Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.942 gesamt| Patent | |||
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08.03.2023
Verfahren zur Herstellung einer Elektrischen Schnittstelle für eine Halbleitervorrichtung sowie der Entsprechenden Vorrichtung mit Derselben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.09.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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08.03.2023
Kernloser Stromsensor für Hochstrom-Leistungsmodul
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.01.2019
Erteilt am 08.03.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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01.03.2023
System und Verfahren zur Modellierung von Menschlichem Verhalten und Leistungsregelung mit Verwendung eines Millimeterwellenradarsensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 11.01.2019
Erteilt am 01.03.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
An embodiment method includes identifying a set of targets within a field of view of a millimeter-wave radar sensor based on radar data received by the millimeter-wave radar sensor; capturing radar data corresponding to the set of targets across a macro-Doppler frame; performing macro-Doppler processing on the macro-Doppler frame and determining whether a macro-Doppler signal is present in the macro-Doppler frame based on the macro-Doppler processing; capturing radar data corresponding to the set of targets across a micro-Doppler frame, wherein the micro-Doppler frame has a duration superior or equal to a duration of a first plurality of macro-Doppler frames; performing micro-Doppler processing on the micro-Doppler frame and determining whether a micro-Doppler signal is present in the micro-Doppler frame based on the micro-Doppler processing; and activating at least one range bin of a plurality of range bins in response to a determination that at least one of the macro-Doppler signal or the micro-Doppler signal is present. |
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01.03.2023
Chip-Reset über Kommunikationsschnittstellen-Endgeräte
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 13.03.2020
Erteilt am 01.03.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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01.03.2023
Verfahren zur Pixel-Binning in einem Flugzeitsensor, Schaltvorrichtung für einen Flugzeitsensor und Computerprogramm
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.03.2023
Halbleiterbauelement mit einer Ni-Haltigen Schicht und Verfahren zur Herstellung davon
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.08.2021
Anhängig
Vertretung
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01.03.2023
Elektronische Vorrichtung mit im Display Integrierter Beleuchtungseinheit und Entsprechendes Steuerungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.11.2020
Erteilt am 01.03.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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15.02.2023
Emitterverpackung für einen Photoakustischen Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 10.12.2019
Erteilt am 15.02.2023
Vertretung
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15.02.2023
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.09.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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15.02.2023
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.08.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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15.02.2023
Transistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2022
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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01.02.2023
Elektronische Vorrichtung und Ladungspumpenschaltung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.07.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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01.02.2023
Beleuchtungsvorrichtung für einen Optischen Sensor, Optischer Sensor und Verfahren zur Steuerung einer Beleuchtungsvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.01.2023
Kalibrierung eines Gruppenantennensystems
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 03.06.2019
Erteilt am 11.01.2023
Vertretung
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04.01.2023
Verfahren und Vorrichtung zur Kompensation von Streulicht, das durch ein Objekt in einer Szene Verursacht Wird, die von einer Flugzeitkamera Erfasst Wird
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 06.06.2019
Erteilt am 04.01.2023
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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04.01.2023
Leistungshalbleitermodulanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.07.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.01.2023
Schutzbeschaltung und Leistungshalbleitermodul mit der Beschaltung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 05.07.2019
Erteilt am 04.01.2023
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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28.12.2022
Verfahren zur Glättung einer Oberfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.12.2022
Kombiniertes Gewelltes Piezoelektrisches Mikrofon und Gewellter Piezoelektrischer Schwingungssensor
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 26.07.2021
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A combined MicroElectroMechanical structure (MEMS) includes a first piezoelectric membrane having one or more first electrodes, the first piezoelectric membrane being affixed between a first holder and a second holder; and a second piezoelectric membrane having an inertial mass and one or more second electrodes, the second piezoelectric membrane being affixed between the second holder and a third holder. |
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28.12.2022
Photoakustisches Gassensorsystem und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.10.2018
Erteilt am 28.12.2022
Vertretung
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21.12.2022
Mikroelektromechanischer (mems) Vibrationssensor mit einer Segmentierten Trägerplatte
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 10.06.2022
Anhängig
Vertretung
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21.12.2022
Auf Radarmessung Basierende Personenzählung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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21.12.2022
Halbleiterbauelement mit einer mit der Gate-Metallisierung Verbundenen Diodenkette
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.12.2022
Aktiv Nachgeführte Schaltgeschwindigkeitssteuerung und Regelung der Schaltgeschwindigkeit eines Leistungstransistors Beim Einschalten
Elektronik & Schaltungstechnik
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14.12.2022
Sensorvorrichtungen, Elektronische Vorrichtungen, Verfahren zur Durchführung einer Objektdetektion durch eine Sensorvorrichtung und Verfahren zur Durchführung einer Objektdetektion durch eine Elektronische Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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14.12.2022
Leistungshalbleitermodul
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.06.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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30.11.2022
Radarsensor-Energiesparmodus Gesteuert von einem Endlichen Zustandsautomaten (fsm)
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.10.2019
Erteilt am 30.11.2022
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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30.11.2022
Transportsystem
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.10.2019
Erteilt am 30.11.2022
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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30.11.2022
Verfahren und Einrichtung zur Auswertung von Radarbildern und Radarvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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30.11.2022
Ausleseschaltung für Resistive und Kapazitive Sensoren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.10.2018
Erteilt am 30.11.2022
Vertretung
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16.11.2022
Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats mit Getrimmten Widerständen sowie Metall-Keramik-Substrat mit Getrimmten Widerständen
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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Status
Angemeldet am 13.09.2017
Erteilt am 16.11.2022
Vertretung
Zusammenfassung
The invention relates to a method for manufacturing a metal-ceramic substrate (10), including providing a central ceramic insulation layer (20) with a conductive metal layer (30) on one or both of its surfaces. Laser ablation with an ultrashort pulse laser is performed on at least one conductive metal layer (30) locally within an ablation area (31) until a certain resistivity of the conductive metal layer (30) is achieved in this ablation area (31). Thereby, the thickness of the conductive metal layer (30) in the ablation area (31) is reduced to a value above zero so that certain resistance values can be achieved in order to form resistors on the metal-ceramic substrate (10). The invention also relates to a corresponding metal-ceramic substrate which has been manufactured by such method. In particular, the conductive metal layer (30) is made of copper which is applied to the central ceramic layer (20) by means of a DCB process to form a DCB substrate. |
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16.11.2022
Pvt-Kompensierte Resistive Vorspannungsarchitektur für einen Kapazitiven Sensor
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 04.09.2018
Erteilt am 16.11.2022
Vertretung
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16.11.2022
Instant-Rf-Überspannungsschutzelement
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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16.11.2022
Radargerät und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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16.11.2022
Schallwandlervorrichtung mit einer Umweltbarriere
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.05.2021
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
The herein described innovative concept concerns a sound transducer device (100) comprising a multilayer component board (110) having a first side (101) and an opposite second side (102), and a sound port (120) extending between the first and second sides (101, 102) of the multilayer component board (110). It further comprises a MEMS sound transducer die (130) comprising a suspended membrane structure (140), wherein the MEMS sound transducer die (130) is arranged at the first side (101) of the multilayer component board (110) such that the suspended membrane structure (140) is in fluid communication with the sound port (120). It further comprises a mesh structure (150) for providing an environmental barrier, the mesh structure (150) covering the sound port (120) from either one of the first and second sides (101, 102) of the multilayer component board (110). |
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09.11.2022
Halbleiterbauelement mit Anschlussstruktur und Feldfreiem Bereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.11.2022
Verfahren für einen Virtuellen Assistenten, Datenverarbeitungssystem Hosting eines Virtuellen Assistenten für einen Benutzer und eine Agentenvorrichtung, um Es einem Benutzer zu Ermöglichen, mit einem Virtuellen Assistenten zu Interagieren
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 06.09.2018
Erteilt am 02.11.2022
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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02.11.2022
Leistungshalbleitermodulanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.04.2021
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
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02.11.2022
Verfahren zum Aufteilung eines Halbleiterwerkstücks
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.11.2022
Ultraschallschweissvorrichtung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 20.04.2022
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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