STMicroelectronics International Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.265 gesamt| Patent | |||
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28.08.2014
Contact Resistance Reduction in Finfets
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2014
Anhängig
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27.08.2014
Vorrichtung und Verfahren zur Initialisierung einer IC-Karte
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 26.03.2009
Erteilt am 27.08.2014
Vertretung
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27.08.2014
IC-Karte mit doppelter Schnittstelle und Verfahren zur Herstellung einer solchen Karte
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 02.09.2010
Erteilt am 27.08.2014
Vertretung
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13.08.2014
Mehrkanalsender
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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13.08.2014
Herstellungsverfahren eines Transistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.08.2014
Verfahren zur Herstellung eines Transistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.08.2014
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschicht, die mindestens zwei verschiedene Dicken aufweist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.08.2014
Strukturen zur Indexierung von Chips
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.04.2004
Erteilt am 06.08.2014
Vertretung
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06.08.2014
Herstellungsverfahren eines MOS-Transistors mit Luftabstandhaltern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.07.2014
Bewegungsphasendetektion einer Videohalbbildersequenz
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 12.06.2007
Erteilt am 30.07.2014
Vertretung
Plasseraud IP · Paris
Cabinet Plasseraud · Paris
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23.07.2014
Verfahren zur Beschleunigung von Phasenänderungsspeicherschreiboperationen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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23.07.2014
Resonantes mikroelektromechanisches System und Gyroskop
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.08.2004
Erteilt am 23.07.2014
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09.07.2014
Schaltkreis zur Erzeugung einer temperaturausgeglichenen Spannungsreferenz, insbesondere für Anwendungen mit Versorgungsspannungen unter 1V
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 13.05.2008
Erteilt am 09.07.2014
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09.07.2014
Chip-zu-chip Kommunikationssystem
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.09.2005
Erteilt am 09.07.2014
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02.07.2014
Mikro-elektromechanische Vorrichtung mit Temperaturkompensation und Verfahren zur Temperaturkompensation in einer mikro-elektromechanischen Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.10.2004
Erteilt am 02.07.2014
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02.07.2014
Verfahren und Hardwaresystem zur Steuerung einem Schrittmotors in einen Spannungsvorwärstkopplungsmodus
Elektrische Energietechnik
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25.06.2014
Ovonische Schwellwertschalter-Schichtzusammensetzung für TSLAGS-Material
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.06.2014
Spannungsregler mit geringem Energieverbrauch für eine Hochspannungsladungspumpe, Spannungsregelungsverfahren und Speichervorrichtung mit solchem Spannungsregler
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 18.09.2009
Erteilt am 18.06.2014
Vertretung
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18.06.2014
Verfahren zur Herstellung einer Hybriden Halbleiterwafers Soi/massen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.06.2014
Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Membranvorrichtung und mikroelektromechanische Membranvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
A process for manufacturing a microelectromechanical device envisages: forming a semiconductor structural layer (3) separated from a substrate (2) by a dielectric layer (4), and opening trenches (10) through the structural layer (3), as far as the dielectric layer (4). Sacrificial portion (4a) of the dielectric layer (4) are selectively removed through the trenches (10) in membrane regions (M) so as to free a corresponding portion of the structural layer (3) that forms a membrane (11). To close the trenches (10), the wafer (1) is brought to an annealing temperature for a time interval in such a way as to cause migration of the atoms of the membrane (11) so as to reach a minimum energy configuration. |
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04.06.2014
Pixelschaltung in Bildsensor
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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21.05.2014
Verfahren für Verbesserte Prüfung der Wiederholbarkeit und Reproduzierbarkeit einer Messkette zur Qualitätskontrolle mittels einer Halbleiterbauelementeprüfung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 22.10.2008
Erteilt am 21.05.2014
Vertretung
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21.05.2014
Testschaltung für eine programmierbare Manipulations-Erkennungsschaltung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 21.11.2006
Erteilt am 21.05.2014
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14.05.2014
Integrierte Vorrichtung zur elektrischen Verbindung mit Fehlererkennungsmodul und elektronisches Gerät, das die Vorrichtung umfasst
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 26.01.2011
Erteilt am 14.05.2014
Vertretung
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14.05.2014
Verfahren zur Herstellung von mindestens drei MOS-Transistoren mit verschiedenen Einsatzspannungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2014
Elektronische Vorrichtung mit Schutzschaltung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2014
Mehrträgerempfänger mit Einschätzung der Zeitvarianz des Kanals
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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30.04.2014
Trägheitsvorrichtung mit Schrittmesser Funktion und tragbare elektronische Vorrichtung die diese Trägheitsvorrichtung beinhaltet
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.01.2006
Erteilt am 30.04.2014
Vertretung
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23.04.2014
Integrierter galvanischer Isolator mit drahtloser Übertragung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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23.04.2014
FinFET-Vorrichtung mit silizidierten Source-Drain-Bereichen und Verfahren zur Herstellung davon mittels zweistufigem Tempern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.10.2013
Anhängig
Vertretung
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17.04.2014
Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.10.2013
Anhängig
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16.04.2014
Programmierbare logische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 30.05.2003
Erteilt am 16.04.2014
Vertretung
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16.04.2014
Organischer Halbleitersensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 23.09.2003
Erteilt am 16.04.2014
Vertretung
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16.04.2014
Signalabtastung und Übertragung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 07.12.2009
Erteilt am 16.04.2014
Vertretung
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16.04.2014
Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Implantation durch die Abstandshalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.04.2014
Verfahren zum Schutz gegen kontaktbedingte Kurzschlüsse auf UTBB
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.10.2013
Anhängig
Vertretung
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16.04.2014
Kommunikationssystem und -verfahren
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 26.05.2011
Erteilt am 16.04.2014
Vertretung
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02.04.2014
Synchronisierungssystem und zugehöriger integrierter Schaltkreis
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 09.02.2011
Erteilt am 02.04.2014
Vertretung
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02.04.2014
Leistungs-Halbleiterbauelement mit isoliertem Gate und mit Schottky-Diode und Verfahren zur Herstellung desselben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2014
Temperaturfühlschaltung sowie zugehöriges Kalibrierungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.05.2002
Erteilt am 02.04.2014
Vertretung
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Wer vertritt STMicroelectronics International?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics International vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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