferabschlusskörper
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 17.10.2014
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
04.03.2015
Gehäuse für ein Hochspannungs-Halbleiterbauelement mit Vergrössertem Abstand zwischen Gehäusewand und Chip für Verbessertes Entfernen des Flussmittels
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 14.06.2002
Erteilt am 04.03.2015
Vertretung
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
14.01.2015
Integriertes III-Nitrid D-Mode HFET mit kaskodierter Paarhalbbrücke
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 09.07.2014
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
14.01.2015
Monolithischer Verbundwerkstoff III-Nitrid-Transistor mit Gruppe IV-Hochspannungsaktivierungsschalter
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
|
|||
|
Status
Angemeldet am 10.07.2014
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
|
24.12.2014
Verarmungsmodus-Gruppe-III-V-Transistor mit Hochspannungs-Gruppe-IV-Freigabeschalter
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
|
|||
|
Status
Angemeldet am 13.06.2014
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
Zusammenfassung wird geladen … |
|||
Wer vertritt International Rectifier?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die International Rectifier vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
Zum Anmelder-Profil