CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) Patente

La présente description concerne un système de pilotage configuré pour fournir et/ou recevoir dans un réservoir tampon, une quantité d'une ressource destinée à ou reçue d'un système cible (102), le système de pilotage comprenant : - au moins un capteur (106) configuré pour mesurer, périodiquement et dans un premier intervalle de temps, des quantités de la ressource fournie et/ou reçue ; - un dispositif de traitement (110) configuré pour effectuer une opération de traitement sur les mesures effectuées par l'au moins un capteurs, l'opération de traitement correspondant à la génération d'une première série temporelle dont les valeurs sont des cumuls des quantités mesurées à plusieurs instants temporels ; le dispositif de traitement comprenant en outre un réseau de neurones (202) pour générer au moins une estimation de quantité sur la base de la première série temporelle, et pour commander un actionneur (108).

L'invention se rapporte à un procédé d'amélioration de la précision de la position d'un porteur mobile, comprenant des étapes de :S1) prédiction d'une position du porteur mobile (1), et détermination d'un ensemble de distances prédites ( dk,Jrad^j=1:Nobs) entre le porteur mobile (1) et un ensemble d'obstacles (2, 3, O^j) dans l'environnement du porteur mobile (1) ;S2) acquisition d'une réponse impulsionnelle de canal (CIR) entre un premier nœud (T1) et un deuxième nœud (T0), au moins un des deux nœuds (T1, T0) étant embarqué sur le porteur mobile (1) ;S3) détermination d'un ensemble de composantes multi-trajets ( dk,iradi=1:NMPC) à partir de la réponse impulsionnelle de canal (CIR) ;S4) association d'au moins une distance prédite ( dk,Jrad^j=1:Nobs) à au moins une composante multi-trajet ( dk,iradi=1:NMPC) correspondante de façon à obtenir un ensemble de distances mises à jour ( dk,irad,Oj) entre le porteur mobile (1) et l'ensemble d'obstacles (2, 3, O^j).

Circuit électronique de mémoire vive comprenant une matrice (100) de cellules mémoires (10) incluant chacune au moins un pilier magnétique et une ligne à effet Hall de spin interagissant par couplage spin-orbite et formant un tripôle, chaque cellule (10) comprenant de plus un moyen de sélection de la connexion aux bornes dudit tripôle, a. un terminal (WL(k)) de chaque cellule étant relié dans le circuit pour la sélection de cellules mémoires de la matrice selon une première dimension de la matrice à l'aide des moyens de sélection des cellules mémoires, b. et une paire de terminaux (BL(i), BLB(i)) de chaque cellule étant reliée dans le circuit pour permettre une application commune, à des cellules mémoires de la matrice sélectionnées selon une deuxième dimension de la matrice, d'une énergie électrique pour la lecture ou l'écriture d'une information magnétique dans le pilier. Ladite énergie électrique étant appliquée en faisant circuler un courant contrôlé par un circuit de pilotage en courant (111).

L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif photonique (D1) comprenant les étapes suivantes :(i) fournir une structure de guidage optique (WG) disposée sur une première couche en SiO2 thermique ; la première couche (C1) étant disposée sur une première face d'un substrat (SUB) en un matériau semi-conducteur ;(ii) graver la seconde face opposée à la première face du substrat en dessous d'au moins une partie de structure de guidage optique jusqu'à la première couche (C1) en SiO2 thermique de manière à obtenir une membrane (M1) formée par une partie de la première couche suspendue au-dessus d'une cavité (CV) délimitée par deux piliers (PL1, PL2) ; la structure de guidage optique étant disposée sur ladite membrane ;(iii) déposer une deuxième couche (C2) en SiO2 sur la première couche (C1) du côté de la cavité (CV) de manière à augmenter l'épaisseur de la membrane (M1).

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Procédé de mesure de la phase d'une impédance complexe comprenant: a) appliquer un signal d'excitation (s<ex>) à une fréquence f<ex> ; b) acquérir un premier signal analogique (u<v>) représentatif d'une tension; c) acquérir un second signal analogique (u<i>), représentatif d'un courant ; d) convertir lesdits signaux analogiques en un premier (U<v>) et un deuxième (U<i>) signal numérique ; e) générer une réplique (Û<j>) retardée dudit deuxième signal numérique ; f) calculer un troisième (M<n>) signal numérique en multipliant le premier signal numérique par la réplique retardée du deuxième signal numérique, et un quatrième (M<d>) signal numérique en multipliant le premier signal numérique par le deuxième signal numérique ; g) appliquer un filtrage numérique passe-bas (FPB1, FPB2); h) déterminer ladite phase (φ̂) en fonction d'un rapport entre les signaux filtrés et de la fréquence f<ex> par application d'une table de correspondance (LUT<DE>). Appareil pour la mise en oeuvre d'un tel procédé.

La présente invention concerne un circuit neuromorphique propre à mettre en œuvre un réseau de neurones, le circuit neuromorphique comprenant :- des lignes de mots,- des paires de lignes de bits complémentaires,- des lignes de source,- un ensemble de cellules élémentaires,- un circuit électronique implémentant un neurone présentant une sortie et comportant :- un ensemble de composants logiques,- une unité de comptage,- une unité de comparaison comportant un comparateur et un générateur de tension de comparaison, le comparateur étant propre à comparer la sortie de l'unité de comptage à la tension de comparaison générée par le générateur de tension de comparaison pour émettre en sortie un signal dépendant de la comparaison et correspondant à la sortie du circuit électronique implémentant un neurone.

Il est proposé un système analytique en phase gazeuse (1) comprenant une unité d'injection (12) configurée pour injecter un échantillon à analyser comprenant au moins un composé chimique, une unité (14) d'introduction d'un flux de gaz vecteur, une colonne (16) de transport, et un dispositif de détection (18), le ou les composés chimiques étant entraînés par le gaz dans la colonne (16) jusqu'au dispositif (18). Le dispositif (18) est un détecteur optique comprenant au moins un capteur interférométrique de Mach-Zehnder (185) alimenté par une source optique (183) et intégré dans une structure micro-fluidique (181, 182), le capteur (185) comprenant un bras sensible (185-3) exposé au(x) composé(s) chimique(s) et un bras de référence (185-2) imperméable aux composé(s) chimique(s), le(s) capteur(s) (185) étant adapté(s) pour détecter optiquement le passage du ou des composés chimiques au travers du bras sensible (185-3).

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L'invention concerne une balise de détection (1) destinée à détecter une présence d'une source d'irradiation photonique et/ou neutronique. La balise comporte au moins un premier détecteur (10), de type scintillateur organique et au moins un deuxième détecteur (20), de type scintillateur inorganique. Le scintillateur inorganique du deuxième détecteur comporte un isotope de capture, propice à une capture de neutrons, notamment des neutrons thermiques ou intermédiaires. La balise comporte une unité de traitement (30), permettant une caractérisation de la source à partir des signaux de détection générés par chaque premier détecteur et par chaque deuxième détecteur.

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La présente description concerne une cellule mémoire à changement de phase (301) comprenant : - une première couche en un matériau à changement de phase (215) ; - un élément chauffant (209) situé sous la première couche (215) ; - une deuxième couche isolante (203) revêtant un flanc de l'élément chauffant (209) ; et - un premier empilement comportant une troisième couche d'encapsulation (303) revêtant les faces latérales de la deuxième couche (203) et une quatrième couche d'encapsulation (305) revêtant la troisième couche (303) et étant en un matériau présentant une densité inférieure à celle du matériau de la troisième couche (303).

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Dispositif électronique quantique doté : - d'un premier ensemble de régions semi-conductrices (102L, 104L), - d'un deuxième ensemble de régions semi-conductrices (102R, 104R), le premier ensemble de régions semi-conductrices (102L, 104L) étant disposé en vis-à-vis du deuxième ensemble de régions semi-conductrices (102R, 104R), au moins une région diélectrique (RD) séparant le premier ensemble de régions semi-conductrices (102R, 104R) du deuxième ensemble de régions semi-conductrices (102R, 104R), ladite région diélectrique (RD) étant prévue avec une composition hétérogène de sorte à empêcher un couplage électrostatique entre une première région semi-conductrice inférieure (102L) et une deuxième région semi-conductrice supérieure (104R), et de sorte à empêcher un couplage électrostatique entre une première région semi-conductrice supérieure (104L) et une deuxième région semi-conductrice inférieure (102R).

The invention relates to a microelectronic device (1) comprising a first transistor (100) comprising a first drain and a first source, a first doped area (110) constituting one of the first drain and the first source, a second doped area (120) constituting the other of the first drain and the first source, a second transistor (200) comprising a second drain and a second source, a third doped area (210) constituting the second source or the second drain, a fourth doped area (220), constituting the other of the second drain and the second source, a dielectric layer (300) having an upper face (301) in contact with the four doped areas and a rear gate (400) in contact with a lower face (302) of the dielectric layer. The second doped area and the fourth doped area form a common electrode (1000).

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