Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.872 gesamt| Patent | |||
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09.07.2025
Halbleiterbauelement mit Schutzstruktur und Herstellungsverfahren dafür
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Angemeldet am 11.02.2019
Erteilt am 09.07.2025
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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09.07.2025
Siliciumgesteuerter Gleichrichter und Herstellungsverfahren dafür
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Status
Angemeldet am 30.01.2019
Erteilt am 09.07.2025
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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09.07.2025
Halbleitergehäuse für Hochspannungsanwendungen und Verfahren zur Herstellung davon
EP4583156
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.01.2024
Anhängig
Vertretung
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02.07.2025
Robuste Mems-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Mems-Vorrichtung
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Angemeldet am 15.07.2022
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
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25.06.2025
Schaltvorrichtung mit Phasenwechselmaterial und Betriebsverfahren
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Status
Angemeldet am 25.07.2022
Erteilt am 25.06.2025
Vertretung
Kraus & Lederer PartGmbB · München
Kraus & Weisert Patentanwälte PartGmbB · München
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25.06.2025
Verfahren zur Herstellung von Anschlussstiftverbindungen eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul mit Anschlussstiftverbindungen
EP4576175
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.06.2025
Mems-Heizer und Mems-Flüssigkeitssensor
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Status
Angemeldet am 21.12.2023
Anhängig
Vertretung
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25.06.2025
Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Substrats
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Status
Angemeldet am 20.12.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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18.06.2025
Vorrichtung mit Phasenwechsel-Schaltvorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4572592
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.06.2025
Aufrauhung einer Metallisierungsschicht auf einer Halbleiterscheibe
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Status
Angemeldet am 21.06.2019
Erteilt am 11.06.2025
Vertretung
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11.06.2025
Verfahren und Vorrichtung zur Erweiterung von Trainingsdaten oder zum Umtrainieren eines Neuronalen Netzes
EP4567670
Software & Datenverarbeitung
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04.06.2025
Halbleitersubstrat
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Status
Angemeldet am 02.11.2018
Erteilt am 04.06.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.06.2025
Transistorvorrichtung
EP4564423
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.06.2025
Verfahren, Vorrichtung und Radarsystem
EP4564046
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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28.05.2025
Pseudo-Labeling auf der Basis von Unsicherheit oder Wahrscheinlichkeit
EP4560538
Software & Datenverarbeitung
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28.05.2025
Flüssigkeitsdetektion mit Verwendung eines Millimeterwellenradarsensors
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Status
Angemeldet am 10.04.2019
Erteilt am 28.05.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.05.2025
Schaltermodul, Treiberschaltung und Verfahren
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28.05.2025
Radar-Basierte Lebenszeichenschätzung
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21.05.2025
Mems-Vorrichtung
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Status
Angemeldet am 20.11.2020
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
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21.05.2025
Mems Wandler mit Membran und Verfahren zu dessen Herstellung
EP3620429
erteilt
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Status
Angemeldet am 06.09.2018
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
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21.05.2025
Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung davon
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Status
Angemeldet am 08.10.2019
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A power semiconductor module arrangement (100) includes a semiconductor substrate (10) arranged within a housing (7), the housing (7) comprising sidewalls, at least one semiconductor body (20) arranged on a top surface of the semiconductor substrate (10), a first protective layer (5) arranged on the top surface of the semiconductor substrate (10), thereby covering the at least one semiconductor body (20), a second protective layer (6) for protecting the power semiconductor module arrangement (100), and a seal (8). The second protective layer (6) comprises a first material and a second material (61), wherein the second material (61) is distributed within the first material and comprises a reactant, wherein the reactant is configured to chemically react with, trap, adsorb, or absorb corrosive gases. The second protective layer (6) covers at least a top surface of the first protective layer (5), wherein a top surface of the first protective layer (5) is a surface facing away from the semiconductor substrate (10). The seal (8) is arranged between the sidewalls of the housing (7) and the semiconductor substrate (10) and comprises a third material and a fourth material (62), wherein the fourth material (62) is distributed within the third material and comprises a reactant, wherein the reactant is configured to chemically react with, trap, adsorb, or absorb corrosive gases. |
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21.05.2025
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung davon
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Status
Angemeldet am 04.02.2020
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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21.05.2025
Transientenspannungsunterdrückungsschaltung
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07.05.2025
Infrarotstrahlungsquelle
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Status
Angemeldet am 22.10.2021
Erteilt am 07.05.2025
Vertretung
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30.04.2025
Thermischer Emitter, Verfahren zum Betrieb eines Thermischen Emitters und Mems-Gas/fluid-Sensor
EP4545921
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 24.10.2023
Anhängig
Vertretung
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30.04.2025
Bandpassübertragungsfilter und Schmalbandstrahlungsquelle
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Status
Angemeldet am 08.03.2019
Erteilt am 30.04.2025
Vertretung
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23.04.2025
Dreifachmembran-Mems-Vorrichtung
EP4543041
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 21.12.2021
Anhängig
Vertretung
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23.04.2025
Gestenklassenvorhersage und Erklärbare Künstliche Intelligenz
EP4542341
Software & Datenverarbeitung
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16.04.2025
Modulerkennung über Einzeldrahtschnittstelle
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Status
Angemeldet am 12.10.2023
Anhängig
Vertretung
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16.04.2025
Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers
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Status
Angemeldet am 09.12.2020
Erteilt am 16.04.2025
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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09.04.2025
Dreifach-Membran-Mems-Vorrichtung
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Status
Angemeldet am 21.12.2021
Erteilt am 09.04.2025
Vertretung
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09.04.2025
Hochfrequenzschaltung, Hochfrequenzsystem und Verfahren für eine Hochfrequenzschaltung
EP4535664
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.04.2025
Vorrichtung, Radarsystem und Verfahren
EP4530664
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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02.04.2025
Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
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Status
Angemeldet am 18.05.2020
Erteilt am 02.04.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.04.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Testen eines Hf-Sender-Empfängers
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02.04.2025
Halbleiterbauelemente, Gassensor mit Mikroelektromechanischem System, Verfahren
EP4530606
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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26.03.2025
Neuronale Netzwerksicherheit
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Status
Angemeldet am 12.05.2020
Erteilt am 26.03.2025
Vertretung
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26.03.2025
Sicheres Tunneln eines Rahmens in einem Fahrzeuginternen Kommunikationsnetzwerk
EP4425827
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 28.11.2023
Anhängig
Vertretung
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26.03.2025
Schaltvorrichtung für Phasenwechselmaterial und Zugehörige Verfahren
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Zusammenfassung
A phase change switch device (10) is provided comprising aphase change material (11) and a heater device (12) thermally coupled to the phase change material. The heater device (12) is configured to have a first electrical resistance in a first state where current is applied to the heater device (12) for heating the phase change material (11), and have a second electrical resistance higher than the first electrical resistance in a second state outside heating phases of the heater device (12). |
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19.03.2025
Optokoppler mit Seitenemittierender Elektromagnetischer Strahlungsquelle
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Status
Angemeldet am 17.09.2019
Erteilt am 19.03.2025
Vertretung
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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