Université Grenoble Alpes Patente

The present invention relates to a microfluidic device for biosensor and a microfluidic chip comprising several devices and thus biosensors.The microfluidic device comprising at least one microfluidic channel (10) comprising a first end opening (2) and at least a second end opening (3), and at least one biosensor (20) of a substrate arranged in the microfluidic channel (10), the microfluidic device comprises at least one reservoir (30) intended to receive a biosensor optimization solution (4) and comprising an opening (31) in fluidic communication with the microfluidic channel (10) and at least one microvalve (32) arranged between the microfluidic channel (10) and the reservoir (30) in such a way as to control the fluidic connection of the reservoir (30) to the microfluidic channel (10). It will be applied in vitro or in vivo for the detection of substrate or biomarker. Microfluidic devices or the microfluidic chip can be used to monitor the presence or level of substrate or biomarker.

L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif spintronique (D1) comprenant :- une jonction tunnel magnétique (MTJ) ;- un transistor de polarisation (T_pol) monté en série avec la jonction tunnel magnétique (MTJ) ;- un circuit de détection (DET) ayant une entrée (e_det) connectée à un premier nœud de détection (NC1) et une sortie (s_det) pour générer un signal de détection (V_out) ; le circuit de détection comprenant au moins un premier inverseur (INV1) comprenant un premier transistor NMOS (T_INV1,N) et un second transistor PMOS (T_INV1,P) ayant chacun :∘ une grille avant (G_{1,N ,}G_1,P) ;∘ une grille arrière (G_{2,N ,}G_2,P) formée par une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) ;- un circuit de contrôle (CONT) configuré pour appliquer une tension de commande (V_cmd) non-nulle sur la grille arrière (G_{2,N ,}G_2,P) d'au moins l'un parmi le premier ou le second transistor.

L'invention a pour objet un dispositif spintronique (D1) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un transistor de contrôle (T<N1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique (MTJ) entre un nœud d'alimentation (VDD) et la masse électrique (GND) ; le nœud commun entre le transistor de contrôle et la jonction tunnel magnétique constituant un premier nœud de détection (NC1) ; - un élément capacitif (C<1>) connecté entre le premier nœud de détection (NC1) et un second nœud de détection (NC2) ; - un circuit de détection (COMP, INV) ayant une première entrée connectée au second nœud de détection (NC2) et configuré pour générer un signal de détection (V<out>) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique (MTJ) à partir du potentiel électrique (V<VAR>) du second nœud de détection (NC2).

This invention concerns an optoelectronic device (1) comprising: - a silicon-based substrate (10), - an array (14) of group-IV based nanowires (13) extending along a z direction, each nanowire (13) comprising: • a first portion (130) comprising at least one group IV element, the first portion (130) having a first conductivity of a first type of carrier, • a second portion (132) comprising at least one group IV element, the second portion (132) having a second conductivity of a second type of carrier, • an active region (131) comprising at least one group IV element, the active region (131) being configured to emit or absorb infrared radiation (3) of wavelength λ, said active region (131) being inter-posed between the first portion (130) and the second portion (132).

La présente invention concerne un module de comptage (12) d'un nombre de détections d'événements dans un intervalle de temps de comptage comportant :- une unité d'entrée (18) recevant un signal de détection d'un événement dans l'intervalle de temps de comptage,- un composant de sélection (20), le composant de sélection (20) comprenant un sélecteur comportant une couche active réalisée en un matériau chalcogénure, le sélecteur (26) commutant entre deux états résistifs et un deuxième état résistif en présence d'une impulsion de commutation,- une unité d'application (22) appliquant une impulsion de comptage sur le sélecteur (26) pour chaque signal de détection reçu par l'unité d'entrée (18), et- une unité de réinitialisation (24) de l'intervalle de temps de comptage par application d'une impulsion de réinitialisation sur le sélecteur (26).

L'invention a pour objet un Générateur (D1) de bit probabiliste (p-bit) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un circuit de polarisation (POL) configuré pour injecter un courant de commande (Ic) à travers la jonction tunnel magnétique variable selon une première tension d'entrée (V<in1>) ; le circuit de polarisation (POL) comprenant : ∘ un transistor de contrôle (T<1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique entre deux nœuds d'alimentation et comprenant une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) formant une grille arrière (G2,<T1>) ; - des moyens de contrôle (CONT) configurés pour appliquer la première tension d'entrée (V<in1>) sur ladite grille arrière; - un circuit de détection (DET) configuré pour générer un signal de détection (s1) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique.

L'invention concerne un transistor (10) non-volatil comprenant une couche semi-conductrice ferroélectrique (11) comprenant un domaine ferroélectrique (12) présentant une polarisation électrique spontanée (13) pouvant prendre une pluralité d'états distincts, une source (14), une grille (15) et un drain (16). La source (14), la grille (15) et le drain (16) sont distants les uns des autres et agencés de sorte qu'un potentiel électrique appliqué entre la source (14) et la grille (15) applique un champ électrique sur le domaine ferroélectrique (12), le drain (16) étant en contact électrique avec la couche ferroélectrique (11), la source (14) formant, avec la couche ferroélectrique (11), une barrière Schottky (17) au niveau d'une interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) présentant une résistance électrique fonction de la polarisation électrique (13), le transistor étant tel que la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) est dégénérée au niveau de l'interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) et la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) présente une conductivité électrique indépendante de la polarisation spontanée (13).

The invention has for object a memory cell (100) comprising a spin-orbit ferroelectric memory (110) comprising a first, second and third terminals (121, 122, 123), the memory (110) having a spontaneous electrical polarisation able to adopt two distinct states, the first, second, and third terminals (121, 122, 123) being connected to the memory in a way that a first charge current flows (11) in the second terminal (122) when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123), the amplitude and sign of the charge current being function of the voltage applied between the first and third terminals (121, 123) and function of the spontaneous electrical polarisation. The cell (100) comprises an isolation component (130) connected to the second terminal (122) and configured to prevent charge currents from flowing in the second terminal (122) towards the memory (110) when no voltage is applied between the first and third terminals (121, 123) and to allow charge currents to flow in the second terminal and from the memory when a voltage is applied between the first and third terminals (121, 123).

L'invention concerne une mémoire (100) comprenant : - une électrode conductrice principale (120) formant une cathode ; - une électrode conductrice secondaire (130) formant une anode ; et - une couche ferroélectrique semiconductrice (110) formant une couche active, disposée entre la cathode et l'anode (120, 130), la couche active (110) présentant une polarisation ferroélectrique (111) présentant une pluralité d'états stables, la cathode (120) formant un contact principal avec la couche active (110), la résistance du contact principal variant de façon strictement monotone en fonction de la polarisation ferroélectrique (111), le comportement du contact principal formant, en fonction de la polarisation ferroélectrique (111) : - un contact ohmique pour un premier état stable de la pluralité d'états stables ; et - un contact Schottky pour au moins un deuxième état stable de la pluralité d'états stables, la couche active (110) étant dégénérée et présentant une bande d'énergie interdite inférieure à 1,5 eV.

La présente description concerne un commutateur (200) à base d'un matériau à changement de phase, comprenant :- une région (107) en ledit matériau à changement de phase reliant des première (101A) et deuxième (101B) électrodes de conduction du commutateur ; et- un réseau de couplage (201) d'un signal laser d'activation du commutateur, situé en vis-à-vis d'une face de la région (107) en ledit matériau à changement de phase.

La présente description concerne un dispositif (300) de mesure d'un champ magnétique (B) émis par un objet (100) comprenant un capteur matriciel (304) comprenant une matrice de capteurs magnétiques (302) configurés pour acquérir des mesures successives du champ magnétique, une charge commandable (314) destinée à être connectée électriquement à l'objet (100), et un module (216) configuré pour commander la charge commandable (314) pour faire varier le courant circulant dans l'objet (100) au cours des acquisitions des mesures successives du champ magnétique et pour recevoir les mesures successives du champ magnétique.

The invention relates to a photonic device (1) comprising a waveguide (10) in which light is dedicated to propagate along a main optical propagation direction (A), said waveguide comprising a central portion (10c) extending along the propagation direction. The device further comprises a phase change material (PCM) patch (20) disposed on the waveguide, wherein the PCM patch is dedicated to be heated. The device further comprises at least one heat sink (100) configured to drain heat from the PCM patch when heated, said heat sink being distinct from the central portion of the waveguide and having a thermal conductivity greater than or equal to that of the waveguide. Another aspect of the invention relates to a photonic system comprising said photonic device.

The present invention relates to a method of evaluating the interactions between a layer of silicone oil deposited on a substrate and a compound of interest which is contained in a solution, said solution being in contact with the silicone oil, which comprises the following steps: 1) preparing a mixture containing the silicone oil and an evaporable solvent, 2) contacting the mixture with the substrate, 3) evaporating the solvent to obtain a substrate coated with a layer of the silicone oil, 4) contacting the layer of the silicone oil with the solution, 5) evaluating at least one of the following parameters i), ii) and iii) : i) the adsorption of the compounf of interest on the layer of the silicone oil, ii) the degradation of the compound of the interest, iii) the degradation of the layer of the silicone oil.

La présente description concerne un système de pilotage configuré pour fournir et/ou recevoir dans un réservoir tampon, une quantité d'une ressource destinée à ou reçue d'un système cible (102), le système de pilotage comprenant : - au moins un capteur (106) configuré pour mesurer, périodiquement et dans un premier intervalle de temps, des quantités de la ressource fournie et/ou reçue ; - un dispositif de traitement (110) configuré pour effectuer une opération de traitement sur les mesures effectuées par l'au moins un capteurs, l'opération de traitement correspondant à la génération d'une première série temporelle dont les valeurs sont des cumuls des quantités mesurées à plusieurs instants temporels ; le dispositif de traitement comprenant en outre un réseau de neurones (202) pour générer au moins une estimation de quantité sur la base de la première série temporelle, et pour commander un actionneur (108).

L'invention concerne un procédé de brouillage acoustique pour brouiller un signal acoustique d'intérêt (S_v) de fréquence comprise entre 20 Hz et 20 kHz, comportant la génération et l'émission d'au moins un signal de commande électrique (S_xe) comportant au moins une première composante ayant une fréquence f₁ égale ou supérieure à 20 kHz, et une deuxième composante ayant une fréquence f₂ égale ou supérieure à 20 kHz, la conversion du signal de commande électrique (S_xe) en un signal acoustique ultrasonore chaotique (S_ac), l'émission du signal acoustique ultrasonore chaotique (S_ac), la captation du signal acoustique ultrasonore chaotique (S_ac) conjointement avec le signal acoustique d'intérêt (S_v), la conversion des signal (S_ac) et (S_v) en un signal brouillé (S_e) basse fréquence et large, et l'émission du signal brouillé (S_e) basse fréquence et large. Elle concerne également un système de brouillage.

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A system for detecting malwares in a resources constrained device (200), the system comprising: - a monitoring module (203), embedded on the device (200), for measuring, at a predefined adaptable monitoring period, internal hardware events related data (202), - a local machine learning module (205), embedded on the device (200), for providing a confidence score that each monitored data is a malware, the local machine learning module being configured to raise an alert (207) if the confidence score is higher than a first predefined alert threshold and to locally store the monitored data in a memory (206) if the confidence score is lower than the first predefined alert threshold and higher than a second predefined suspicious threshold, - a remote machine learning module (208), embedded on a remote server, for receiving the stored monitored data at a predefined transmission rate and process the received data to detect if it corresponds to malware.

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The present patent application relates to the fields of antibodies and polyomaviruses. More specifically, the present patent application relates to a human monoclonal antibody, or antigen-binding fragment thereof, directed against a polyomavirus, in particular BKV, and that is useful in the treatment of an infection by said polyomavirus or associated-disorder thereof.

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