Infineon Technologies Austria Patente
🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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712 gesamt| Patent | |||
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11.09.2024
Chip-Zu-Chip-Stapelung unter Verwendung von Nickel-Zinn-Metallisierungsstapeln und Diffusionslöten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.09.2024
Leistungstransistor-Chipgehäuse
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.03.2023
Anhängig
Vertretung
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11.09.2024
Stromrichtersteuergerät, Stromrichter und Verfahren zum Betrieb eines Stromrichters
Elektrische Energietechnik
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11.09.2024
Mehrkanaltransistor mit Hoher Elektronenmobilität und Reduzierter Eingangskapazität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.09.2024
Integrierte Ausfallsichere Pulldown-Schaltung für Gan-Schalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 27.05.2020
Erteilt am 11.09.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.09.2024
Niedrigleistungszyklus zur Bitübertragung in Gate-Treibern
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 23.01.2020
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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04.09.2024
Stromversorgungssteuerung und Überstromschutz
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 23.02.2024
Anhängig
Vertretung
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28.08.2024
Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.02.2023
Anhängig
Vertretung
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28.08.2024
Verfahren und Ansteuerschaltung zum Betreiben eines Stromrichters
Elektrische Energietechnik
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28.08.2024
Verfahren zur Herstellung einer Gruppe-Iii-Nitrid-Schicht auf einem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.08.2024
Kryostatfassung zum Halten einer auf einem Substrat Montierten Ionenfalle in einem Kryostat
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 24.02.2023
Anhängig
Vertretung
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28.08.2024
Schaltkondensatoransteuerungsschaltungen für Leistungshalbleiter
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.06.2020
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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22.08.2024
Superjunction-jfet, method for producing a superjunctionjfet and electronic circuit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.02.2024
Anhängig
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21.08.2024
Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.02.2019
Erteilt am 21.08.2024
Vertretung
Zusammenfassung
In an embodiment, a semiconductor package comprises a first transistor device comprising a first surface and a second surface opposing the first surface, a first power electrode and a control electrode arranged on the first surface and a second power electrode arranged on the second surface. The semiconductor package further comprises a first metallization structure arranged on the first surface, the first metallization structure comprising a plurality of outer contact pads, the outer contact pads comprising a protective layer of solder, Ag or Sn, a second metallization structure arranged on the second surface, a conductive connection extending from the first surface to the second surface and electrically connecting the second power electrode to an outer contact pad of the first metallization structure, and a first epoxy layer arranged on side faces and on the first surface of the transistor device, the first epoxy layer comprising openings defining the lateral size of the outer contact pads and a package footprint. |
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21.08.2024
Integrierte Stromfühlschaltung und Entsprechendes Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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14.08.2024
Halbleiterbauelement und Halbleitergehäuse
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2019
Erteilt am 14.08.2024
Vertretung
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14.08.2024
Halbleitertransistorpackung mit Elektrischen Kontaktschichten und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.08.2024
Leistungsschalteranordnung mit Co-Verpackter Schutzfunktion
Elektronik & Schaltungstechnik
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07.08.2024
Steuerung für Resonanzleistungswandler, Resonanzleistungswandler und Verfahren zum Betrieb eines Resonanzleistungswandlers
Elektrische Energietechnik
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07.08.2024
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Elektrisch Isolierenden Struktur in einem Graben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.07.2024
Überstromschutzverfahren und -Vorrichtung
Elektrische Energietechnik
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24.07.2024
Kondensatorwandler
Elektrische Energietechnik
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24.07.2024
Induktorkonnektivität und Anordnungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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24.07.2024
Passive Entladeschaltung für Bidirektionale Halbleiterschalter
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.01.2024
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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24.07.2024
Flankendetektion und -Korrektur zur Strommessung unter Verwendung des Einschaltwiderstands eines Leistungsschalters
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 25.11.2020
Erteilt am 24.07.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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24.07.2024
Verfahren zum Diffusionslöten einer Halbleitervorrichtung mittels einer Lötvorform mit Wechselndem Oberflächenprofil
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.08.2022
Erteilt am 24.07.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A method of soldering a semiconductor device includes providing a substrate (102) having a first metal joining surface (106), providing a semiconductor die (104) having a second metal joining surface (114), providing a solder preform (100) having a first interface surface (110) and a second interface surface (112), arranging the solder preform (100) between the substrate (102) and the semiconductor die (104) such that the first interface surface (110) of the solder preform (100) faces the first metal joining surface (106) of the substrate (102) and such that the second interface surface (112) of the solder preform (100) faces the second metal joining surface (114) of the semiconductor die (104), and performing a mechanical pressure-free diffusion soldering process that forms a soldered joint between the substrate (102) and the semiconductor die (104) by melting the solder preform (100) and forming intermetallic phases in the solder. One or both of the first interface surface (110) and the second interface surface (112) has a varying surface profile (124) that creates voids (126) between the solder preform (100) and one or both of the substrate (102) and the semiconductor die (104) before the melting of the solder preform (100). The varying surface profile (124) may comprise a plurality of ridges (128) and channels (130) that are disposed between immediately adjacent ones of the ridges (128), wherein the channels (130) create the voids (126) in the arrangement (116) of the solder preform (100) in between the substrate (102) and the semiconductor die (104), permitting ingress and egress of the ambient atmosphere (122) within a soldering furnace (118) that contains the arrangement (116) of the solder preform (100) in between the substrate (102) and the semiconductor die (104). Performing the mechanical pressure-free diffusion soldering process may comprise a conditioning step that removes a tacking agent (108) provided between the solder preform (100) and one or both of the substrate (102) and the semiconductor die (104), wherein vapours of the tacking agent (108) may be outgassed through the channels (130). Performing the mechanical pressure-free diffusion soldering process may also comprise an activation step that introduces formic acid into the soldering furnace (118), wherein the formic acid can flow into the arrangement (116) through the channels (130) and the resulting reacted oxide can exit the arrangement (116) via the channels (130). The ridges (128) and channels (130) may have an undulating profile along a cross-section of the solder preform (100) that is orthogonal to the ridges (128). |
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24.07.2024
Vorrichtung zur Kontrolle von Eingefangenen Ionen mit einer Elektrodenschicht von Geringer Oberflächenrauheit
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 23.01.2023
Anhängig
Vertretung
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17.07.2024
Halbleitergehäuse in einer Source-Down-Konfiguration durch Verwendung Vertikaler Steckverbinder
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.07.2024
Vorrichtung zur Kontrolle von Eingefangenen Ionen
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 12.01.2023
Anhängig
Vertretung
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17.07.2024
Vorrichtung zur Kontrolle von Eingefangenen Ionen
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 13.01.2023
Anhängig
Vertretung
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10.07.2024
Abwärts-Boost-Leistungswandler mit Konstanter Leistung und Verfahren
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 04.01.2024
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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10.07.2024
Induktiv Gekoppelter Mehrstufiger Leistungswandler
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 28.12.2023
Anhängig
Vertretung
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10.07.2024
Stromwandler/transformatoranordnung und Stromausgleich
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.12.2023
Anhängig
Vertretung
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10.07.2024
Leistungsumwandlungsphasen und Kopplungsinduktivität
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.12.2023
Anhängig
Vertretung
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03.07.2024
Stromrichter
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 30.12.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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03.07.2024
Halbplanarer Transformator
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.04.2020
Erteilt am 03.07.2024
Vertretung
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26.06.2024
Verfahren und Vorrichtung zur Nullstrom-Schaltsteuerung in Geschalteten Kondensatorwandlern
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 12.07.2018
Erteilt am 26.06.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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26.06.2024
Verfahren zur Ausbildung einer Isolationsschicht in einem Halbleiterkörper
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.10.2019
Erteilt am 26.06.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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26.06.2024
Transistorvorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.12.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
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26.06.2024
Co-Verpackte Kontrollierte Überstromhandhabung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
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Wer vertritt Infineon Technologies Austria?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies Austria vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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