Fujitsu Semiconductor
🇯🇵 Japan
Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.
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Patente
447 gesamt| Patent | |||
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05.07.2023
Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrem Entwurf
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a memory cell array region and a peripheral circuit region; a ferroelectric capacitor formed over the semiconductor substrate in the memory cell array region; and a dummy capacitor formed over the semiconductor substrate in the peripheral circuit region, with a layered structure same as that of the ferroelectric capacitor, with an area larger than that of the ferroelectric capacitor, and with a line width not larger than the width of the ferroelectric capacitor. |
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24.05.2023
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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23.06.2021
System und Verfahren zur Bewahrung der Eingangsimpedanz einer current-mode Schaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 02.08.2012
Erteilt am 23.06.2021
Vertretung
Fenlon, Christine Lesley · London
2SPL Patentanwälte · München
Zusammenfassung
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19.05.2021
Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.12.2007
Erteilt am 19.05.2021
Vertretung
Wilding, Frances Ward · London
Haseltine Lake Kempner LLP · München
Zusammenfassung
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24.02.2021
Bauelemente und Schaltungen zum Abschluss von Ausgängen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.09.2013
Erteilt am 24.02.2021
Vertretung
Lewin, David Nicholas · London
Haseltine Lake Kempner LLP · München
Zusammenfassung
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18.11.2020
Phasenschiebermaske, Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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04.11.2020
Schaltungen und Verfahren zur Verwendung in Schaltungen mit gemischten Signalen
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.09.2013
Erteilt am 04.11.2020
Vertretung
Lewin, David Nicholas · London
Haseltine Lake Kempner LLP · München
Zusammenfassung
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05.08.2020
Systeme und Verfahren zur Verbesserung der Effizienz eines Übertragers
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 10.08.2012
Erteilt am 05.08.2020
Vertretung
Zusammenfassung
In accordance with some embodiments of the present disclosure, a circuit comprises a balun (234) configured to receive a radio frequency (RF) signal at a first input port and a second input port of an input coil (236). The balun (234) is further configured to output the RF signal at an output coil (238) communicatively coupled to the input coil. The circuit also comprises a supply voltage selector circuit (240) coupled to the input coil and configured to adjust a bias voltage at the input coil (236) according to a power level of the RF signal received at the input coil. (236) |
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24.06.2020
Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.01.2006
Erteilt am 24.06.2020
Vertretung
Seeger, Wolfgang · München
Hoffmann Eitle · München
Zusammenfassung
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25.03.2020
Herstellungsverfahren für ein SRAM-Element integriert mit einem Widerstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.02.2008
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Stebbing, Timothy Charles · London
Haseltine Lake Kempner LLP · München
Zusammenfassung
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