Intel Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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26.648 gesamt| Patent | |||
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02.07.2025
Verfahren und Vorrichtungen für Intelligente Transportsysteme in einem Fahrzeug
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 27.12.2023
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Speicherintegrierter Selbsttest (mbist) und Bist-Adaptiver Port (bap) für Periodische In-Feld-Tests
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Zusammenfassung
A BIST (built-in self-test) adaptive port (BAP) interface enables an in-field MBIST (memory BIST). The BAP enables non-destructive testing of the memory locations. The BAP includes registers to store contents of the memory device during the in-field MBIST on the memory device. The BAP can store the starting address of the next infield periodic testing and operational data from a selected memory address in the registers while the MBIST controller performs the test on the memory address. The system can then restore the operational contents of the memory after the test is complete. |
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02.07.2025
Vorrichtung, System und Verfahren zur Dynamischen Zuweisung mittels Berechtigungsrahmen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 21.01.2016
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
FRKelly · Dublin
HGF Limited · Den Haag
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02.07.2025
Auf Neuronalem Netzwerk Basierte Systeme für Hochgeschwindigkeitsdatenverbindungen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 23.02.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Unterschiedlichen Epitaktischen Source- oder Drain-Strukturen und Bauelementetypen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Integrated circuit structures having varied epitaxial source or drain structures and device types are described. In an example, an integrated circuit structure includes a first plurality of horizontally stacked nanowires laterally spaced apart from a second plurality of horizontally stacked nanowires, each of the second plurality of horizontally stacked nanowires having a lateral width less than a lateral width of each of the first plurality of horizontally stacked nanowires. First epitaxial source or drain structures are at ends of the first plurality of horizontally stacked nanowires, each of the first epitaxial source or drain structures having a maximum lateral width. Second epitaxial source or drain structure are at ends of the second plurality of horizontally stacked nanowires, each of the second epitaxial source or drain structures having a maximum lateral width greater than the maximum lateral width of each of the first epitaxial source or drain structures. |
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02.07.2025
Vorrichtung, Verfahren und System zur Bestimmung eines Kreditbasierten Zugriffs auf eine Gemeinsame Schaltungsressource
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Io-Fabric-Leistungsverwaltung
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Verschachtelte Architekturen zur Erhöhten Heterogenen Integration
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.02.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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02.07.2025
Softwaredefinierte Superkerne
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Isolationswände mit Luftspalt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Latenzoptimierte Mechanismen zur Handhabung von Fehlern oder Fehlgeleiteten Paketen für Rechnerbusse
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 25.11.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Streaming-Fabric-Schnittstelle
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 25.08.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Erzeugung einer Halbleiterteststruktur auf der Basis einer Lithographischen Simulation
Optik & Fototechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Cachespeicherung zur Änderung der Namen von Registern
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Vorgefertigte Komponentenhybride zur Einbettung in einen Kern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Verbesserte Übergabe mit Niedriger Latenz für Mobile Wi-Fi-Vorrichtungen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 20.12.2022
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Schnittstellenbrücke zwischen Integriertem Schaltungschip
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 14.12.2017
Anhängig
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Technologien für Generative Ki für Lagerkommissionierung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Prozessoren, Verfahren, Systeme und Anweisungen zum Speichern und Wiederherstellen eines Geschützten Ausführungsumgebungskontexts
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Verfahren und Anordnungen für einen Rauscharmen Verstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.07.2025
Mehrfachzugriffsschema und Signalstruktur für D2D-Kommunikation
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.04.2013
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Intelligente Erfassung von Bildschirminhaltsaktualisierungen zur Benutzerkontextverarbeitung
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Verfahren und Vorrichtungen für Funkkommunikationsnetzwerke
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 27.12.2023
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Rückseitenkontakterweiterung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Integrated circuit structures having backside contact extensions are described. In an example, a structure includes a first and second pluralities of horizontally stacked nanowires or fins. First and second gate stacks are over the first and second pluralities of horizontally stacked nanowires or fins. An epitaxial source or drain structure is between the first and second pluralities of horizontally stacked nanowires or fin. A dielectric structure is over the first gate stack, over the second gate stack, and over the epitaxial source or drain structure, the dielectric structure having an opening over the epitaxial source or drain. A conductive structure is in the opening in the dielectric structure and on the epitaxial source or drain structure, the conductive structure having a top surface below a top of the opening. A conductive extension is on the conductive structure, the conductive extension in and protruding above the opening in the dielectric structure. |
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Direktem Rückseitigen Source- oder Drain-Kontakt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Vorderseitig Geführtem Rückseiten-Source- oder Drain-Kontakt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Verfahren zur Unterstützung von Multiverbindungsprotokollen für eine Verbindung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 30.05.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Verteilte Konvolution für Neuronale Netzwerke
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 18.12.2017
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Prozessoren, Verfahren, Systeme und Anweisungen zur Verwendung von Datenobjektumfanginformationen in Zeigern zum Informieren von Prädiktoren
Software & Datenverarbeitung
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02.07.2025
Herstellung von Rückseitenkontaktplatzhaltern mit Verbesserter Prozesssteuerung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Systeme zur Benutzergeräteantennenplatzierung und Energieeinsparung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Berechnungsoptimierungen für Maschinelle Lernvorgänge mit Geringer Genauigkeit
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 26.03.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Organisches Gehäusesubstrat mit Integriertem Piezoelektrischen Temperatursensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.05.2017
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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02.07.2025
Gaa-Feldeffekttransistoren mit Asymmetrischen Rückseitigen Source- und Oberseitigen Drain-Kontakten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.07.2025
Integrierte Schaltungsstruktur mit Vorderseitig Geschnittenem Rückseiten-Source- oder Drainkontakt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Integrated circuit structures having front-side-cut backside source or drain contacts are described. In an example, an integrated circuit structure includes a first gate stack over a first plurality of horizontally stacked nanowires or fin, and a second gate stack over a second plurality of horizontally stacked nanowires or fin. A first epitaxial source or drain structure is at an end of the first plurality of horizontally stacked nanowires or fin, the first epitaxial source or drain structure having a backside contact structure thereon. A second epitaxial source or drain structure is at an end of the second plurality of horizontally stacked nanowires or fin, the second epitaxial source or drain structure having a backside dielectric structure thereon, the backside dielectric structure laterally spaced apart from the backside contact structure. A dielectric gate cut plug is laterally between and in contact with the backside dielectric structure and the backside contact structure. |
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02.07.2025
Optimierte Compute-Hardware für Operationen des Maschinellen Lernens
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 30.04.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Physische Tastaturen für Rechenvorrichtungen mit mehreren Anzeigen
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 04.09.2020
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Gruppierte Palettenkompression
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 24.02.2016
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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02.07.2025
Technologien zur Dienstqualitätsbasierten Drosselung in Gewebearchitekturen
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 02.03.2017
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Samson & Partner Patentanwälte mbB · München
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02.07.2025
Ip-Multimedia-Subsystem und -Methode für die Reparatur von Mbms-Dateien unter Verwendung von Http-Servern
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 22.01.2013
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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Wer vertritt Intel?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Intel vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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