STMicroelectronics International Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.265 gesamt| Patent | |||
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10.09.2025
Messsystem zur Messung des Tonerpegels in einer Kartusche für Laserdrucker
Optik & Fototechnik
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03.09.2025
Schaltung und Verfahren zur Schnittstellenbildung mit Peripherieschaltungen
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
La présente description concerne un circuit d'interface (112) relié à au moins un premier et un deuxième circuits périphériques (116, 118, 120, 122), et comprenant un registre stockant un paramètre d'état, le circuit d'interface étant configuré pour : - recevoir une demande d'accès pour écriture ou lecture, en provenance d'un processeur (104) et vers une adresse de destination dans le premier circuit périphérique ; et - générer une opération d'écriture et/ou de lecture vers le premier et/ou le deuxième circuit périphérique, l'opération et sa destination étant sélectionnées en fonction de la valeur d'état, de l'adresse de destination et, par exemple, d'une valeur de donnée en provenance du processeur. |
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03.09.2025
Kurzschlussdetektionsvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
La présente description concerne un dispositif (100) de détection de court-circuit dans un circuit de courant continu comprenant une source de tension (102), un bus comportant au moins deux éléments conducteurs (104, 106) chacun couplé à l'une des bornes de la source de tension, des premier et deuxième thyristors (112, 114) couplés à la source de tension et au bus, et au moins un élément capacitif formant une capacité de stockage (118) dont chacune des électrodes est couplée à l'un des deux éléments conducteurs du bus,le dispositif de détection de court-circuit comprenant au moins un circuit de commande (124) configuré pour commander les polarisations et les régimes de fonctionnement des premier et deuxième thyristors tel qu'une phase de détection de court-circuit soit mise en œuvre avant une précharge de la capacité de stockage. |
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03.09.2025
Elektronisches Bauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Pixel
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a pixel (Pix3) comprising, on a first face, first trenches (302) parallel to a first direction (Y) and regularly spaced in a second direction (X) and second trenches (304) parallel to the second direction (X) and regularly spaced in the first direction (Y). The first trenches (302) comprise first notches (320) each extending from a first trench (320) and being aligned with a corresponding second trench (304). The second trenches (304) comprise second notches (322) each extending from a second trench (304) and being aligned with a corresponding first trench (302). |
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03.09.2025
Elektronischer Chip mit Anschlusssäulen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
La présente description concerne un circuit électronique (50) comprenant un substrat semiconducteur (12) ayant des première et deuxième faces (14, 16) opposées et des piliers conducteurs électriquement (60), destinés à être connectés à un élément extérieur au circuit électronique, s'étendant au travers du substrat semiconducteur (12) de la deuxième face (16) à la première face (14) et se projetant en saillie depuis la première face (14). |
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03.09.2025
Leistungsrahmengehäuse mit Reduzierten Löthohlräumen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
An electronic device includes an integrated circuit (IC) with its second face bonded to a first surface of a first support. A conductive clip has a first portion that is elongate and extends across the IC, having its second surface bonded to a first face of the IC by a solder layer. A second portion of the clip extends from the first portion away from the IC toward a second support with the second surface bonded to a first surface of the second support. A first surface of the clip has a pattern formed therein including a depressed floor with fins extending upwardly therefrom. Through-holes extend through the depressed floor to the second surface of the clip. An encapsulating layer covers portions of the first and second supports, IC, and clip while leaving the first surface of the first portion exposed to permit heat to radiate away therefrom. |
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03.09.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2025
Anhängig
Vertretung
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03.09.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Zugehörige Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2025
Anhängig
Vertretung
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03.09.2025
Verfahren zur Herstellung einer Umverteilungsschicht und Umverteilungsschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Luftspalt in Grabenfeldplatten-Leistungs-Mosfet für Reduzierte Verlustleistungsleistung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Mikroelektromechanischer Sensor mit Verbesserter Externer Fluidischer Kopplung und Herstellungsverfahren dafür
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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03.09.2025
Elektronische Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.08.2025
Thermisch Verbesserte Elektrooptische Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.08.2025
Virtuelle Maschinenarchitektur zum Zugriff auf ein Sicheres Element und Entsprechendes Verfahren zum Zugriff auf ein Sicheres Element
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 14.02.2025
Anhängig
Vertretung
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27.08.2025
Verfahren zur Regulierung der Schottky-Barrierenhöhe in einer Siliciumcarbid-Leistungsdiode und Leistungsdiode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.08.2025
Verarbeitungssystem, Zugehörige Integrierte Schaltung, Vorrichtung und Verfahren
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.02.2023
Erteilt am 27.08.2025
Vertretung
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27.08.2025
Verfahren zur Positionierung von Halbleiterbauelementen und Entsprechende Positionierungsvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 12.03.2024
Erteilt am 27.08.2025
Vertretung
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27.08.2025
Bevorrechtigung in einem Unterbrechungsgesteuerten Mikroplaner-Technikfeld
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 10.02.2025
Anhängig
Vertretung
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27.08.2025
Authentifizierungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
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27.08.2025
Polarisationsvorrichtung mit Variabler Kapazität
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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21.08.2025
Method for operating an integrated circuit card for suspension and resume operations and corresponding integrated circuit card
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 28.01.2025
Anhängig
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20.08.2025
Flugzeitprozessüberwachung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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20.08.2025
Kommunikation Innerhalb eines Elektronischen Geräts
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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20.08.2025
Erzeugung eines Taktsignals
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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20.08.2025
Verfahren zur Verschlüsselung von Daten in einem Elektronischen System und Entsprechendes System
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 24.01.2025
Anhängig
Vertretung
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20.08.2025
Verfahren zum Empfang von Daten in einer Funkfrequenzübertragung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
Selon un aspect, il est proposé un dispositif récepteur radiofréquence comprenant : - une interface d'entrée (ANT, AMP) configurée pour recevoir un signal radiofréquence d'une nature donnée et le convertir en un signal électrique, - des moyens de détection (CP1, CP2, CP3) configurés pour détecter au moins un niveau de tension dans le signal électrique, - un générateur d'impulsions (IG) configuré pour élaborer au moins un train d'impulsions représentatifs (TI1, TI2, TI3) des niveaux de tension détectés, o une unité de traitement (UT) configurée pour déterminer la nature du signal radiofréquence à partir dudit au moins un train d'impulsions (TI1, TI2, TI3). |
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13.08.2025
Mikroelektromechanische Vorrichtung zur Stabilisierung von Bildsensoren
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13.08.2025
Lastschaltvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.08.2025
Mikroelektromechanisches Gyroskop mit Vollständig Differentieller Struktur und Neigungs-/rollmessung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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13.08.2025
Elektronische Filterschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.08.2025
Verfahren zur Verarbeitung einer Pixelmatrix Innerhalb einer Bildverarbeitungskette und Entsprechende Elektronische Vorrichtung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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13.08.2025
Überwachungsschaltung und Entsprechendes Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.06.2024
Erteilt am 13.08.2025
Vertretung
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07.08.2025
Secure element comprising a set of logical secure elements, virtual machine architecture accessing a corresponding secure element and corresponding method for operating the secure element
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.09.2024
Anhängig
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06.08.2025
Auslöseschaltung für eine Pyrotechnische Vorrichtung, Entsprechende Integrierte Schaltung, Fahrzeug und Verfahren
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Wehrtechnik & Waffen
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Status
Angemeldet am 16.01.2025
Anhängig
Vertretung
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06.08.2025
Mems-Sensor mit Hoher Beständigkeit gegen das Haftreibungsphänomen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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06.08.2025
Elektronischer Chip mit Verspannten Transistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
La présente description concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comprenant les étapes successives consistant à :- prévoir une couche semiconductrice (120) située sur un isolant (130) recouvrant un substrat semiconducteur (110) ;- oxyder des premières et deuxièmes portions de la couche semiconductrice jusqu'à l'isolant, de manière à former des premières portions oxydées (140) et des deuxièmes portions oxydées (150) sur l'isolant ;- générer des contraintes (310) dans une troisième portion (210) de la couche semiconductrice non traversée par les premières et deuxièmes portions oxydées, la troisième portion s'étendant de manière continue entre les deuxièmes portions oxydées (150) ;- former des cavités (410) s'étendant au moins jusqu'au substrat semiconducteur à travers les deuxièmes portions oxydées et l'isolant ; et- former des premiers transistors à effet de champ dans et sur la troisième portion (210). |
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06.08.2025
Schaltung zur Durchführung eines Belastungstests von Leistungstransistor-Gates
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
La présente description concerne un circuit électronique de puissance (100) comprenant au moins un transistor de puissance (102, 106) dont la grille est couplée à un circuit de commande (104, 108) et dont la source est couplée à un premier plot de contact (114, 124), dans lequel le circuit de commande (104, 108) est couplé à un deuxième plot de contact (116, 126), et dans lequel les premier et deuxième plots de contact (114, 116, 124, 126) sont configurés pour être découplés l'un de l'autre lorsque le circuit électronique de puissance (100) est dans une configuration de test sous contrainte de la grille du transistor de puissance (102, 106) et configurés pour être couplés l'un à l'autre lorsque le transistor de puissance (102, 106) et le circuit de commande (104, 108) sont encapsulés. |
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06.08.2025
Detektionssystem zur Detektion der An- oder Abwesenheit eines Benutzers
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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06.08.2025
Blende zur Reduzierung von Übersprechen, Optisches Modul damit und Zugehöriges Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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Wer vertritt STMicroelectronics International?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics International vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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