Tokyo Electron Patente
🇯🇵 Japan
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.414 gesamt| Patent | |||
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10.09.2003
Magnetische Anordnung zur Effizienten Verwendung eines Targets Beim Zerstäuben eines Kegelstumpfförmigen Targets
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.11.2000
Erteilt am 10.09.2003
Vertretung
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03.09.2003
Optimierte Auskleidung für Doppel-Damaszener Verdrahtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.10.2001
Anhängig
Vertretung
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03.09.2003
Waferbehandlungssystem mit Reduzierten Randkontakten und Verfahren zum Nachrüsten und Verwenden eines Solchen Systems
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.11.2001
Anhängig
Vertretung
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20.08.2003
Pecvd zur Erzeugung von Tan-Schichten aus Tantalhalogenid-Vorläufern
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.04.2000
Erteilt am 20.08.2003
Vertretung
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13.08.2003
Plasmabehandlung von durch Thermische Cvd aus Tantalhalogenid-Vorläufern Erhaltenen Tan Schichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.04.2000
Erteilt am 13.08.2003
Vertretung
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14.05.2003
Entfernung von Photoresist und Photoresistrückständen auf Halbleitern durch ein Überkritisches Kohlendioxid-Verfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
Optik & Fototechnik
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23.04.2003
Hochdrucksbehandlungskammer für Halbleiterscheiben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.01.2003
Verfahren zur Abscheidung einer Metallschicht und Mehrkammerreaktor mit einem Superkritischen Trocknungs-/reinigungsmodul zur Metallabscheidung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.12.2002
Verfahren und Vorrichtung zur Dämpfung der Harmonischen Oberschwingungen in einer Plasma-Behandlungsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.02.2001
Anhängig
Vertretung
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03.07.2002
Elektronendichtemessungs- und Regelungssystem unter Anwendung von Plasmainduzierten Frequenzveränderungen eines Mikrowellenoszillators
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.05.2002
Echt-Zeit Planer für Entwürfe
Software & Datenverarbeitung
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08.05.2002
Hochfrequenz-Stromquelle zur Erzeugung eines Induktiv Gekoppelten Plasmas
Elektrische Energietechnik
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07.11.2001
Verfahren zur Plasmabeschichtung und Vorrichtung mit einem Magnetischen Behälter, einem Konzentrischen Plasma sowie einer Materialquelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.04.2001
Verfahren zur Herstellung von Pecvd-Titanschichten und Cvd-Titannitridschichten für Integrierte Schaltungen in ein und Derselben Reaktionskammer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.04.2000
Anhängig
Vertretung
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Die Kanzleien und Patentanwälte, die Tokyo Electron vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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