NXP USA Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.629 gesamt| Patent | |||
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21.11.2018
Mems-Sensor mit Seitenanschluss und Verfahren zur Herstellung davon
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Status
Angemeldet am 19.09.2016
Erteilt am 21.11.2018
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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21.11.2018
Magnetfeldsensor mit Dauermagnetvorspannung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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14.11.2018
Verkapselte Integrierte Schaltung mit Verbesserter Thermischer Ableitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.07.2006
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
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14.11.2018
Verfahren zum Herstellen einer Nichtflüchtigen Speicheranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.01.2008
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
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14.11.2018
Spannungsgesteuerter Oszillator und zugehörige Systeme
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.09.2012
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
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14.11.2018
Drehscheibengyroskop
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 26.09.2012
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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14.11.2018
Ruhestrombestimmung mittels paketinterner Spannungsmessungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.09.2013
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Pomper, Till · Toulouse
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31.10.2018
Informationsverarbeitungsvorrichtung und -Verfahren
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 11.06.2010
Erteilt am 31.10.2018
Vertretung
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24.10.2018
Kommunikationsvorrichtungen mit Nahfeld RF-Kommunikatoren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 07.12.2007
Erteilt am 24.10.2018
Vertretung
Jehle, Volker Armin · München
Krott, Michel · Eindhoven
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17.10.2018
Systeme und Verfahren zur Dynamischen Kalibrierung und Anpassung der Verstärkung in einem Direktumwandlungsempfänger
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
Method embodiments are provided herein for dynamically calibrating and adjusting a direct conversion receiver system. One embodiment includes applying one or more gain control signals to one or more gain elements of a receiver system, where the applying one or more gain control signals results in a gain change to the receiver system; in response to the gain change, determining whether the receiver system exhibits a DC (direct conversion) offset; and in response to a determination that the receiver system exhibits the DC offset, applying one or more DC offset correction control signals to one or more gain elements of the receiver system, where the one or more DC offset correction signals are configured to correct the DC offset. |
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17.10.2018
Mechanismus zur Datenerzeugung in Datenverarbeitungssystemen
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 19.05.2016
Erteilt am 17.10.2018
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Terblanche, Candice Jane · Redhill
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17.10.2018
Signalfeldcodierung in einer Hocheffizienten Dateneinheit eines Drahtlosen Lokalen Netzwerks (wlan)
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 12.12.2016
Anhängig
Vertretung
Krott, Michel · Eindhoven
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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10.10.2018
Strukturierung eines Gatestapels eines nichtflüchtigen Speichers mit simultaner Ätzung im nichtflüchtigen Speicherbereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.08.2011
Erteilt am 10.10.2018
Vertretung
Wray, Antony John · Basingstoke
Pomper, Till · Toulouse
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10.10.2018
Verstärker und Zugehörige Integrierte Schaltungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 20.04.2011
Erteilt am 10.10.2018
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Pomper, Till · Toulouse
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03.10.2018
Bestätigungsdateneinheit für Dateneinheitsfragment
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 23.11.2016
Anhängig
Vertretung
Miles, John Richard · Romsey
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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26.09.2018
Netzwerk und Verfahren zur Zeitbasiseinstellung eines Knoten in einem Netzwerk
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 14.05.2007
Erteilt am 26.09.2018
Vertretung
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26.09.2018
Signalverarbeitungssystem, Integrierte Schaltung mit Puffersteuerlogik und Verfahren dafür
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 20.07.2009
Erteilt am 26.09.2018
Vertretung
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26.09.2018
Systeme und Verfahren zur Verwaltung von Netzwerken mit Hoher Datenrate
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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19.09.2018
Netzwerk und Verfahren zur Zeitbasiseinstellung eines Knoten in einem Netzwerk
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 31.10.2006
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
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19.09.2018
Verfahren zum Herstellen einer 3D-Halbleiter-Ausformstruktur mit einer Behälterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.12.2008
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
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19.09.2018
Erzeugung von Debug-Meldungen anhand eines Ausgewählten Adressentyps
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 21.04.2009
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
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19.09.2018
Fortgeschrittene Kommunikationssteuereinheit und Verfahren zur Aufzeichnung von Protokollereignissen
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 10.11.2009
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
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19.09.2018
Substratdurchgänge
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.03.2010
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
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12.09.2018
Nichtflüchtige Speicherzelle mit geteiltem Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.07.2014
Erteilt am 12.09.2018
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
Zusammenfassung
A method of making a semiconductor structure (100) uses a substrate (102) having a background doping of a first type. A gate structure has a gate dielectric (104) on the substrate and a select gate layer (106) on the gate dielectric. Implanting is performed into a first portion of the substrate adjacent to a first end with dopants of a second type. The implanting is prior to any dopants being implanted into the background doping of the first portion which becomes a first doped region of the second type. An NVM gate structure has a select gate (106), a storage layer having a first portion over the first doped region, and a control gate (208) over the storage layer. Implanting (304) at a non-vertical angle with dopants of the first type forms a deep doped region (306) under the select gate. Implanting with dopants of the second type forms a source/drain extension (404). |
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12.09.2018
Verfahren zur Aktivierung von Kalibrierung Beim Starten einer Mikrosteuereinheit und Integrierte Schaltung dafür
Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen)
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 22.11.2010
Erteilt am 12.09.2018
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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29.08.2018
Transistorkörpersteuerungsschaltung und eine Integrierte Schaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 10.12.2015
Erteilt am 29.08.2018
Vertretung
Miles, John Richard · Romsey
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
Zusammenfassung
An integrated circuit comprises a transistor body control circuit 241 for controlling a body of a bidirectional power transistor 242. The transistor body control circuit comprises switches M1, M2, connected between a body terminal 202 and a first current terminal 201, with a control terminal for controlling the current flowing through the switch. The control terminal of the switch is connected to alternating current, AC capacitive voltage divider. The AC capacitive voltage dividers are connected to the control terminals and arranged to control the switches to switch the voltage of the body terminal as a function of the voltage between the first current terminal and the second current terminal. The integrated circuit further comprises a bi-directional power transistor connected to the transistor body control circuit. |
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29.08.2018
Leistungs-Sicherheitsschaltung, Integrierte Schaltungsvorrichtung und Sicherheitskritisches System
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.10.2011
Erteilt am 29.08.2018
Vertretung
Miles, John Richard · Romsey
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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29.08.2018
Systeme und Verfahren zur Verarbeitung von Datenflüssen
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 07.01.2013
Erteilt am 29.08.2018
Vertretung
Miles, John Richard · Romsey
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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29.08.2018
Spannungsreferenzschaltung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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29.08.2018
Mehrstufige Rf-Verstärkervorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Angemeldet am 23.01.2018
Anhängig
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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22.08.2018
Dynamische Zeiteinstellung in einer Schaltvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 29.01.2007
Erteilt am 22.08.2018
Vertretung
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15.08.2018
Löschen eines nichtflüchtigen Speichersystems mit Fehlerkorrekturcode
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Angemeldet am 29.03.2013
Erteilt am 15.08.2018
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Pomper, Till · Toulouse
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15.08.2018
Elektronische Schaltungen mit variablen Dämpfern und Verfahren zu deren Betrieb
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 07.10.2013
Erteilt am 15.08.2018
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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15.08.2018
Vorrichtung und Verfahren zur Verifizierung eines Fragments zur Verarbeitung von Zugehöriger Daten in der Grafikpipelineverarbeitung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 24.05.2016
Erteilt am 15.08.2018
Vertretung
Crawford, Andrew · Nijmegen
Krott, Michel · Eindhoven
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15.08.2018
Signaladaptive Filterung zur Berührungserkennung
Software & Datenverarbeitung
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08.08.2018
Verfahren und System zum Gruppieren von Interrupts aus einem Zeitabhängigen Datenspeichermittel
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 22.06.2006
Erteilt am 08.08.2018
Vertretung
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08.08.2018
Überspannungsschutzschaltung für einen Integrierten Schaltkreis
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2011
Erteilt am 08.08.2018
Vertretung
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08.08.2018
NFC-Vorrichtung mit Kombination der Komponenten von Antennentreiber und Nebenschlussregler
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 07.06.2013
Erteilt am 08.08.2018
Vertretung
Jehle, Volker Armin · München
Krott, Michel · Eindhoven
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08.08.2018
Analog-Digital-Wandlung mit Linearitätskalibrierung
Elektronik & Schaltungstechnik
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08.08.2018
Verfahren zum Selektiven Ätzen mit Trockenfotolackfilm
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt NXP USA?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP USA vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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