Université Grenoble Alpes

The present invention relates to a microfluidic device for biosensor and a microfluidic chip comprising several devices and thus biosensors.The microfluidic device comprising at least one microfluidic channel (10) comprising a first end opening (2) and at least a second end opening (3), and at least one biosensor (20) of a substrate arranged in the microfluidic channel (10), the microfluidic device comprises at least one reservoir (30) intended to receive a biosensor optimization solution (4) and comprising an opening (31) in fluidic communication with the microfluidic channel (10) and at least one microvalve (32) arranged between the microfluidic channel (10) and the reservoir (30) in such a way as to control the fluidic connection of the reservoir (30) to the microfluidic channel (10). It will be applied in vitro or in vivo for the detection of substrate or biomarker. Microfluidic devices or the microfluidic chip can be used to monitor the presence or level of substrate or biomarker.

L'invention a pour objet un dispositif spintronique (D1) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un transistor de contrôle (T<N1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique (MTJ) entre un nœud d'alimentation (VDD) et la masse électrique (GND) ; le nœud commun entre le transistor de contrôle et la jonction tunnel magnétique constituant un premier nœud de détection (NC1) ; - un élément capacitif (C<1>) connecté entre le premier nœud de détection (NC1) et un second nœud de détection (NC2) ; - un circuit de détection (COMP, INV) ayant une première entrée connectée au second nœud de détection (NC2) et configuré pour générer un signal de détection (V<out>) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique (MTJ) à partir du potentiel électrique (V<VAR>) du second nœud de détection (NC2).

L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif spintronique (D1) comprenant :- une jonction tunnel magnétique (MTJ) ;- un transistor de polarisation (T_pol) monté en série avec la jonction tunnel magnétique (MTJ) ;- un circuit de détection (DET) ayant une entrée (e_det) connectée à un premier nœud de détection (NC1) et une sortie (s_det) pour générer un signal de détection (V_out) ; le circuit de détection comprenant au moins un premier inverseur (INV1) comprenant un premier transistor NMOS (T_INV1,N) et un second transistor PMOS (T_INV1,P) ayant chacun :∘ une grille avant (G_{1,N ,}G_1,P) ;∘ une grille arrière (G_{2,N ,}G_2,P) formée par une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) ;- un circuit de contrôle (CONT) configuré pour appliquer une tension de commande (V_cmd) non-nulle sur la grille arrière (G_{2,N ,}G_2,P) d'au moins l'un parmi le premier ou le second transistor.

This invention concerns an optoelectronic device (1) comprising: - a silicon-based substrate (10), - an array (14) of group-IV based nanowires (13) extending along a z direction, each nanowire (13) comprising: • a first portion (130) comprising at least one group IV element, the first portion (130) having a first conductivity of a first type of carrier, • a second portion (132) comprising at least one group IV element, the second portion (132) having a second conductivity of a second type of carrier, • an active region (131) comprising at least one group IV element, the active region (131) being configured to emit or absorb infrared radiation (3) of wavelength λ, said active region (131) being inter-posed between the first portion (130) and the second portion (132).

La présente invention concerne un module de comptage (12) d'un nombre de détections d'événements dans un intervalle de temps de comptage comportant :- une unité d'entrée (18) recevant un signal de détection d'un événement dans l'intervalle de temps de comptage,- un composant de sélection (20), le composant de sélection (20) comprenant un sélecteur comportant une couche active réalisée en un matériau chalcogénure, le sélecteur (26) commutant entre deux états résistifs et un deuxième état résistif en présence d'une impulsion de commutation,- une unité d'application (22) appliquant une impulsion de comptage sur le sélecteur (26) pour chaque signal de détection reçu par l'unité d'entrée (18), et- une unité de réinitialisation (24) de l'intervalle de temps de comptage par application d'une impulsion de réinitialisation sur le sélecteur (26).

L'invention a pour objet un Générateur (D1) de bit probabiliste (p-bit) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un circuit de polarisation (POL) configuré pour injecter un courant de commande (Ic) à travers la jonction tunnel magnétique variable selon une première tension d'entrée (V<in1>) ; le circuit de polarisation (POL) comprenant : ∘ un transistor de contrôle (T<1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique entre deux nœuds d'alimentation et comprenant une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) formant une grille arrière (G2,<T1>) ; - des moyens de contrôle (CONT) configurés pour appliquer la première tension d'entrée (V<in1>) sur ladite grille arrière; - un circuit de détection (DET) configuré pour générer un signal de détection (s1) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique.

The invention has for object a memory cell (100) comprising a spin-orbit ferroelectric memory (110) comprising a first, second and third terminals (121, 122, 123), the memory (110) having a spontaneous electrical polarisation able to adopt two distinct states, the first, second, and third terminals (121, 122, 123) being connected to the memory in a way that a first charge current flows (11) in the second terminal (122) when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123), the amplitude and sign of the charge current being function of the voltage applied between the first and third terminals (121, 123) and function of the spontaneous electrical polarisation. The cell (100) comprises an isolation component (130) connected to the second terminal (122) and configured to prevent charge currents from flowing in the second terminal (122) towards the memory (110) when no voltage is applied between the first and third terminals (121, 123) and to allow charge currents to flow in the second terminal and from the memory when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123).

L'invention concerne une mémoire (100) comprenant : - une électrode conductrice principale (120) formant une cathode ; - une électrode conductrice secondaire (130) formant une anode ; et - une couche ferroélectrique semiconductrice (110) formant une couche active, disposée entre la cathode et l'anode (120, 130), la couche active (110) présentant une polarisation ferroélectrique (111) présentant une pluralité d'états stables, la cathode (120) formant un contact principal avec la couche active (110), la résistance du contact principal variant de façon strictement monotone en fonction de la polarisation ferroélectrique (111), le comportement du contact principal formant, en fonction de la polarisation ferroélectrique (111) : - un contact ohmique pour un premier état stable de la pluralité d'états stables ; et - un contact Schottky pour au moins un deuxième état stable de la pluralité d'états stables, la couche active (110) étant dégénérée et présentant une bande d'énergie interdite inférieure à 1,5 eV.

L'invention concerne un transistor (10) non-volatil comprenant une couche semi-conductrice ferroélectrique (11) comprenant un domaine ferroélectrique (12) présentant une polarisation électrique spontanée (13) pouvant prendre une pluralité d'états distincts, une source (14), une grille (15) et un drain (16). La source (14), la grille (15) et le drain (16) sont distants les uns des autres et agencés de sorte qu'un potentiel électrique appliqué entre la source (14) et la grille (15) applique un champ électrique sur le domaine ferroélectrique (12), le drain (16) étant en contact électrique avec la couche ferroélectrique (11), la source (14) formant, avec la couche ferroélectrique (11), une barrière Schottky (17) au niveau d'une interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) présentant une résistance électrique fonction de la polarisation électrique (13), le transistor étant tel que la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) est dégénérée au niveau de l'interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) et la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) présente une conductivité électrique indépendante de la polarisation spontanée (13).

La présente description concerne un commutateur (200) à base d'un matériau à changement de phase, comprenant :- une région (107) en ledit matériau à changement de phase reliant des première (101A) et deuxième (101B) électrodes de conduction du commutateur ; et- un réseau de couplage (201) d'un signal laser d'activation du commutateur, situé en vis-à-vis d'une face de la région (107) en ledit matériau à changement de phase.