STMicroelectronics International Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.265 gesamt| Patent | |||
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05.03.2025
Speicherinternes Rechnersystem mit Segmentierter Speicherarchitektur mit Lokaler Speicherarrayauswahl zur Gleichzeitigen Durchführung mehrerer Unabhängiger Operationen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.03.2025
Steuervorrichtung und Verfahren zum Schalten eines Spannungsreglers
Elektrische Energietechnik
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05.03.2025
Vertikales Leistungsbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2025
Schreibverfahren in einem Phasenwechselspeicher
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.03.2025
Steuervorrichtung für einen Schaltspannungsregler und Steuerverfahren
Elektrische Energietechnik
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05.03.2025
Verbundwerkstoff mit Piezoelektrischen Eigenschaften, dessen Herstellungsverfahren und Elektronisches Bauteil mit dem Verbundwerkstoff
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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05.03.2025
Verarbeitung mit Umgekehrtem Ätzen eines Hemt mit Vertieftem Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.02.2025
Devices and methods for consumer device cardholder verification
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 22.08.2023
Anhängig
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26.02.2025
Teilkettenrekonfiguration zur Prüfzeitreduktion
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 05.08.2024
Anhängig
Vertretung
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26.02.2025
Verfahren zum Testen Synchroner Domänen Während eines Blockierten Tests
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 11.06.2024
Anhängig
Vertretung
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26.02.2025
Vorrichtungsschnittstelle in einem Host zur Debug-Authentifizierung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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26.02.2025
Abtastschaltung und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 13.01.2022
Erteilt am 26.02.2025
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26.02.2025
Schaltung und Verfahren zur Erfassung und zum Transport von Datenfehlern
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 11.08.2021
Erteilt am 26.02.2025
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26.02.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung, Zugehöriges Verfahren und System
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 02.08.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A device (20), comprising a memory array (28) comprising memory cells arranged in a set of memory portions (280, 282) and addressable via a pair of row and column values, wherein each memory portion in the set of memory portions (280, 282) comprises at least one sector of memory cells (S) arranged in rows and columns. The device (20) comprises: a set of sense amplifier circuits (240) coupled to and interposed adjacent memory portions in the set of memory portions (280, 282) of the memory array (28); a control circuit (CL) configured to provide at least one address signal (AS) indicative of a pair of row and column values to localize at least one addressed memory cell in the memory array (28), the control circuit (CL) being further configured to issue read or write access requests towards the at least one addressed memory cell in the memory array (28); a first set of access devices (YO) configured to be made conductive to couple (LBL) an addressed memory cell in a respective memory portion of the set of memory portions (280, 282) of the memory array (28) to the respective sense amplifier circuit in the set of sense amplifier circuits (240) in response to a read access request issued by the control circuit (CL); a second set of access devices (11) configured to be made conductive to couple an addressed memory cell in a respective memory portion of the set of memory portions (280, 282) of the memory array (28) to the programming bitline (WL) in response to a write access request issued by the control circuit (CL). |
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19.02.2025
FinFET-Vorrichtung mit isoliertem Kanal
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Despite improvements in FinFETs and strained silicon devices, transistors continue to suffer performance degradation as device dimensions shrink. These include, in particular, leakage of charge between the semiconducting channel and the substrate. An isolated channel FinFET device prevents channel-to-substrate leakage by inserting an insulating layer between the channel (fin) and the substrate. The insulating layer isolates the fin from the substrate both physically and electrically. To form the isolated FinFET device, an array of bi-layer fins can be grown epitaxially from the silicon surface, between nitride columns that provide localized insulation between adjacent fins. Then, the lower fin layer can be removed, while leaving the upper fin layer, thus yielding an interdigitated array of nitride columns and semiconducting fins suspended above the silicon surface. A resulting gap underneath the upper fin layer can then be filled in with oxide to isolate the array of fin channels from the substrate. |
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13.02.2025
Methods, systems, and apparatuses for calibrating interleaved power factor correction (pfc) circuits
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 10.08.2023
Anhängig
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13.02.2025
Methods, systems, and apparatuses for predicting load weights associated with rotatable drums
Textiltechnik
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Status
Angemeldet am 08.08.2023
Anhängig
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13.02.2025
Improved methods for avoiding unintentional operations associated with near-field communications
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 10.08.2023
Anhängig
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12.02.2025
Hubgestenerkennung mit Geringem Stromverbrauch und Schüttelunterdrückung
Software & Datenverarbeitung
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12.02.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer Programmtreiberschaltung mit einem Spannungsbegrenzer
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Erteilt am 12.02.2025
Vertretung
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05.02.2025
Herstellungsverfahren für Siliciumcarbid-Leistungsbauelemente mit Variabler Dotierungsdichte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.02.2025
Signalverarbeitungsverfahren, Zugehörige Schaltung, Vorrichtung, Radarsystem und Fahrzeug
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 19.06.2024
Anhängig
Vertretung
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05.02.2025
Mikroelektromechanische Vorrichtung mit Rückstellung nach Haftreibung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.02.2025
Verfahren zur Kointegration von Pcm-Arrays mit Verschiedenen Phasenänderungsmaterialien und die Beiden Pcm-Arrays Verwendendes Speicherinternes Rechnersystem
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.02.2025
Verfahren zur Verbesserung der Passivierungsschichthaltbarkeit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.01.2025
Vier-Vingt-Dix-Hybridkoppler
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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29.01.2025
Systeme und Verfahren zur Erkennung einer Stationären Oberfläche
Software & Datenverarbeitung
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29.01.2025
Verfahren zur Vertraulichkeit von Versendeten Daten, Geschützt durch Verschlüsselung, und Entsprechendes System
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.07.2024
Anhängig
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29.01.2025
Herstellungsverfahren einer Elektronischen Halbleitervorrichtung mit Verschiedenen Elektronischen Komponenten und Elektronische Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.01.2025
Herstellungsverfahren einer Elektronischen Halbleitervorrichtung mit Verschiedenen Elektronischen Komponenten und Elektronische Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.01.2025
Elektronische Halbleitervorrichtung mit Integrierter Elektronischer Komponente auf Heterostrukturbasis und mit Reduzierter Mechanischer Spannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.01.2025
Elektronische Halbleitervorrichtung mit einem Elektronischen Bauteil auf Heterostrukturbasis und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.01.2025
Datenkommunikation für Galvanisch Isolierten Gleichspannungswandler in Vollintegrierter Architektur mit Kernlosem Transformator
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.07.2024
Anhängig
Vertretung
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29.01.2025
Verfahren und Vorrichtung zum Lernen auf einer Vorrichtung auf der Basis mehrerer Instanzen von Inferenzarbeitslasten
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a method of training a neural network (Net1) using a circuit comprising a memory (104) and a processing device (102), the method comprising: performing a first forward inference pass through the neural network based on input features to generate first activations, and generating an error based on a target value, and storing said error to the memory (104); and performing, for each layer of the neural network (Net1): a modulated forward inference pass; before, during or after the modulated forward inference pass, a second forward inference pass based on said input features to regenerate one or more first activations; and updating one or more weights in the neural network (Net1) based on the modulated activations and said one or more regenerated first activations. |
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22.01.2025
Belastungskalibrierungsverfahren, Zugehörige Elektronische Vorrichtung und Fahrzeug
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 12.06.2024
Anhängig
Vertretung
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22.01.2025
Schockintensitätsschätzung im Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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22.01.2025
Empfangseinrichtung für einen Zweidrahtbus
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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22.01.2025
Testzeitoptimierung mit Wenigen Langsamen Scan-Pads
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.05.2024
Anhängig
Vertretung
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22.01.2025
Robuste Speicherung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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16.01.2025
Authentifizierungsverfahren zur Verwendung bei der Paarung einer Peripherievorrichtung mit einer Begleitvorrichtung über eine Hostvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Wer vertritt STMicroelectronics International?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics International vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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