Infineon Technologies Austria Patente
🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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680 gesamt| Patent | |||
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23.11.2022
Lateraler Kernloser Transformator
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 06.07.2021
Erteilt am 23.11.2022
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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23.11.2022
Halbleiterchip mit einer Transistorvorrichtung und Verfahren zu Seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Anhängig
Vertretung
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23.11.2022
Halbleiterchip mit Vertikaler Leistungstransistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Anhängig
Vertretung
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23.11.2022
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterpackung mit Anschlussfahne
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.11.2022
Stromversorgungssystem und Steuerung in einer Seriellen Dynamischen Lastkonfiguration
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 17.05.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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23.11.2022
Stromversorgungsüberwachung und Schaltsteuerung
Elektrische Energietechnik
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09.11.2022
Halbleitergehäuse mit einer Kratzschutzschicht und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.11.2022
Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.09.2018
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
Zusammenfassung
In an embodiment, a semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a first major surface, a trench extending from the first major surface into the semiconductor substrate and having a base and a side wall extending form the base to the first major surface, a field plate arranged in the trench and an enclosed cavity in the trench. The enclosed cavity is defined by insulating material and is laterally positioned between a side wall of the field plate and the side wall of the trench. |
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02.11.2022
Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.09.2018
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.11.2022
System und Verfahren zur Ansteuerung eines Leistungsschalters in Kombination mit Geregelter Di/dt Und/oder Dv/dt
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.06.2019
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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02.11.2022
Halbleitermodul mit einer aus einem Formkörper Freigelegten Bonddrahtschleife und Verfahren zu Seiner Herstellung
Kunststoff- & Polymertechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.10.2022
Flying-Capacitor-Spannungssteuerung in einem Verstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.12.2019
Erteilt am 26.10.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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19.10.2022
Verfahren zum Betrieb einer Superjunction-Transistorvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.03.2019
Erteilt am 19.10.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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05.10.2022
Leiterrahmen, Halbleiterpackung und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.08.2018
Erteilt am 05.10.2022
Vertretung
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05.10.2022
Verfahren zum Verbinden vom einem Halbleiterchip mit einem Substrate unter Verwendung von Diffusionslöten von Vorformen; Entsprechende Halbleitereinrichtung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 04.11.2020
Erteilt am 05.10.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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05.10.2022
Verfahren und Steuerungsschaltung zum Betrieb eines Resonanzwandlers
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 31.03.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.09.2022
Verfahren zur Herstellung eines Superjunction-Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.09.2022
Halbleiterbauelement, Elektronikkomponente und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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28.09.2022
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.10.2018
Erteilt am 28.09.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.09.2022
Halbleiterbauelement mit Grabenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2022
Stromversorgungssteuerung und Verwendung von Erzeugtem Rampensignal
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 06.06.2018
Erteilt am 14.09.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.09.2022
Halbleiterbauelement mit einem eine Nisi-Schicht und eine Niv-Schicht Aufweisenden Schichtstapel zum Befestigen auf einer Elektrisch Leitenden Schicht, Verfahren zu dessen Herstellung und Entsprechende Befestigte Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.03.2021
Anhängig
Vertretung
Infineon Patent Department · München
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.09.2022
Geformte Halbleiterpackung, die ein Substrat mit Abgeschrägter Kante Aufweist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2022
Anhängig
Vertretung
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14.09.2022
Halbleitergehäuse mit Temporärem Esd-Schutzelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.03.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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07.09.2022
Stromdetektor-Leerlauferfassung in einem Mehrphasigen Abwärtsspannungsregler
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 25.07.2019
Erteilt am 07.09.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A multiphase voltage regulator includes a plurality of power stages (108), a plurality of current sense circuits (118), a controller (104) and a current sense interface (120) running between the controller (104) and one or more of the current sense circuits (118). The current sense interface (120) includes a separate line (122) for each current sense circuit (118) coupled to the current sense interface (120) and which is configured to support single-ended or differential current sense. The regulator also includes a plurality of pullup circuits (124), each of which is connected to one of the current sense interface lines (122) and has a higher impedance than the line to which it is connected. A fault detection circuit (126) of the controller determines if an individual one of the current sense interface lines (122) has an open fault, based on the pullup circuit (124) connected to the line with the open fault pulling up the voltage on the line (122) by more than a predetermined amount. |
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07.09.2022
Sauerstoffangereicherte Si-Schichten für Reduzierte Kontaktimplantatausdiffusion in Leistungsvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.07.2019
Erteilt am 07.09.2022
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31.08.2022
Leistungselektronikträger
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.08.2022
Referenzspannungssteuerung in einer Stromversorgung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 17.06.2019
Erteilt am 24.08.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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24.08.2022
Halbleiterleistungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.02.2021
Anhängig
Vertretung
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24.08.2022
Motorwicklungsüberwachung und Schaltsteuerung
Elektrische Energietechnik
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17.08.2022
Vorrichtung zur Steuerung von Eingeschlossenen Ionen mit einem Delta/sigma-Dac-Modul
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.02.2021
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A device (10) for controlling trapped ions comprises an ion trap (12), a plurality of field electrodes (13) for controlling the ions in the ion trap (12), and a controller chip (14), the controller chip (14) comprising at least one delta-sigma digital to analog converter (DS-DAC) module (140) comprising a DS-DAC circuit (141) configuredto receive a digital data stream, to convert the digital data stream to analog control voltages, and to supply the analog control voltages to the field electrodes (13). |
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10.08.2022
Schaltkondensator-Wandler mit Spartransformator mit Mehrfachabzweigung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 26.04.2020
Erteilt am 10.08.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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10.08.2022
Halbleiterleistungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.02.2021
Anhängig
Vertretung
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03.08.2022
Steuerschaltung für eine Stromversorgung und Stromversorgung mit Reduzierten Standby-Leistungsverlusten
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 28.01.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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20.07.2022
Transistorvorrichtung mit Gate-Widerstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.02.2018
Erteilt am 20.07.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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20.07.2022
Flexibler Brückenverstärker für Drahtlosstrom
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 09.04.2018
Erteilt am 20.07.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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20.07.2022
Dynamische Schaltfrequenzregelung bei Mehrphasigen Spannungsreglern
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 09.10.2018
Erteilt am 20.07.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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20.07.2022
Leistungsumwandlung und Implementierung von Fliegenden Kondensatoren
Elektrische Energietechnik
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13.07.2022
Diskretes Gerät
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.03.2018
Erteilt am 13.07.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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06.07.2022
Halbleitervorrichtung mit Superjunction- und Sauerstoffeingefügten Si-Schichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.10.2019
Erteilt am 06.07.2022
Vertretung
Zusammenfassung
A semiconductor device includes a source region and a drain region of a first conductivity type, a body region of a second conductivity type between the source region and the drain region, a gate configured to control current through a channel of the body region, a drift zone of the first conductivity type between the body region and the drain region, a superjunction structure formed by a plurality of regions of the second conductivity type laterally spaced apart from one another by intervening regions of the drift zone, and a diffusion barrier structure disposed along sidewalls of the regions of the second conductivity type of the superjunction structure. The diffusion barrier structure includes alternating layers of Si and oxygen-doped Si and a Si capping layer on the alternating layers of Si and oxygen-doped Si. |
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Wer vertritt Infineon Technologies Austria?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies Austria vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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