Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Patente
🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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8.392 gesamt| Patent | |||
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29.05.2024
Verfahren zum Nachweis von Scatol in Männlichem Schweinefett
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 27.11.2023
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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29.05.2024
Maskierung einer Zone an der Kante eines Donor-Substrats Während eines Ionenimplantationsschrittes
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.02.2018
Erteilt am 29.05.2024
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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22.05.2024
Doppelvisier für Beobachtungsvorrichtung
Optik & Fototechnik
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22.05.2024
Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronischen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention relates to a method for manufacturing a microelectronic device from a semiconductor-on-insulator substrate, said device comprising active components (23) formed in active areas of the substrate (10) separated by isolation trenches and which are delimited by first flanks (19B), said isolation trenches being filled, at least in part, with a first dielectric material, the method comprising: a step of chemically etching a passive section (21) of the first bottom of the isolation trenches intended to generate, at said section, a quadratic mean roughness of between 2 nm and 6 nm, a step of forming a passive component (27), covering the first dielectric material and directly above the passive section (21). |
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22.05.2024
Vorrichtung zur Detektion und Identifizierung von Hf-Signalen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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22.05.2024
Pixel für Infrarot-Bildgeber mit Bdi-Vorspannung und Aktiver Rücksetzung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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22.05.2024
Festbett-Rohrreaktor
Verfahrens- & Trenntechnik
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22.05.2024
Verfahren zur Herstellung von Pyrokohlenstoff mit einer Vorbestimmten Mikrostruktur
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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22.05.2024
Spannsystem für ein Elektrochemisches Modul
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.07.2022
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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22.05.2024
Verfahren zur Herstellung einer Organischen Elektrolumineszenten Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.05.2024
Halbleiterstruktur mit Verbesserter Spannungsfestigkeit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.09.2016
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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15.05.2024
Herstellung und Aktivierung von Elektroden auf Basis von Amorphem Dlc durch Elektrochemische Behandlung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 19.12.2022
Erteilt am 15.05.2024
Vertretung
Ipsilon · Bourg-la-Reine
Cabinet Nony · Paris
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15.05.2024
Elektronische Vorrichtung zum Verbinden einer Ersten Elektronischen Komponente mit einer Zweiten Elektronischen Komponente, System mit einer Solchen Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Solchen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Un aspect de l'invention concerne un dispositif électronique (DI) comprenant une première surface (S1) et une deuxième surface (S2) opposée à la première surface (S1) et destiné à connecter un premier composant électronique (CE1) à un deuxième composant électronique (CE2) situés sur la première surface (S1) au moyen d'au moins une piste conductrice (PC), la piste conductrice (PC) comprenant une pluralité de sections (SE) disposées les unes à la suite des autres de sorte à former la piste conductrice (PC), chaque section (SE) étant constituée d'un matériau supraconducteur choisi de sorte à former avec la section (SE) qui la suit, si une telle section (SE) existe, et la section (SE) qui la précède, si une telle section (SE) existe, une interface de désadaptation acoustique (IA) (ou interface Kapitza). L'invention concerne également un premier procédé et un deuxième procédé permettant d'obtenir un tel dispositif. |
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15.05.2024
Verfahren zur Integration einer Iii-V-Komponente auf Silizium und auf Silizium Integrierte Iii-V-Komponente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
L'invention porte sur un procédé d'intégration sur silicium d'un composant (23) III-V, comprenant les étapes suivantes : - Fournir un premier substrat (1) comprenant une couche optique (122) à base de silicium, comprenant un guide d'onde (120), - Reporter un deuxième substrat (2) à base de matériau III-V sur la couche optique (122), - Former le composant III-V (23) à partir dudit deuxième substrat (2), de sorte à permettre un couplage entre le guide d'onde (120) et ledit composant III-V (23), et en conservant une couche (221) à base de matériau III-V s'étendant latéralement, - Former par épitaxie à partir de ladite couche (221), une structure (24) à base d'InP:Fe bordant latéralement le composant III-V (23), - Former une couche (250) comprenant des contacts (251, 252) destinés à contacter le composant III-V (23), - Reporter un troisième substrat (3) à base de silicium sur ladite couche (250) comprenant les contacts III-V. |
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15.05.2024
Festbett-Rohrreaktor
Verfahrens- & Trenntechnik
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15.05.2024
Speichereinheit für Elektrische Energie und Verfahren zur Herstellung einer Solchen Einheit
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.05.2024
Automatisiertes System zur Regulierung des Blutzuckers eines Patienten
Medizintechnik & Gesundheit
Software & Datenverarbeitung
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15.05.2024
Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronischen Vorrichtung mit T-Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.05.2024
Antennevorrichtung umfassend mindestens Zwei Antennen und Electrische Verbindung auf Gleichem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.08.2019
Erteilt am 15.05.2024
Vertretung
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10.05.2024
Electrochemical battery of which the liquid-electrolyte-impregnated separator has zones with different thermal stability properties
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.11.2023
Anhängig
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10.05.2024
Magnetic tunnel junction, array of magnetic tunnel junctions, and associated fabrication method
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.10.2023
Anhängig
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10.05.2024
Magnetic device and corresponding method
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.10.2023
Anhängig
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08.05.2024
Verfahren zur Herstellung eines 6061-Aluminiumlegierungsteils durch Generative Fertigung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 23.06.2022
Anhängig
Vertretung
Brevalex · Courbevoie
Santarelli · Paris La Défense
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08.05.2024
Herstellung eines Aktiven Materials für eine Referenzelektrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2024
Herstellung einer Referenzelektrode aus einem Elektroaktiven Material in einem Zwischenladungszustand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2024
Verfahren zur Verarbeitung von Messungen eines Wärmeleitungssensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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08.05.2024
Verfahren zur Analyse von Verdampfungsgasen, Computerprogrammprodukt, Analysesystem und damit Verbundene Generative Fertigungseinrichtung
Kunststoff- & Polymertechnik
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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08.05.2024
Nona-Pixel-Farbfilteranordnung
Software & Datenverarbeitung
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08.05.2024
Verfahren zur Co-Herstellung eines Ferroelektrischen Speichers und eines Resistiven Oxram-Speichers und Vorrichtung mit einem Ferroelektrischen Speicher und einem Resistiven Oxram-Speicher
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
L'invention concerne un procédé de co-fabrication d'une FeRAM et d'une OxRAM comportant les étapes suivantes :- dépôt d'une couche de première électrode 201 réalisée de manière identique pour la zone Z1 et la zone Z2 ;- dépôt d'une couche de matériau actif à base de dioxyde d'hafnium réalisée de manière identique pour Z1 et Z2 ;- dépôt d'une première couche conductrice 204 réalisée de manière identique pour Z1 et Z2 ;- réalisation d'un masque au niveau de Z2 en laissant libre Z1 ;- retrait de la couche 204 au niveau de Z1, Z2 étant protégée par le masque ;- retrait du masque au niveau de Z2 ;- dépôt d'une seconde couche conductrice 206 en contact avec la couche 204 au niveau de Z2 et en contact avec la couche 203 au niveau de Z1, le matériau de la couche 206 étant choisi pour créer des lacunes d'oxygène dans la couche active et dépôt d'une troisième couche conductrice réalisée de manière identique pour Z1 et Z2. |
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08.05.2024
Verfahren zur Lokalisierung eines Fahrzeugs
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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08.05.2024
Bestimmung der Effizienz eines Elektrischen Akkumulators durch Umwandlung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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08.05.2024
Unterwasser-Messsystem, das mit einer Antifouling-Vorrichtung Ausgestattet Ist
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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08.05.2024
Automatische und Selbstoptimierte Bestimmung der Ausführungsparameter einer Softwareanwendung auf einer Informationsverarbeitungsplattform
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 14.06.2019
Erteilt am 08.05.2024
Vertretung
Novagraaf Technologies · Asnières-sur-Seine
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02.05.2024
Integrated optical sensor for diffuse reflectance spectroscopy
Medizintechnik & Gesundheit
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 26.10.2023
Anhängig
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01.05.2024
Magnetische Vorrichtung und Entsprechendes Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
An aspect of the invention concerns a method to fabricate a magnetic device (4) from a dielectric layer (3) having a through-hole, so called "via", the method comprising:- forming a tunnel junction (41) on the dielectric layer (3) comprising:- a first magnetic layer, intended to form a said "free layer" (411); and- a second magnetic layer, intended to form a said "reference layer" (412),- an insulator layer, intended to form a "tunnel barrier" (413);the free layer (411) or the reference layer (412) being located in the via and being surrounded by the dielectric layer (3). |
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01.05.2024
Verfahren zur Herstellung eines Elektronischen Leistungsbauelements und Bauelement Erhalten durch Dieses Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.05.2024
Vorrichtung zur Messung mindestens einer Physikalischen Grösse und Verfahren zur Bestimmung davon
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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01.05.2024
Verfahren zur Bestimmung eines Korrigierten Abstandes
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.05.2024
Optische Bildanzeigevorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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01.05.2024
Bildgebungsverfahren mit Bodenradar und Zugehörigem Bodenradar
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.06.2022
Anhängig
Vertretung
Santarelli · Paris La Défense
Brevalex · Courbevoie
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Wer vertritt Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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