NXP USA Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.545 gesamt| Patent | |||
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07.01.2026
Temperaturprofilierungsschaltung und Verfahren zur Bestimmung eines Temperaturprofils
EP4675243
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.01.2026
Batterieverwaltungssystem
EP4675285
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.01.2026
Robuste Bahnsteuerung
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07.01.2026
Mdac-Basierte Zeitverschachtelte Analog-Digital-Wandler und Zugehörige Verfahren
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07.01.2026
Doppelseitige Mehrchip-Kapselungen mit Direkter Verbindung zwischen Chips
EP4675676
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.12.2025
Leistungseffiziente Datenabfrage durch eine Drahtlose Mesh-Netzwerkvorrichtung
EP4672844
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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31.12.2025
Verbinderstruktur für Halbleiteranordnung und Verfahren dafür
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Status
Angemeldet am 27.05.2022
Erteilt am 31.12.2025
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
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31.12.2025
Doppelstrommessung
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24.12.2025
Chip-Stapelung mit Kontrollierter Winkelausrichtung
EP4480900
erteilt
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An alignment recess formed in a cover substrate such as a cover for a MEMS device allows a second substrate to be bonded to the cover substrate. The alignment recess is larger than the second substrate and has two corner regions diagonally opposite each other where a wall of the recess protrudes to form a notch. The notch is dimensioned such that when the second substrate is disposed within the recess with two opposing corners surrounded by respective notches of the recess, the angular position of the second substrate relative to the cover substrate can be controlled to within a desired amount of rotation. |
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24.12.2025
Verfahren zum Betrieb einer Dual-Pan-Kommunikationsvorrichtung
EP4669026
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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24.12.2025
Strommessung in einer Totempfahl-Leistungsfaktorkorrekturschaltung
EP4668559
Elektrische Energietechnik
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24.12.2025
System und Verfahren zur Ergänzung der Steuerungsphase bei der Entfernungsmessungskommunikation mit Berichts- und Hilfsteilen
EP4668591
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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17.12.2025
System und Verfahren zur Sicheren Gemeinsamen Nutzung von Ressourcen auf einem System-On-Chip
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17.12.2025
Rauscharmer Mehrspulenverstärker mit Transimpedanz für Hochfrequenzfunk
EP4664755
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.12.2025
Spannungsregler mit Alterungsminderung
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17.12.2025
Zweiachsiger Winkelgeschwindigkeitssensor
EP4664070
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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17.12.2025
Verpacktes Halbleiterbauelement und Verpackungsverfahren
EP4664516
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.12.2025
Eingangspufferschaltung mit Signalteiler- und Kombinierschaltung
EP4664760
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.12.2025
Erkennung und Reaktion von Übertaktung
EP4664233
Software & Datenverarbeitung
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17.12.2025
Integrierte Schaltung mit einem In-Situ-Schaltkreis zur Erkennung eines Bevorstehenden Schaltungsfehlers
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10.12.2025
Halbleiterbauelement mit Starr-Flexibler Unteranordnung und Verfahren dafür
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Status
Angemeldet am 11.04.2024
Erteilt am 10.12.2025
Vertretung
Colaiuda, Antonella · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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10.12.2025
Speichersteuerung für einen Dynamischen Direktzugriffsspeicher (dram)-Gesundheitsmonitor
EP4661009
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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10.12.2025
Elektronische Schaltung zur Durchführung eines Selbsttests
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10.12.2025
Verzögerungsregelschleife (dll)-Schaltung mit Tastverhältniskorrektur
EP4661294
Elektronik & Schaltungstechnik
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10.12.2025
Wiederverwendung von Speicherarrays zur Erzeugung einer Physikalisch Unklonbaren Funktion (puf)
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03.12.2025
Leistungssteuerung für Radaranwendungen und Verfahren dafür
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Status
Angemeldet am 14.07.2020
Erteilt am 03.12.2025
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
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03.12.2025
Vorrichtung zur Kopplung an ein Batteriepack, System mit der Vorrichtung und Verfahren für die Vorrichtung
EP4657689
Elektrische Energietechnik
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03.12.2025
Leistungsverstärkervorrichtungen mit Gehäuseinternen Anpassungsschaltungen zur Bereitstellung von Pseudo-Inversem Klasse-F-Betrieb
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26.11.2025
Verfahren zur Bestimmung eines Grundrisses unter Verwendung eines Drahtlosen Netzwerks
EP4654620
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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26.11.2025
Rail-To-Rail-Spannungsdetektor mit mehreren Spannungswandlern
EP4653881
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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26.11.2025
Integration von Dickem E/a-Oxid für Nanosheet-Gate-All-Around-Vorrichtungen
EP4654783
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor device and fabrication method are described for integrating I/O and core nanosheet transistors in a single nanosheet process flow by processing a stack of alternating first and second semiconductor structures formed on a substrate, where the first semiconductor structures located over a I/O thick oxide transistor region include a planar semiconductor channel layer sandwiched between upper and lower dielectric layers, and where the alternating first and second semiconductor structures are processed to form gate-all-around electrodes in a core transistor stack that are connected over a relatively thinner gate dielectric layer to control one or more first planar semiconductor channel layers in the core transistor stack, and to form gate-all-around electrodes in an I/O transistor stack that are connected over a relatively thicker gate dielectric layer to control one or more second planar semiconductor channel layers in the I/O transistor stack. |
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19.11.2025
Impedanzkompensationssystem mit einem Mikrostreifen und Slotline-Kopplung und Steuerbarer Kapazität
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Status
Angemeldet am 23.04.2019
Erteilt am 19.11.2025
Vertretung
Miles, John Richard · Romsey
Lee, Candice Jane · Redhill
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19.11.2025
Mikroelektronische Gehäuse mit Interner Abschirmung und Verfahren zu dessen Herstellung
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Status
Angemeldet am 20.08.2019
Erteilt am 19.11.2025
Vertretung
Lee, Candice Jane · Redhill
Miles, John Richard · Romsey
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19.11.2025
System und Verfahren zur Verbesserten Kontrollflussüberwachung von Prozessoren
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19.11.2025
Substrat mit Thermischen Vias und Sintergebundenen Thermischen Ableitungsstrukturen
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19.11.2025
Doherty-Leistungsverstärker mit Rekonfigurierbarem Ausgangsimpedanztransformator
EP4651372
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.11.2025
Rekonfigurierbares Verstärkersystem mit einem Schaltbaren Mehrspulentransformator
EP4651373
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.11.2025
Doherty-Leistungsverstärker mit Rekonfigurierbaren Ausgangsschaltungen
EP4651374
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.11.2025
Leistungstransistorvorrichtungen und Verstärker mit Eingangsseitigen Harmonischen Abschlussschaltungen
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19.11.2025
Verfahren und Vorrichtungen für Digital Gesteuerte Oszillatorfrequenzauflösungsregelung
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Status
Angemeldet am 15.05.2019
Erteilt am 19.11.2025
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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Wer vertritt NXP USA?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP USA vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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