Infineon Technologies Austria Patente
🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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703 gesamt| Patent | |||
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04.01.2023
Stromversorgungskonfiguration und Pulsbreitenmodulationskantensteuerung
Elektrische Energietechnik
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28.12.2022
Verschachtelter Llc-Wandler
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.05.2019
Erteilt am 28.12.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.12.2022
Schaltung und Verfahren zur Verlängerung der Verweilzeit
Elektrische Energietechnik
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Angemeldet am 21.06.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.12.2022
Schaltung und Verfahren zur Verlängerung der Verweilzeit
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 21.06.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.12.2022
Leistungshalbleiterbauelement mit einem in eine Elektrode Eingebetteten Spannungsinduzierenden Material
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.12.2022
Leistungshalbleiterbauelement, das Dielektrische Lücken mit Niedrigem K-Wert zwischen Benachbarten Metallkontakten Aufweist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.12.2022
Schätzung der Motordrehzahl und -Position
Elektrische Energietechnik
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28.12.2022
Detektieren eines Motorstillstandszustands
Elektrische Energietechnik
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21.12.2022
Widerstandsstrommessung für Stromwandlungsvorrichtungen
Elektrische Energietechnik
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14.12.2022
Sauerstoffangereicherte Si-Schichten für Reduzierte Kontaktimplantatausdiffusion in Vertikalen Leistungsvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.07.2019
Erteilt am 14.12.2022
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14.12.2022
Transistorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.11.2022
Halbleiteranordnung mit Verbesserter Leistung im Betrieb und Verbesserter Flexibilität in der Anordnung von Power-Chips
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.11.2022
Iii-V-Halbleitersubstrat mit Monolithisch Integriertem Kondensator
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.11.2022
Lateraler Kernloser Transformator
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 06.07.2021
Erteilt am 23.11.2022
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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23.11.2022
Halbleiterchip mit einer Transistorvorrichtung und Verfahren zu Seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Anhängig
Vertretung
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23.11.2022
Halbleiterchip mit Vertikaler Leistungstransistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Anhängig
Vertretung
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23.11.2022
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterpackung mit Anschlussfahne
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.11.2022
Stromversorgungssystem und Steuerung in einer Seriellen Dynamischen Lastkonfiguration
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 17.05.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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23.11.2022
Stromversorgungsüberwachung und Schaltsteuerung
Elektrische Energietechnik
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10.11.2022
Hole draining structure for suppression of hole accumulation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.05.2022
Anhängig
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09.11.2022
Halbleitergehäuse mit einer Kratzschutzschicht und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.11.2022
Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.09.2018
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
Zusammenfassung
In an embodiment, a semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a first major surface, a trench extending from the first major surface into the semiconductor substrate and having a base and a side wall extending form the base to the first major surface, a field plate arranged in the trench and an enclosed cavity in the trench. The enclosed cavity is defined by insulating material and is laterally positioned between a side wall of the field plate and the side wall of the trench. |
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02.11.2022
Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.09.2018
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.11.2022
System und Verfahren zur Ansteuerung eines Leistungsschalters in Kombination mit Geregelter Di/dt Und/oder Dv/dt
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.06.2019
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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02.11.2022
Halbleitermodul mit einer aus einem Formkörper Freigelegten Bonddrahtschleife und Verfahren zu Seiner Herstellung
Kunststoff- & Polymertechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.10.2022
Flying-Capacitor-Spannungssteuerung in einem Verstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.12.2019
Erteilt am 26.10.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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19.10.2022
Verfahren zum Betrieb einer Superjunction-Transistorvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.03.2019
Erteilt am 19.10.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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05.10.2022
Leiterrahmen, Halbleiterpackung und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.08.2018
Erteilt am 05.10.2022
Vertretung
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05.10.2022
Verfahren zum Verbinden vom einem Halbleiterchip mit einem Substrate unter Verwendung von Diffusionslöten von Vorformen; Entsprechende Halbleitereinrichtung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 04.11.2020
Erteilt am 05.10.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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05.10.2022
Verfahren und Steuerungsschaltung zum Betrieb eines Resonanzwandlers
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 31.03.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.09.2022
Verfahren zur Herstellung eines Superjunction-Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.09.2022
Halbleiterbauelement, Elektronikkomponente und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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28.09.2022
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.10.2018
Erteilt am 28.09.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.09.2022
Halbleiterbauelement mit Grabenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2022
Stromversorgungssteuerung und Verwendung von Erzeugtem Rampensignal
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 06.06.2018
Erteilt am 14.09.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.09.2022
Halbleiterbauelement mit einem eine Nisi-Schicht und eine Niv-Schicht Aufweisenden Schichtstapel zum Befestigen auf einer Elektrisch Leitenden Schicht, Verfahren zu dessen Herstellung und Entsprechende Befestigte Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.03.2021
Anhängig
Vertretung
Infineon Patent Department · München
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.09.2022
Geformte Halbleiterpackung, die ein Substrat mit Abgeschrägter Kante Aufweist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2022
Anhängig
Vertretung
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14.09.2022
Halbleitergehäuse mit Temporärem Esd-Schutzelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.03.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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07.09.2022
Stromdetektor-Leerlauferfassung in einem Mehrphasigen Abwärtsspannungsregler
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 25.07.2019
Erteilt am 07.09.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A multiphase voltage regulator includes a plurality of power stages (108), a plurality of current sense circuits (118), a controller (104) and a current sense interface (120) running between the controller (104) and one or more of the current sense circuits (118). The current sense interface (120) includes a separate line (122) for each current sense circuit (118) coupled to the current sense interface (120) and which is configured to support single-ended or differential current sense. The regulator also includes a plurality of pullup circuits (124), each of which is connected to one of the current sense interface lines (122) and has a higher impedance than the line to which it is connected. A fault detection circuit (126) of the controller determines if an individual one of the current sense interface lines (122) has an open fault, based on the pullup circuit (124) connected to the line with the open fault pulling up the voltage on the line (122) by more than a predetermined amount. |
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07.09.2022
Sauerstoffangereicherte Si-Schichten für Reduzierte Kontaktimplantatausdiffusion in Leistungsvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.07.2019
Erteilt am 07.09.2022
Vertretung
Zusammenfassung
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Wer vertritt Infineon Technologies Austria?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies Austria vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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