STMicroelectronics International Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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733 gesamt| Patent | |||
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03.09.2025
Schaltung und Verfahren zur Schnittstellenbildung mit Peripherieschaltungen
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Zusammenfassung
La présente description concerne un circuit d'interface (112) relié à au moins un premier et un deuxième circuits périphériques (116, 118, 120, 122), et comprenant un registre stockant un paramètre d'état, le circuit d'interface étant configuré pour : - recevoir une demande d'accès pour écriture ou lecture, en provenance d'un processeur (104) et vers une adresse de destination dans le premier circuit périphérique ; et - générer une opération d'écriture et/ou de lecture vers le premier et/ou le deuxième circuit périphérique, l'opération et sa destination étant sélectionnées en fonction de la valeur d'état, de l'adresse de destination et, par exemple, d'une valeur de donnée en provenance du processeur. |
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03.09.2025
Kurzschlussdetektionsvorrichtung
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Zusammenfassung
La présente description concerne un dispositif (100) de détection de court-circuit dans un circuit de courant continu comprenant une source de tension (102), un bus comportant au moins deux éléments conducteurs (104, 106) chacun couplé à l'une des bornes de la source de tension, des premier et deuxième thyristors (112, 114) couplés à la source de tension et au bus, et au moins un élément capacitif formant une capacité de stockage (118) dont chacune des électrodes est couplée à l'un des deux éléments conducteurs du bus,le dispositif de détection de court-circuit comprenant au moins un circuit de commande (124) configuré pour commander les polarisations et les régimes de fonctionnement des premier et deuxième thyristors tel qu'une phase de détection de court-circuit soit mise en œuvre avant une précharge de la capacité de stockage. |
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03.09.2025
Pixel
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a pixel (Pix3) comprising, on a first face, first trenches (302) parallel to a first direction (Y) and regularly spaced in a second direction (X) and second trenches (304) parallel to the second direction (X) and regularly spaced in the first direction (Y). The first trenches (302) comprise first notches (320) each extending from a first trench (320) and being aligned with a corresponding second trench (304). The second trenches (304) comprise second notches (322) each extending from a second trench (304) and being aligned with a corresponding first trench (302). |
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03.09.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
EP4611037
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2025
Anhängig
Vertretung
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03.09.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Zugehörige Vorrichtung
EP4611023
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2025
Anhängig
Vertretung
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03.09.2025
Elektronisches Bauelement
EP4611503
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Elektronische Vorrichtung
EP4611505
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Mikroelektromechanischer Sensor mit Verbesserter Externer Fluidischer Kopplung und Herstellungsverfahren dafür
EP4610613
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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03.09.2025
Luftspalt in Grabenfeldplatten-Leistungs-Mosfet für Reduzierte Verlustleistungsleistung
EP4611504
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Verfahren zur Herstellung einer Umverteilungsschicht und Umverteilungsschicht
EP4611035
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.09.2025
Elektronischer Chip mit Anschlusssäulen
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Zusammenfassung
La présente description concerne un circuit électronique (50) comprenant un substrat semiconducteur (12) ayant des première et deuxième faces (14, 16) opposées et des piliers conducteurs électriquement (60), destinés à être connectés à un élément extérieur au circuit électronique, s'étendant au travers du substrat semiconducteur (12) de la deuxième face (16) à la première face (14) et se projetant en saillie depuis la première face (14). |
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27.08.2025
Bevorrechtigung in einem Unterbrechungsgesteuerten Mikroplaner-Technikfeld
EP4607348
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 10.02.2025
Anhängig
Vertretung
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27.08.2025
Verarbeitungssystem, Zugehörige Integrierte Schaltung, Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 27.02.2023
Erteilt am 27.08.2025
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27.08.2025
Authentifizierungsverfahren
EP4607381
Software & Datenverarbeitung
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27.08.2025
Virtuelle Maschinenarchitektur zum Zugriff auf ein Sicheres Element und Entsprechendes Verfahren zum Zugriff auf ein Sicheres Element
EP4607346
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 14.02.2025
Anhängig
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27.08.2025
Thermisch Verbesserte Elektrooptische Vorrichtung
EP4608101
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.08.2025
Verfahren zur Regulierung der Schottky-Barrierenhöhe in einer Siliciumcarbid-Leistungsdiode und Leistungsdiode
EP4608086
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.08.2025
Polarisationsvorrichtung mit Variabler Kapazität
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27.08.2025
Verfahren zur Positionierung von Halbleiterbauelementen und Entsprechende Positionierungsvorrichtung
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Status
Angemeldet am 12.03.2024
Erteilt am 27.08.2025
Vertretung
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20.08.2025
Flugzeitprozessüberwachung
EP4603869
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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20.08.2025
Kommunikation Innerhalb eines Elektronischen Geräts
EP4604402
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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20.08.2025
Erzeugung eines Taktsignals
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20.08.2025
Verfahren zur Verschlüsselung von Daten in einem Elektronischen System und Entsprechendes System
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Status
Angemeldet am 24.01.2025
Anhängig
Vertretung
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13.08.2025
Überwachungsschaltung und Entsprechendes Verfahren
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Status
Angemeldet am 03.06.2024
Erteilt am 13.08.2025
Vertretung
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13.08.2025
Lastschaltvorrichtung
EP4601195
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.08.2025
Mikroelektromechanische Vorrichtung zur Stabilisierung von Bildsensoren
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13.08.2025
Mikroelektromechanisches Gyroskop mit Vollständig Differentieller Struktur und Neigungs-/rollmessung
EP4600606
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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13.08.2025
Elektronische Filterschaltung
EP4601193
Elektronik & Schaltungstechnik
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06.08.2025
Blende zur Reduzierung von Übersprechen, Optisches Modul damit und Zugehöriges Verfahren
EP4597159
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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06.08.2025
Schaltung zur Durchführung eines Belastungstests von Leistungstransistor-Gates
EP4597127
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
La présente description concerne un circuit électronique de puissance (100) comprenant au moins un transistor de puissance (102, 106) dont la grille est couplée à un circuit de commande (104, 108) et dont la source est couplée à un premier plot de contact (114, 124), dans lequel le circuit de commande (104, 108) est couplé à un deuxième plot de contact (116, 126), et dans lequel les premier et deuxième plots de contact (114, 116, 124, 126) sont configurés pour être découplés l'un de l'autre lorsque le circuit électronique de puissance (100) est dans une configuration de test sous contrainte de la grille du transistor de puissance (102, 106) et configurés pour être couplés l'un à l'autre lorsque le transistor de puissance (102, 106) et le circuit de commande (104, 108) sont encapsulés. |
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06.08.2025
Elektronischer Chip mit Verspannten Transistoren
EP4597561
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
La présente description concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comprenant les étapes successives consistant à :- prévoir une couche semiconductrice (120) située sur un isolant (130) recouvrant un substrat semiconducteur (110) ;- oxyder des premières et deuxièmes portions de la couche semiconductrice jusqu'à l'isolant, de manière à former des premières portions oxydées (140) et des deuxièmes portions oxydées (150) sur l'isolant ;- générer des contraintes (310) dans une troisième portion (210) de la couche semiconductrice non traversée par les premières et deuxièmes portions oxydées, la troisième portion s'étendant de manière continue entre les deuxièmes portions oxydées (150) ;- former des cavités (410) s'étendant au moins jusqu'au substrat semiconducteur à travers les deuxièmes portions oxydées et l'isolant ; et- former des premiers transistors à effet de champ dans et sur la troisième portion (210). |
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06.08.2025
Mems-Sensor mit Hoher Beständigkeit gegen das Haftreibungsphänomen
EP4597120
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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06.08.2025
Auslöseschaltung für eine Pyrotechnische Vorrichtung, Entsprechende Integrierte Schaltung, Fahrzeug und Verfahren
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Status
Angemeldet am 16.01.2025
Anhängig
Vertretung
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06.08.2025
Detektionssystem zur Detektion der An- oder Abwesenheit eines Benutzers
EP4597054
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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30.07.2025
Verarbeitungssystem, Zugehörige Integrierte Schaltung, Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 28.06.2022
Erteilt am 30.07.2025
Vertretung
Zusammenfassung
A processing system (10a) is described. The processing system comprises a microprocessor, a memory controller, a resource and a communication system. The microprocessor is configured to send read requests in order to request the transmission of first data, or write requests comprising second data. The memory controller is configured to read third data from a memory. The processing system comprises also a safety monitor circuit (SMb) comprising an error detection circuit (46) configured to receive data bits (DATA) and respective Error Correction Code, ECC, bits (ECC), wherein the data bits (DATA) correspond to the first, second or third data. The safety monitor circuit (SMb) calculates further ECC bits and generates an error signal by comparing the calculated ECC bits with the received ECC bits. A fault collection and error management circuit (120a) receives the error signal from the safety monitor circuits (SMb). In particular the safety monitor circuit (SMb) comprises a test circuit (480) configured to provide modified data bits and/or modified ECC bits to the error detection circuit (46) as a function of connectivity test control signals (CT), whereby the error detection circuit (46) asserts the error signal as a function of the connectivity test control signals (CT). The processing system (10a) comprises also a connectivity test control circuit (130) comprising control registers programmable via the microprocessor, wherein the connectivity test control signals (CT) are generated as a function of the content of the control registers. |
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30.07.2025
Schutz des Schreibens von Daten
EP4592881
Software & Datenverarbeitung
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30.07.2025
Elektronische Vorrichtung
EP4593553
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.07.2025
Beschleunigung von 1X1-Faltungen in Neuronalen Faltungsnetzwerken
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30.07.2025
Elektronisches Bauelement mit Anschlusssäulen
EP4593074
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.07.2025
Schaltnetzteil
EP4593271
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
La présente description concerne une alimentation à découpage comprenant :- un premier interrupteur reliant un premier noeud recevant une première tension d'alimentation à un deuxième noeud fournissant une deuxième tension de sortie ;- un deuxième interrupteur reliant un troisième noeud recevant une quatrième tension de référence audit deuxième noeud de sortie ; et- un comparateur adapté à comparer ladite deuxième tension de sortie à une troisième tension de comparaison,dans lequel, lorsque l'alimentation à découpage fonctionne dans un mode à suppression d'impulsion, le comparateur est adapté à indiquer que la deuxième tension de sortie est supérieure à la troisième tension de comparaison pendant une partie de la phase de conduction dudit premier interrupteur, etdans lequel l'alimentation à découpage transitionne d'un mode à suppression d'impulsion à un mode de conduction continue dès que ladite deuxième tension de sortie est inférieure à ladite troisième tension de comparaison. |
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Wer vertritt STMicroelectronics International?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics International vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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