NXP USA Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.629 gesamt| Patent | |||
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14.07.2021
Vorrichtung und Verfahren zur Unterdrückung von Störsignalen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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14.07.2021
Einachsiger Trägheitssensor mit Unterdrückten Parasitären Moden
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.12.2018
Erteilt am 14.07.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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14.07.2021
Tiefe Grabenisolation und Substratverbindung auf Soi
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.07.2021
Speicherschaltung mit Gleichzeitigen Schreibvorgängen und Verfahren dafür
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 05.03.2018
Erteilt am 07.07.2021
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
A memory circuit includes a plurality of memory tiles. Each memory tile in the plurality of memory tiles includes a plurality of bit cells and a control circuit coupled to the plurality of bit cells. The control circuit is configured to provide latched data to the plurality of bit cells during write operations. A first write control line is coupled to the control circuit in a first memory tile, and the first write control line is configured to initiate a first write operation in the first memory tile. And a second write control line is coupled to the control circuit in a second memory tile, and the second write control line configured to initiate a second write operation in the second memory tile. The second write operation may be initiated before the first write operation is completed. |
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07.07.2021
Wiederherstellung eines Unerreichbaren Knotens in Drahtlosen Mesh-Netzwerken
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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07.07.2021
Segmentierter Resistiver Digital-Analog-Wandler
Elektronik & Schaltungstechnik
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07.07.2021
Hochfrequenzvorrichtung mit Lichtbogenverhinderung mit Nichtlinearen Vorrichtungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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07.07.2021
Leistungsverstärkergehäuse mit Integrierten Passiven Vorrichtungen mit mehreren Pfaden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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07.07.2021
Hybridisolierung mit Tiefem Graben und Übergang
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.06.2021
Kommunikationseinheit, Integrierte Schaltung und Verfahren zur Taktverteilung und -Synchronisation
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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30.06.2021
Fehlererkennung in einem Niederspannungsdifferentialsignalsystem (lvds)
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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30.06.2021
Halbleiterbauelement mit einem Basisverbindungsbereich und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.06.2021
Cmos und Drucksensor, die auf einem Chip Integriert Sind, und Herstellungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.07.2017
Erteilt am 23.06.2021
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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16.06.2021
Vorrichtung zur Bestimmung einer Position eines Rotors eines Mehrphasigen Elektromotors
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 09.01.2013
Erteilt am 16.06.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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16.06.2021
Erzeugung Elektrischer Energie in einem Fahrzeugreifen
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 03.08.2016
Erteilt am 16.06.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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16.06.2021
Integrierter Kapazitiver Feuchtesensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 07.02.2017
Erteilt am 16.06.2021
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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16.06.2021
Breitband-Leistungstransistorvorrichtungen und -Verstärker mit T-Abgleich- und Oberwellenabschlussschaltungen am Ausgang und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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16.06.2021
Frequenzsynthesizer mit Phasenrauschtemperaturkompensation, Kommunikationseinheit und Verfahren dafür
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.06.2021
Substratbehandlungsverfahren für Halbleiterbauelementeherstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2018
Erteilt am 09.06.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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09.06.2021
Verstärker und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.06.2021
Schaltung eines Flüchtigen Latch mit Backup eines Manipulationsbeständigen Nichtflüchtigen Latch
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 21.12.2017
Erteilt am 02.06.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Terblanche, Candice Jane · Redhill
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02.06.2021
Temperaturdetektionsschaltung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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26.05.2021
Rc-Oszillator mit Kompensation des Komparatorversatzes
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 18.07.2019
Erteilt am 26.05.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
A comparator-based oscillator generates an output frequency that is relatively independent of comparator offset voltages. Charging/discharging circuitry controls the comparator input voltage, and logic circuitry generates the oscillator output (e.g., clock) signal and controls the charging/discharging circuitry. During an oscillator charging cycle, the charging/discharging circuitry drives the voltage at the comparator input node from a relatively low initial charging voltage level up to the comparator reference voltage. During an oscillator discharging cycle, the charging/discharging circuitry drives the voltage at the comparator input node from a relatively high initial discharging voltage level down to the comparator reference voltage. The initial charging and discharging voltage levels depend on the comparator reference voltage, such that a comparator offset voltage directly affects the initial charging and discharging voltage levels, thereby keeping the output frequency relatively unchanged. |
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26.05.2021
Halbleitervorrichtung und Treiberschaltung mit Abfluss- und Isolationsstruktur, die miteinander durch eine Diodenschaltung verbunden sind, und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.06.2013
Erteilt am 26.05.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Potts, Susan Patricia · Basingstoke
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Zusammenfassung
Embodiments of semiconductor devices (200, 600, 700, 1100, 1300) and driver circuits (110) include a semiconductor substrate (210, 610, 710, 1110, 1310) having a first conductivity type, an isolation structure (including a sinker region (222, 622, 722, 1122, 1322, 1610, 1710) and a buried layer (220, 620, 720, 1120, 1320)), an active device within an area (230, 630, 730, 1130, 1330, 1520, 1620, 1720, 1820) of the substrate contained by the isolation structure, and a diode circuit (160). The buried layer is positioned below the top substrate surface (212, 612, 712, 1112, 1312), and has a second conductivity type. The sinker region extends between the top substrate surface and the buried layer, and has the second conductivity type. The active device includes a drain region (236, 636, 736, 1136, 1336) of the second conductivity type, and the diode circuit is connected between the isolation structure and the drain region. The diode circuit may include one or more Schottky diodes (346, 446, 546, 1245, 1445) and/or PN junction diodes (846, 946, 1046, 1246, 1446, 1447). In further embodiments, the diode circuit may include one or more resistive networks (410, 510, 910, 1010) in series and/or parallel with the Schottky and/or PN diode(s). |
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26.05.2021
Hochfrequenzempfängerschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 07.08.2018
Erteilt am 26.05.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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26.05.2021
Digital-Analog-Wandler
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.05.2021
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.02.2011
Erteilt am 05.05.2021
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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05.05.2021
Sicherheitsschaltung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 30.05.2016
Erteilt am 05.05.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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05.05.2021
Kommunikationseinheit und Verfahren zur Taktverteilung und Synchronisation
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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05.05.2021
Eingebettete Testschaltung und Verfahren dafür
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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05.05.2021
Trägheitssensorabtastung mit Kombinierten Abtastachsen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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28.04.2021
Verstärkervorrichtungen mit Übertragungsleitungskombinator in einem Gehäuse
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.12.2016
Erteilt am 28.04.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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21.04.2021
Transistor mit Nichtkreisförmigen Durchkontaktierungen in Zwei Orientierungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.04.2021
Verfahren und Systeme zur Anpassung der Zellenvorspannungszustände für Programmierungs-/Löschvorgänge eines nichtflüchtigen Speichers basierend auf der Betriebstemperatur zur Verringerung von Leistungsverschlechterung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 19.07.2013
Erteilt am 14.04.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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14.04.2021
Redundante Spannungsmessungen für Batterieverwaltungssysteme
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 09.10.2019
Anhängig
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
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07.04.2021
Vorrichtung für Schnelle Fourier-Transformationen und Verfahren zur Durchführung einer Schnellen Fourier-Transformation
Software & Datenverarbeitung
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Angemeldet am 06.11.2013
Erteilt am 07.04.2021
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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07.04.2021
Antenne mit Schaltbarem Strahlmuster
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.03.2021
Steuergerät
Elektrische Energietechnik
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24.03.2021
Spannungsregler mit Laststromvorhersage und Verfahren dafür
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Zusammenfassung
A voltage regulator includes first and second bias circuits, a transistor, and a load prediction circuit. The transistor has a first current electrode coupled to a first power supply voltage terminal, a second current electrode for providing a regulated output voltage, and a control electrode. The first biasing circuit is for providing a first bias voltage to the control electrode of the transistor in response to a feedback signal generated from the regulated output voltage. The second biasing circuit is for providing a second bias voltage to the control electrode of the transistor in response to a control signal. The load current prediction circuit is coupled to the second biasing circuit. The load prediction circuit is for providing the control signal to the second biasing circuit in response to determining that a load current at the second current electrode is expected to increase. |
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24.03.2021
Konfliktbasierte Ofdma-Kommunikation
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Angemeldet am 11.04.2016
Erteilt am 24.03.2021
Vertretung
Krott, Michel · Eindhoven
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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Wer vertritt NXP USA?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP USA vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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