NXP Semiconductors Patente
🇳🇱 Niederlande
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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7.992 gesamt| Patent | |||
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12.08.2015
Verfahren und Einrichtung zur Frequenzsynchronisation einer Mobilstation mit einer Basisstation in einem Mobilen Kommunikationssystem
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 30.06.2004
Erteilt am 12.08.2015
Vertretung
Volmer, Georg · Aachen
Pennings, Johannes · Eindhoven
van der Veer, Johannis Leendert · Eindhoven
Ericsson · Stockholm
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12.08.2015
Analytnachweisverfahren und -vorrichtungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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12.08.2015
Spannungswandler
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 04.09.2002
Erteilt am 12.08.2015
Vertretung
Schouten, Marcus Maria · Eindhoven
van der Veer, Johannis Leendert · Eindhoven
Pennings, Johannes · Eindhoven
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05.08.2015
Hochfrequenzverstärker
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 29.11.2010
Erteilt am 05.08.2015
Vertretung
Crawford, Andrew · Nijmegen
Williamson, Paul Lewis · Eindhoven
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05.08.2015
Verstärkerschaltung und Verstärkungsverfahren
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.08.2015
Vollisoliertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.08.2015
Mischerschaltung und Verfahren zum Betrieb Dieser Mischerschaltung
Software & Datenverarbeitung
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.08.2015
System, Datenträger, Lesevorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Radumfanggeschwindigkeit und Distanz
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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Status
Angemeldet am 30.11.2005
Erteilt am 05.08.2015
Vertretung
Schouten, Marcus Maria · Eindhoven
van der Veer, Johannis Leendert · Eindhoven
Schneider, Michael · München
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05.08.2015
Bigfet ESD-Schutz der robust gegenüber der ersten Spitze eines System-Niveau-Pulses ist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.08.2015
Amalgam-basierter Leuchtstofflampensteuerkreis
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.08.2015
HF-Kommunikationsvorrichtung mit Zugangssteuerung für Host-Schnittstelle
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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29.07.2015
Randabschlussregion für Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.08.2010
Erteilt am 29.07.2015
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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29.07.2015
Einrichtung zum Empfangen eines Hf-Signals mit Durchschleifausgang und Verfahren zum Durchschleifen eines Hf-Eingangssignals durch eine Einrichtung zum Empfangen von Hf-Signalen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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22.07.2015
Sitzungsflaggensteuerung für RFID-Etiketten
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
Various exemplary embodiments relate to an integrated circuit (IC) including: an inventoried flag configured to indicate whether the integrated circuit has been inventoried in a current inventory round; and an event detector configured to detect a tag event at the integrated circuit and reset the inventoried flag based on the tag event. In various embodiments, the IC further includes a timer circuit configured to measure a predetermined time since the inventoried flag was set and to prevent the reset of the inventoried flag until the predetermined time has expired. |
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22.07.2015
Sensor, Sensor-Array sowie Verfahren zu deren Betrieb
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 07.10.2008
Erteilt am 22.07.2015
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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22.07.2015
Verfahren zur Charakterisierung einer LED-Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 09.05.2011
Erteilt am 22.07.2015
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
A method of characterising an LED is disclosed, based on a so-called characteristic resistance, in which the LED is operated at a first, relatively low, operating current and then at a second, relatively high, operating current. From the ratio between the difference between the forward voltages at these two operating currents, and the difference between the operating current, the characteristic resistance is determined. The characteristic resistance is measured at two or more moments during the operational lifetime of the device, and a prediction or estimate is made in relation to the total operational lifetime of the devices, from the evolution or change of the characteristic resistance. An integrated circuit configured to operate such a process is also disclosed. |
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15.07.2015
System und Verfahren zur Effizienten Stromversorgungsregelung, Kompatibel mit Hochfrequenzbetrieb
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 10.02.2006
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
White, Andrew Gordon · Eindhoven
Birchenough, Lewis · London
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15.07.2015
Nahfeld-Kommunikationsvorrichtungen mit Geringer Leistung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 14.04.2009
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
Schouten, Marcus Maria · Eindhoven
Williamson, Paul Lewis · Eindhoven
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15.07.2015
Sensorschaltung und Kalibrierverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 18.04.2012
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Crawford, Andrew · Nijmegen
Williamson, Paul Lewis · Eindhoven
Zusammenfassung
A read out circuit for a sensor uses a feedback loop to bias the sensor to a desired operating point, such as the maximal possible sensitivity, but without the problem of an instable sensor position as known for the conventional read-out with constant charge. The reference bias to which the circuit is controlled is also varied using feedback control, but with a slower response than the main bias control feedback loop. |
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15.07.2015
Auf- und Abwärtsabtastratenwandler
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 24.03.2004
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
Williamson, Paul Lewis · Eindhoven
White, Andrew Gordon · Eindhoven
Volmer, Georg · Aachen
Carpmaels & Ransford LLP · London
Carpmaels & Ransford · London
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15.07.2015
Vorrichtung und Verfahren zur Tfci-Dekodierung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 24.11.2005
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
van der Veer, Johannis Leendert · Eindhoven
Schneider, Michael · München
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15.07.2015
Erkennungsanordnung
Software & Datenverarbeitung
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08.07.2015
Sigma-Delta-Modulator
Elektronik & Schaltungstechnik
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01.07.2015
Bias-Schaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
Proposed is a bias circuit for a transistor in a C class amplifier. The bias circuit comprises: a class AB amplifier bias voltage generating means adapted to generate a bias voltage at an output terminal; and a transistor connected between the output terminal and a first reference voltage, the control terminal of the transistor being connected to a second reference voltage via a switch. Closure of the switch connects the second reference voltage to the control terminal of the transistor to cause a shift in the bias voltage generated by the class AB amplifier bias voltage generating means to achieve a predetermined class C bias voltage at the output terminal. |
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01.07.2015
Drahtlose Kommunikationsschaltung
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 02.01.2013
Erteilt am 01.07.2015
Vertretung
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01.07.2015
Verfahren für Videoaufzeichnungs- und -bearbeitungsassistenten
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 30.12.2013
Anhängig
Vertretung
Schouten, Marcus Maria · Eindhoven
Pfenning, Meinig & Partner mbB · Dresden
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01.07.2015
Chip mit mehrlagiger Rückseitenmetallisierung für Lötverbindung zu einem Substrat und entsprechendes Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.07.2015
Verfahren zur Verarbeitung eines Siliziumwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.07.2015
Verfahren und Vorrichtung zur Unterstützung der Abwärtsstrecken-Verbindungsdetektion in Tdd-Cdma-Systemen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 04.11.2004
Erteilt am 01.07.2015
Vertretung
Birchenough, Lewis · London
van der Veer, Johannis Leendert · Eindhoven
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01.07.2015
Simultanmehrbandsendeempfänger
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
The invention refers to an RF front-end (100) adapted to receive or transmit signals located in at least two separated frequency bands (100) comprising an input and an output and further comprising - a first phase shifter (5) coupled to the input of the RF front-end (100); - a second phase shifter (6) coupled to the output of the RF front-end (100); - the first phase shifter (1) being coupled to the second phase shifter (2) via a first amplifier (3) and second amplifier (4), respectively. |
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01.07.2015
Verfahren zur Betriebsmitteleinheitszuteilung für die Drahtlose Kommunikation, Teilnehmerstation und Basisstation
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 18.03.2008
Erteilt am 01.07.2015
Vertretung
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01.07.2015
Grafische Benutzerschnittstelle zur Videoaufnahmegerät
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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01.07.2015
Bestimmung der Lastimpedanz auf dem Chip einer Hf-Schaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 18.10.2007
Erteilt am 01.07.2015
Vertretung
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01.07.2015
Bustreiberschaltung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 08.10.2009
Erteilt am 01.07.2015
Vertretung
Crawford, Andrew · Nijmegen
Williamson, Paul Lewis · Eindhoven
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24.06.2015
Vorläufer einer verpackten elektronischen Komponente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2015
Drahtloses Laden und Kommunikation
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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24.06.2015
Sendeschaltung für eine Berührungslos Kommunizierende Partnerkommunikationsvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 30.06.2005
Erteilt am 24.06.2015
Vertretung
Schouten, Marcus Maria · Eindhoven
Röggla, Harald · Wien
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24.06.2015
Schaltmodusnetzteile und Steuerungen, und Verfahren zur Steuerung eines Schaltnetzteils
Elektrische Energietechnik
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24.06.2015
Halbleitervorrichtung und zugehöriges Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.06.2015
Kaskodenhalbleiterbauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
The invention provides a cascode transistor circuit with a main power transistor (10) and a cascode MOSFET (12) formed as an integrated circuit, packaged to form the cascode transistor circuit. A control and protection circuit (14) is integrated into the integrated circuit together and a storage capacitor (C1)provides an energy source to drive the control and protection circuit (14). A charging circuit (D1, D2) is also integrated into the integrated circuit for charging the storage capacitor (C1). |
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Wer vertritt NXP Semiconductors?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP Semiconductors vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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