Intel Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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26.648 gesamt| Patent | |||
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02.07.2025
Berechnungsoptimierungen für Maschinelle Lernvorgänge mit Geringer Genauigkeit
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 26.03.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Systeme zur Benutzergeräteantennenplatzierung und Energieeinsparung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Herstellung von Rückseitenkontaktplatzhaltern mit Verbesserter Prozesssteuerung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Prozessoren, Verfahren, Systeme und Anweisungen zur Verwendung von Datenobjektumfanginformationen in Zeigern zum Informieren von Prädiktoren
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Verteilte Konvolution für Neuronale Netzwerke
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 18.12.2017
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Verfahren zur Unterstützung von Multiverbindungsprotokollen für eine Verbindung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 30.05.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Vorderseitig Geführtem Rückseiten-Source- oder Drain-Kontakt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Direktem Rückseitigen Source- oder Drain-Kontakt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Asymmetrischen Epitaktischen Source- oder Drain-, sowie Spacer- Anordnungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Grabenkondensator in einer Verbindungsregion
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Techniques are provided herein for forming one or more MIM trench capacitors in the interconnect region above the device layer of an integrated circuit. In an example, the MIM trench capacitor(s) are formed within one of the upper interconnect layers of the interconnect region, and thus can have a relatively high height (e.g., greater than about 200 nm). An interconnect layer included in a stack of interconnect layers includes a MIM capacitor having a first electrode (206), a capacitor dielectric (210) on the first electrode, and a second electrode (212) on the capacitor dielectric. The MIM capacitor runs along the outside surface of a plurality of dielectric fins (204), which greatly increases the surface area of the capacitor within a relatively small plan footprint. The first and second electrodes may connect with one or more topside contacts (216, 218) and/or one or more buried conductive lines (220, 222). |
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02.07.2025
Schaltung und Verfahren zur Unterstützung von Verschlüsselten Ferngesteuerten Direktspeicherzugriff (erdma) zur Live-Migration einer Virtuellen Maschine
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 31.03.2022
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Verfahren und Vorrichtung zur Erkennung von Defekten in Gate-All-Around-Transistorarchitekturen
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Rückseitiges Epitaxialwachstum für Verbesserte Kontaktfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Techniques are provided to form an integrated circuit having backside epaxially grown source or drain regions in addition to the frontside source or drain regions to reduce backside contact resistance. A semiconductor device includes a gate structure around or otherwise on a semiconductor region. The gate structure includes a gate dielectric and a gate electrode. The substrate beneath the semiconductor device may be removed from the backside to expose a subfin region beneath the semiconductor region. The subfin region may be removed using a backside etch to open a backside recess that exposes a bottom surface of a given frontside source or drain region. A backside source or drain region may be grown on a bottom surface of the given frontside source or drain region and remain within the backside recess or extend out of the backside recess. |
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02.07.2025
Mikroelektronische Anordnungen mit Hohlraumlosen Verkapselten Matrizen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Mechanische Ausrichtungsfunktionen für Glaswellenleiter zur Verbindung einer Photonischen Integrierten Schaltung
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Pdcp, Rlc-Handhabung in einem Geteilten Dc-Träger
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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26.06.2025
Step-wise quantization for iterative neural networks
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 21.12.2023
Anhängig
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26.06.2025
Dynamische Sparsity-Basierte Beschleunigung Neuronaler Netze
Software & Datenverarbeitung
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26.06.2025
Annäherung der Aktivierungsfunktion in einem Neuronalen Netzwerk mit Nachschlagtabelle mit Hybridarchitektur
Software & Datenverarbeitung
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26.06.2025
Context Aware Frequency Prioritization
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 22.12.2023
Anhängig
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26.06.2025
Semiconductor Package Comprising an End-Fire Antenna Array
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.12.2023
Anhängig
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26.06.2025
Chip-To-Chip High-Speed I/o Links Enabled By Removable Waveguide Interconnect Bridges
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2023
Anhängig
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26.06.2025
Physical random access channel (prach) and physical uplink control channel (pucch) repetitions for subband non-overlapping full duplex (sbfd) operation
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.12.2024
Anhängig
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26.06.2025
Drahtlose Verbindung für Test
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2023
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Spannungsregler
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 13.11.2024
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Spannungsregelsysteme und Verfahren mit Einstellbarer Verstärkungs- und Abwärtsregelung
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 31.01.2020
Erteilt am 25.06.2025
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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25.06.2025
Rückseiten-Logikverbindungen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2025
Validität eines Modells der Künstlichen Intelligenz (ki)
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 20.12.2023
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Geographisches Routing
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.06.2025
Extrem-Ultraviolett (euv)-Gate-Strukturierung mit Variierenden Gate-Längen
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2025
Speicherbitzelle mit Ausgeglichenem Diffusionslayout
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 14.11.2024
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Leistungskonditionierungsschaltung zur Programmierung von Sicherungen im Feld
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 08.11.2024
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Paketarchitekturen mit Vertikal Gestapelten Chips und Spannungsdomänenstapelung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2025
Vorrichtung und Verfahren zur Angriffsresistenten Verschlüsselung und Entschlüsselung
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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25.06.2025
Vorrichtung und Verfahren zur Sicheren Zugangssteuerung pro Benutzer mit Feiner Granularität
Software & Datenverarbeitung
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25.06.2025
Ressourcenzuweisung für Benutzergerätepaarverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.06.2025
Vektorprozessor für Heterogene Datenströme
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 27.03.2020
Erteilt am 25.06.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
Zusammenfassung
A vector processor includes a grouping memory functional unit coupled to grouping memory having multiple bins. The vector processor also includes a bitformatting functional unit that performs bit-level data arrangements using any suitable technique or network, such as a Benes network. The vector processor receives and reads an input vector of data that includes portions (e.g., bits) of multiple data streams, and writes each portion corresponding to a respective data stream to a respective bin in parallel using the bitformatting functional unit to align the data. The vector processor also or alternatively receives and reads multiple outgoing data streams, writes portions of the data streams in respective bins of the grouping memory, and intersperses the portions in an outgoing vector of data in parallel, using the bitformatting functional unit to align the data. |
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25.06.2025
Echodetektionsvorrichtung, Echodetektor, Hostvorrichtung und Nichttransitorisches Computerlesbares Medium
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 12.11.2024
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Mit Durchkontaktierungsstrukturen Integrierte Kondensatoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2025
Musterbare Bond-Debond-Verfahren und Vorrichtungen
Optik & Fototechnik
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Wer vertritt Intel?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Intel vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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