Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.872 gesamt| Patent | |||
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27.09.2023
Antenne in Gehäuseanordnung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.09.2023
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.08.2020
Erteilt am 27.09.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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20.09.2023
Halbleiterbauelement mit Latch-Up-Immunität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.07.2019
Erteilt am 20.09.2023
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
Zusammenfassung
A semiconductor device includes a body region (108) of a second conductivity type, a body contact region (110) of the second conductivity type formed in the body region (108) and having a higher average doping concentration than the body region (108), a source region (100) of a first conductivity type opposite the second conductivity type formed in the body region (108) adjacent the body contact region (110), a drift zone (102) of the first conductivity type spaced apart from the source region (100) by a section of the body region (108) which forms a channel region (114) of the semiconductor device, and a gate electrode (116) configured to control the channel region (114). The body contact region (110) extends under a majority of the source region (100) in a direction towards the channel region (114) and has a doping concentration of at least 1x10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>under the majority of the source region (100). Additional semiconductor device embodiments and methods of manufacture are described. |
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20.09.2023
Gasmessvorrichtung zum Messen eines oder mehrerer Gase in einem Gasgemisch
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 14.03.2022
Anhängig
Vertretung
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20.09.2023
System und Verfahren zur Steuerung des Zugangs zu einem Kofferraum eines Fahrzeugs mittels eines Radarsensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 14.03.2019
Erteilt am 20.09.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
An embodiment method includes: receiving radar data at a millimeter-wave radar sensor, the radar data being generated in response to an incident radio-frequency signal reflecting off an object located in a field of view of the millimeter-wave radar sensor; filtering the radar data to generate a first-filtered signal; determining a trajectory of motion corresponding to the first-filtered signal; and determining whether the trajectory of motion corresponds to a human signature, the human signature being associated with a respective operation of a vehicle. |
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13.09.2023
Adaptive Digitale Nichtlinearitätskompensation auf einem Siliziummikrofon
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 28.02.2023
Anhängig
Vertretung
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13.09.2023
Sensorsystem und Elektronische Vorrichtungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 25.09.2019
Erteilt am 13.09.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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13.09.2023
Rc-Dämpfer mit aus Polysilizium Bestehender Widerstand und Kondensator, der aus einer Übergangs-Abschlusskante gebildet Ist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.02.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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13.09.2023
Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung einer Konzentration eines Zielgases in einer Mobilen Anwendung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 08.03.2022
Anhängig
Vertretung
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13.09.2023
Mems-Vorrichtung mit Tmd-Struktur
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 01.03.2021
Erteilt am 13.09.2023
Vertretung
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06.09.2023
Schaltung und Verfahren zum Vorspannen eines Transistors und Entsprechende Vorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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30.08.2023
Leistungsmodul mit Integriertem Gate-Treiber und Funktionellen Komponenten in einem Einzigen Leistungsmodulgehäuse
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.08.2023
Analog-Digital-Wandler auf Basis eines Spannungsgesteuerten Oszillators mit einem Maximallängen-Sequenzgenerator
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.07.2020
Erteilt am 30.08.2023
Vertretung
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30.08.2023
Gasmessvorrichtung auf Kohlenstoffbasis und Verfahren zum Betrieb einer Gasmessvorrichtung auf Kohlenstoffbasis
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.01.2021
Erteilt am 30.08.2023
Vertretung
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30.08.2023
Halbleiterschaltmodul mit Bipolartransistor mit Isoliertem Gate und Unipolarer Schaltvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2022
Anhängig
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
Infineon Patent Department · München
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30.08.2023
Transistor-Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Transistor-Vorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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23.08.2023
Mems-Vorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 16.02.2022
Anhängig
Vertretung
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23.08.2023
Digitale Nichtlinearitätskompensation in einem Siliziummikrofon
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 10.01.2023
Anhängig
Vertretung
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23.08.2023
Mems-Vorrichtung mit einer Trägerstruktur mit mehreren Winkelversetzten Seitenflächenbereichen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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16.08.2023
Siliciumcarbidvorrichtung mit Metallischen Grenzflächenschichten und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.08.2023
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.02.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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09.08.2023
Antennenabstimmschalter und System mit einer in einem Rfic Integrierten Bypass-Funktion
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.02.2023
Anhängig
Vertretung
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02.08.2023
Hochfrequenzsysteme mit Integrierten Anzeigen und Verfahren zur Formung davon
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 01.10.2018
Erteilt am 02.08.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.08.2023
Verfahren für eine Slave-Vorrichtung zur Kalibrierung Ihres Ausgabezeitpunkts, Verfahren für eine Master-Vorrichtung zur Aktivierung einer Slave-Vorrichtung zur Kalibrierung Ihres Ausgabezeitpunkts, Master-Vorrichtung und Slave-Vorrichtung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 06.06.2019
Erteilt am 02.08.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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02.08.2023
Zur Aufnahme einer Radiofrequenzsonde zum Testen einer Elektrischen Vorrichtung Konfigurierte Schnittstelle und Verfahren zum Testen einer auf einem Substrat Angeordneten Elektrischen Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Angemeldet am 18.09.2019
Erteilt am 02.08.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
An interface (100) adapted to receive a radio frequency probe for testing an electric device that is arranged on a same substrate (199) as the interface is provided. The interface includes a first conductive structure (110) for receiving at least one probe tip of the radio frequency probe. The first conductive structure is coupled to a signal line (150) in or on the substrate that couples to the electric device. Further, the interface includes a second conductive structure (120) for receiving at least one further probe tip of the radio frequency probe. The interface additionally includes a capacitive element (140) for providing a compensation capacitance. The capacitive element and the first conductive structure are electrically coupled in order to form a compensation network for compensating radio frequency parasitics. |
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02.08.2023
Integriertes Filter mit Abstimmbaren Volumenwellenresonatorelementen
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.08.2023
Leiterplatte, Leistungshalbleitermodulanordnung mit einer Leiterplatte und Verfahren zu deren Zusammenbau
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 27.01.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.08.2023
Halbleiter-Membransensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 01.02.2022
Anhängig
Vertretung
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26.07.2023
Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Substrats
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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Status
Angemeldet am 24.01.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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26.07.2023
Hf-Schalter mit Schaltzeitbeschleunigung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.01.2023
Anhängig
Vertretung
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19.07.2023
Gaserfassungsvorrichtung zur Erfassung eines Gases in einem Gemisch und Verfahren zum Betrieb einer Gaserfassungsvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 26.07.2019
Erteilt am 19.07.2023
Vertretung
Zusammenfassung
The gas sensing device comprises: a photoacoustic spectrometry device, wherein the photoacoustic spectrometry device comprises a radiator configured for emitting light, wherein the photoacoustic spectrometry device comprises a gas detection chamber configured for exposing the mixture of gases to the light, wherein the photoacoustic spectrometry device comprises a microphone configured for detecting sound in the detection chamber, which is caused by exposing the mixture of gases to the light, and wherein the photoacoustic spectrometry device is configured for generating signal samples corresponding to a concentration of the gas in the mixture of gases based on the sound detected by the microphone; and a computing device configured for receiving the signal samples, wherein the computing device comprises a feature extraction block configured for calculating representations for the signal samples so that for each of the signal samples one of the representations is calculated, wherein each of the representations comprises one or more feature values, wherein each of the one or more feature values refer to a characteristic of the respective signal sample, wherein the computing device comprises a decision making block which comprises a trained model based algorithm block having a plurality of inputs and at least one output, wherein the decision making block comprises one or more trained models for the trained model based algorithm block, wherein each of the feature values of one of the representations is input to one of the inputs of the trained model based algorithm block, so that each feature value of the feature values is fed into an individual input of the inputs, wherein the decision making block creates sensing results based on output values of the at least one output of the trained model based algorithm block, wherein the output values are created by using at least one of the one or more trained models at the decision making block so that the output values depend on the signal samples of the photoacoustic spectrometry device. |
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12.07.2023
System und Verfahren für einen Hochfrequenzfilter
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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05.07.2023
Hf-Sensor in Gestapelten Transistoren
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 05.02.2019
Erteilt am 05.07.2023
Vertretung
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05.07.2023
Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung einer Sägefolienspannung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.03.2019
Erteilt am 05.07.2023
Vertretung
Zusammenfassung
A method of monitoring a dicing tape tension is described. The method comprises acquiring tension data indicative of the dicing tape tension by automated optical inspection of each dicing tape. |
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28.06.2023
Sammelschiene, Leistungshalbleitermodulanordnung mit einer Sammelschiene und Verfahren zur Herstellung einer Sammelschiene
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.12.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.06.2023
Strahlenquellenvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.12.2021
Anhängig
Vertretung
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21.06.2023
Beleuchtungsvorrichtung, Optische Kamera und Verfahren zur Überwachung einer Optischen Ausgangsleistung einer Lichtquelle
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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21.06.2023
Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Relativen Bewegung zwischen einer Flugzeitkamera und einem Objekt in einer von der Flugzeitkamera Erfassten Szene
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.07.2019
Erteilt am 21.06.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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14.06.2023
Gehäuse, Halbleitermodul mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.12.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.06.2023
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitervorrichtungsmoduls unter Verwendung eines Reaktiven Bandes und eines Halbleitervorrichtungsmoduls
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 13.12.2021
Anhängig
Vertretung
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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