Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.942 gesamt| Patent | |||
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21.05.2025
Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.10.2019
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A power semiconductor module arrangement (100) includes a semiconductor substrate (10) arranged within a housing (7), the housing (7) comprising sidewalls, at least one semiconductor body (20) arranged on a top surface of the semiconductor substrate (10), a first protective layer (5) arranged on the top surface of the semiconductor substrate (10), thereby covering the at least one semiconductor body (20), a second protective layer (6) for protecting the power semiconductor module arrangement (100), and a seal (8). The second protective layer (6) comprises a first material and a second material (61), wherein the second material (61) is distributed within the first material and comprises a reactant, wherein the reactant is configured to chemically react with, trap, adsorb, or absorb corrosive gases. The second protective layer (6) covers at least a top surface of the first protective layer (5), wherein a top surface of the first protective layer (5) is a surface facing away from the semiconductor substrate (10). The seal (8) is arranged between the sidewalls of the housing (7) and the semiconductor substrate (10) and comprises a third material and a fourth material (62), wherein the fourth material (62) is distributed within the third material and comprises a reactant, wherein the reactant is configured to chemically react with, trap, adsorb, or absorb corrosive gases. |
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07.05.2025
Infrarotstrahlungsquelle
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.10.2021
Erteilt am 07.05.2025
Vertretung
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30.04.2025
Thermischer Emitter, Verfahren zum Betrieb eines Thermischen Emitters und Mems-Gas/fluid-Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 24.10.2023
Anhängig
Vertretung
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30.04.2025
Bandpassübertragungsfilter und Schmalbandstrahlungsquelle
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 08.03.2019
Erteilt am 30.04.2025
Vertretung
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24.04.2025
Memory location mapping and unmapping
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 17.10.2024
Anhängig
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23.04.2025
Dreifachmembran-Mems-Vorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 21.12.2021
Anhängig
Vertretung
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23.04.2025
Gestenklassenvorhersage und Erklärbare Künstliche Intelligenz
Software & Datenverarbeitung
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16.04.2025
Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.12.2020
Erteilt am 16.04.2025
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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16.04.2025
Modulerkennung über Einzeldrahtschnittstelle
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 12.10.2023
Anhängig
Vertretung
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09.04.2025
Dreifach-Membran-Mems-Vorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 21.12.2021
Erteilt am 09.04.2025
Vertretung
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09.04.2025
Hochfrequenzschaltung, Hochfrequenzsystem und Verfahren für eine Hochfrequenzschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.04.2025
Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.05.2020
Erteilt am 02.04.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.04.2025
Halbleiterbauelemente, Gassensor mit Mikroelektromechanischem System, Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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02.04.2025
Vorrichtung, Radarsystem und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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02.04.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Testen eines Hf-Sender-Empfängers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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26.03.2025
Schaltvorrichtung für Phasenwechselmaterial und Zugehörige Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A phase change switch device (10) is provided comprising aphase change material (11) and a heater device (12) thermally coupled to the phase change material. The heater device (12) is configured to have a first electrical resistance in a first state where current is applied to the heater device (12) for heating the phase change material (11), and have a second electrical resistance higher than the first electrical resistance in a second state outside heating phases of the heater device (12). |
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26.03.2025
Neuronale Netzwerksicherheit
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.05.2020
Erteilt am 26.03.2025
Vertretung
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26.03.2025
Sicheres Tunneln eines Rahmens in einem Fahrzeuginternen Kommunikationsnetzwerk
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 28.11.2023
Anhängig
Vertretung
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19.03.2025
Synchronisierung mehrerer Mmwave-Vorrichtungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 29.01.2021
Erteilt am 19.03.2025
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
In an embodiment, a method includes: receiving a global trigger with a first millimeter-wave radar; receiving the global trigger with a second millimeter-wave radar; generating a first internal trigger of the first millimeter-wave radar after a first offset duration from the global trigger; generating a second internal trigger of the second millimeter-wave radar after a second offset duration from the global trigger; start transmitting first millimeter-wave radar signals with the first millimeter-wave radar based on the first internal trigger; and start transmitting second millimeter-wave radar signals with the second millimeter-wave radar based on the second internal trigger, where the second offset duration is different from the first offset duration, and where the first and second millimeter-wave radar signals are transmitted sequentially so as to exhibit no temporal overlap. |
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19.03.2025
Optokoppler mit Seitenemittierender Elektromagnetischer Strahlungsquelle
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 17.09.2019
Erteilt am 19.03.2025
Vertretung
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12.03.2025
Hochfrequenzhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenzhalbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.03.2025
Hf-Serienschalteranordnung mit Schaltzeitbeschleunigung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 04.09.2024
Anhängig
Vertretung
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05.03.2025
Sensor, Sender und Zugehörige Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 29.10.2020
Erteilt am 05.03.2025
Vertretung
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05.03.2025
Vorrichtung mit Leistungstransistor und Überstromdetektionslogik und Verfahren zum Betrieb eines Leistungstransistors
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.03.2025
Leistungshalbleitermodule mit Schutzbeschichtung
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.12.2017
Erteilt am 05.03.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A semiconductor package is described which meets a plurality of predetermined electrical, mechanical, chemical and/or environmental requirements. The semiconductor package includes a semiconductor die embedded in or covered by a molded plastic body, the molded plastic body satisfying only a subset of the plurality of predetermined electrical, mechanical, chemical and/or environmental requirements. The semiconductor package further includes a plurality of terminals protruding from the molded plastic body and electrically connected to the semiconductor die, and a coating applied to at least part of the molded plastic body and/or part of the plurality of terminals. The coating satisfies each predetermined electrical, mechanical, chemical and/or environmental requirement not satisfied by the molded plastic body. |
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05.03.2025
Gehäuse, Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.03.2021
Erteilt am 05.03.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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05.03.2025
Mems Drucksensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 19.06.2019
Erteilt am 05.03.2025
Vertretung
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26.02.2025
Vorrichtung, Radarsystem und Verfahren zur Erkennung einer Zielbewegung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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26.02.2025
Halbleiterchip und Verfahren zur Einstellung einer Belichtungszeit eines Flugzeitsensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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19.02.2025
Erkennung und Verfolgung von Menschen mittels Sensorfusion zur Optimierung der Mensch-Roboter-Kollaboration in der Industrie
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.05.2023
Erteilt am 19.02.2025
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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19.02.2025
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.08.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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19.02.2025
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.08.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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19.02.2025
Vorrichtung mit Leistungstransistor
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.02.2025
Anschlusselement und Leistungshalbleitermodulanordnung mit einem Anschlusselement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.08.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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19.02.2025
Ultraschallverbindungsanordnung und Verfahren
Kunststoff- & Polymertechnik
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 18.08.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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19.02.2025
Halbleiteranordnung mit Zuverlässig Schaltenden Steuerbaren Halbleiterelementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.11.2017
Erteilt am 19.02.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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12.02.2025
Verfahren zum Dünnen eines Halbleitersubstrats mit Hoher Ebenheit und Halbleitersubstrat mit einer Vorrichtungsschicht mit Hoher Ebenheit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.06.2020
Erteilt am 12.02.2025
Vertretung
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12.02.2025
Vorrichtung, Radarsystem und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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12.02.2025
Vorrichtung, Radarsystem und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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12.02.2025
Grundplatte für eine Halbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Grundplatte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.07.2020
Erteilt am 12.02.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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