International Rectifier Patente
🇺🇸 USA
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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427 gesamt| Patent | |||
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10.12.2014
Exponierte Common Drain Leitungsklemme für Hochleistungs-Halbleiterpackungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.04.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
One exemplary disclosed embodiment comprises a semiconductor package including multiple transistors having a common drain coupled to an exposed conductive clip. A driver integrated circuit (IC) may control the transistors for various power applications. By exposing a top surface of the exposed conductive clip outside of a mold compound of the package, enhanced thermal performance is provided. Additionally, the conductive clip provides a short distance, high current carrying route between transistors of the package, providing higher electrical performance and reduced form factor compared to conventional designs with individually packaged transistors. |
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10.09.2014
HF-Schaltergateansteuerung
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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02.07.2014
III-Nitrid-Halbleiterstrukturen mit Strangaufnahmezwischenschicht-Übergangsmodulen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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25.06.2014
Kaskodenschaltungsintegration von Gruppe-III-N und Gruppenvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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11.06.2014
Gehäuse eines auf einer Kaskodenschaltung mit einem III-Nitrid-Bauelement basierenden Hochspannung-Gleichrichters, welches Gehäuse leitfähige Bügel zwischen Bauelementen-Elektroden und der Oberfläche eines Trägers aufweist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
Some exemplary embodiments of high voltage cascoded III-nitride semiconductor package utilizing clips on a package support surface have been disclosed. One exemplary embodiment comprises a III-nitride transistor (230) attached to a package support surface (260) and having an anode of a diode (220) stacked over a source of the III-nitride transistor, a first conductive clip (212b) coupled to a gate of the III-nitride transistor and the anode of the diode, and a second conductive clip (212a) coupled to a drain of the III-nitride transistor. The conductive clips are connected to the package support surface and expose respective flat (214b,214a) portions that are surface mountable. In this manner, reduced package footprint, improved surge current capability, and higher performance may be achieved compared to conventional wire bonded packages. Furthermore, since a low cost printed circuit board (PCB) may be utilized for the package support surface, expensive leadless fabrication processes may be avoided for cost effective manufacturing. |
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23.04.2014
Leistungswandlerpackung mit vertikal gestapelter interner Treiberschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2013
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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23.04.2014
Halbleiterpackung mit leitendem trägerintegriertem Wärmeverteiler
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.09.2013
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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19.03.2014
Leistungsmodul mit Presspassungsklemmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.03.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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26.02.2014
III-Nitrid-Schaltvorrichtung mit emulierter Diode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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22.01.2014
Monolithische Integration von Silizium- und III-V-Bauelementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.02.2011
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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18.12.2013
Anordnung enthaltend Iii-Nitrid-Materialien mit Geringer Versetzungsdichte und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.07.2005
Erteilt am 18.12.2013
Vertretung
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20.11.2013
Verbundstoffhalbleitervorrichtung mit aktivem Schwingungsschutz
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.11.2013
Leistungshalbleiterverpackung mit doppelseitiger Kühlung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2013
Programmierbarer III-Nitrid-Transistor mit aluminiumdotiertem Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.03.2011
Anhängig
Vertretung
Zeitler, Stephan · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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24.04.2013
Hochleitende Source-/Drain-Kontakte bei III-Nitrid-Transistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2013
Gruppe-III-V-Vorrichtungsstruktur mit selektiv reduzierter Verunreinigungskonzentration
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.09.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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27.02.2013
Gehäuse mit kleinem Umriss für einen Leistungstransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.08.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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20.02.2013
Geschachtelte Verbunddiode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.07.2012
Anhängig
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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20.02.2013
Geschachtelter Verbundschalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.07.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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05.12.2012
III-Nitrid-Transistor mit passivem Schwingungsschutz
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 16.03.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
Zusammenfassung
There are disclosed herein various implementations of semiconductor devices having passive oscillation control. In one exemplary implementation, such a device (400) is implemented to include a III-nitride transistor (410) having a source electrode (402), a gate electrode (408) and a drain electrode (404). A damping resistor (470) is configured to provide the passive oscillation control for the III-nitride transistor. In one implementation, the damping resistor includes at least one lumped resistor. |
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21.11.2012
Leistungshalbleitergehäuse mit durch eine freiliegende Anschlussklemme elektrisch miteinander verbundenen Transistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.04.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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31.10.2012
Integrierte Stromstufe
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.04.2012
Erteilt am 11.09.2019
Vertretung
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
JENSEN & SON · London
Zusammenfassung
In one implementation, an integrated power stage includes a common die situated over a load stage, the common die includes a driver stage and power switches. The power switches include a control transistor and a sync transistor. A drain of the control transistor receives an input voltage of the common die on one side (e.g., on a top surface) of the common die. A source of the control transistor is coupled to a drain of the sync transistor and provides an output voltage of the common die on an opposite side (e.g., on a bottom surface) of the common die. An interposer may be included under the power stage and includes an output inductor and optionally an output capacitor coupled to the output voltage of the common die on the opposite side of the common die. |
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17.10.2012
Gestapelte Vorrichtung mit einem Gruppe-III-V-Transistor und einer Gruppe-IV-Diode in einer zusammengesetzten Konfiguration
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 04.04.2012
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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23.11.2011
Verfahren zur Herstellung eines FET mit flachem und schmalem Graben und verwandte Strukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.03.2011
Anhängig
Vertretung
Zeitler, Stephan · Heidenheim
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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28.09.2011
Leistungsschalter auf der Hohen Seite mit Ladungspumpe und Bootstrap-Kondensator
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 19.07.2004
Erteilt am 28.09.2011
Vertretung
Gleiss, Alf-Olav · Stuttgart
Weitzel, Wolfgang · Heidenheim
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28.09.2011
In-situ-Dotierimplantation und Wachstum eines III-Nitrid-Halbleiterkörpers
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.02.2011
Anhängig
Vertretung
Zeitler, Stephan · Heidenheim
JENSEN & SON · London
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07.09.2011
Abschluss für SiC Grabenanordnungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.03.2006
Erteilt am 07.09.2011
Vertretung
Ebner von Eschenbach, Jennifer · München
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16.03.2011
Hochstrom-Ladungspumpe für Intelligenten Leistungsschaltertreiber
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.05.2005
Erteilt am 16.03.2011
Vertretung
Weitzel, Wolfgang · Heidenheim
Maiwald Patentanwalts GmbH · Düsseldorf
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12.01.2011
Verarbeitung von Galliumnitridmaterial und Gerätestrukturen dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.04.2009
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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05.01.2011
Monolithisches, vertikal integriertes Halbleiterbauelement aus Verbundmaterial aus Materialien der Gruppe III-IV und Gruppe IV und Verfahren zu dessen Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.10.2010
Buck converter with iii-nitride switch for substantially increased input-to-output voltage ratio
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 24.03.2010
Anhängig
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22.09.2010
Integrierte Iii-Nitrid-Stromumrichterschaltung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.01.2008
Anhängig
Vertretung
JENSEN & SON · London
Dr. Weitzel & Partner · Heidenheim
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09.06.2010
Monolithisch Alternatorspannungsregler mit konfigurierbares Regulierungsmodus
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 08.08.2006
Anhängig
Vertretung
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06.01.2010
Wärmesenke mit adaptierter Rückplatte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 12.07.2006
Anhängig
Vertretung
Ebner von Eschenbach, Jennifer · München
Land, Addick Adrianus Gosling · Den Haag
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13.08.2009
Automotive Hid Headlamp Ballast Control Ic
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.10.2008
Anhängig
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29.07.2009
Leistungsmodul für Halbleiterrelais
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.08.2004
Anhängig
Vertretung
Grosse, Rainer · Stuttgart
Ebner von Eschenbach, Jennifer · München
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29.07.2009
Dreiphasen-Wechselrichterleistungsstufe und Montage
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.01.2007
Anhängig
Vertretung
Ebner von Eschenbach, Jennifer · München
Kopf, Korbinian Paul · München
Maiwald Patentanwalts GmbH · Düsseldorf
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15.07.2009
Verringerung hörbarer Geräusche in einem System mit einem einzigen Stromsensor
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
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17.06.2009
Verfahren und Vorrichtung zum Fühlen durchschnittlichen Stroms in bürstenlosem Gleichstrommotor aus Überstormschutzschaltung
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
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23.04.2009
Variable threshold trench igbt with offset emitter contacts
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2008
Anhängig
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Wer vertritt International Rectifier?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die International Rectifier vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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