NXP USA Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.629 gesamt| Patent | |||
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24.06.2020
Erweiterter Doppler-Fmcw-Code-Multiplex-Mimo-Radar
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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24.06.2020
Linearitätsverbesserung von Hochleistungsverstärkern
Elektronik & Schaltungstechnik
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24.06.2020
Breitbandige Leistungstransistorvorrichtungen und Verstärker mit Eingangsseitiger Harmonischer Abschlussschaltung und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.06.2020
Feldeffekttransistor und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.08.2018
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
A transistor includes a trench formed in a semiconductor substrate with the trench having a first sidewall and a second sidewall. A vertical field plate is formed in the trench and the vertical field plate is located between the first sidewall and the second sidewall. A gate electrode is formed in the trench with a first edge of the gate electrode proximate to the first sidewall and a second edge of the gate electrode proximate to the vertical field plate. A first dielectric material is formed in the trench between the first sidewall and the vertical field plate. A second dielectric material is formed in the trench between the vertical field plate and the second sidewall with the second dielectric material having a dielectric constant lower than that of the first dielectric material. |
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17.06.2020
Bestätigung für Mehrfachbenutzerkommunikation in einem Wlan
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.11.2015
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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17.06.2020
Hf-Verstärkermodul und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 04.08.2016
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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17.06.2020
Redundantes Sensorsystem mit Selbsttest von Elektromechanischen Strukturen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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17.06.2020
Mehrbenutzer-Nulldatenpaket (ndp)-Entfernungsmessung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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17.06.2020
Selbstbereitstellung und Schutz eines Geheimen Schlüssels
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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10.06.2020
Temperatursensorsystem, Radarvorrichtung und Verfahren dafür
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 11.04.2017
Erteilt am 10.06.2020
Vertretung
Lee, Candice Jane · Redhill
Terblanche, Candice Jane · Redhill
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10.06.2020
Bildung von Metalloxidschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.04.2018
Erteilt am 10.06.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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10.06.2020
Integral Geformter Mehrpfadiger Leistungsverstärker mit Kombinierender Knotenstruktur auf einem Chip
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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10.06.2020
Leistungsverstärker mit Integrierter Vorspannungsschaltung mit Mehrpunkteingabe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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10.06.2020
Integrierter Leistungsteiler mit mehreren Abschnitten und Mehrwegverstärker mit Integrierten Leistungsteilern mit mehreren Abschnitten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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03.06.2020
Verfahren zum Galvanisieren von Anschlusskontaktflächen auf eine Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2012
Erteilt am 03.06.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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03.06.2020
Ladungspumpentreiberschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 07.07.2016
Erteilt am 03.06.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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27.05.2020
Anpassbare Messschaltung und Verfahren dafür
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 24.07.2017
Erteilt am 27.05.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Terblanche, Candice Jane · Redhill
Bradler, Carola Romana · Hamburg
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27.05.2020
Datenerfassungsverfahren und -Vorrichtung für ein Fmcw-Radarsystem
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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27.05.2020
Vorrichtungen und Verfahren zur Leistungssequenzerkennung
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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20.05.2020
Verfahren und Vorrichtung zur Automatischen Erkennung eines Phy-Modus einer Dateneinheit in einem Drahtlosen Lokalen Netzwerk (wlan)
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 26.10.2012
Erteilt am 20.05.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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20.05.2020
Hochgeschwindigkeitsspannungspegelumsetzer, Einschliesslicheines Automatischen Bootstrap-Kaskodentreibers
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 27.09.2019
Anhängig
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
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20.05.2020
Wlan-Auslöserrahmen-Padding zur Erfüllung von Minimalen Verarbeitungszeitanforderungen eines Empfängers
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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13.05.2020
Vorrichtung und Verfahren zur Berechnung eines Funktionswertes einer Funktion
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 21.01.2011
Erteilt am 13.05.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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13.05.2020
Replikation eines Ansteuerungssignals über eine Galvanischen Isolationsbarriere
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.12.2016
Erteilt am 13.05.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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13.05.2020
System, Prüfkammer und Verfahren zur Antwortzeitmessung eines Drucksensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.05.2017
Erteilt am 13.05.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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06.05.2020
Komparatorschaltung mit Rückkopplung und Verfahren zum Betrieb
Elektronik & Schaltungstechnik
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06.05.2020
Abgeschirmtes Halbleiterbauelement und Leiterrahmen dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.05.2020
Sensorgerät mit Flip-Chip-Platine und Interposer
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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29.04.2020
Winkelgeschwindigkeitssensor mit Quadraturfehlerkompensation
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 21.06.2013
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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15.04.2020
Verfahren zur Kopplung eines Empfängers mit einem Sender eines Drahtlosen Ladegeräts
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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08.04.2020
Verfahren und Einrichtung zur Bereitstellung einer einen Sicherheitsverstoss Anzeigenden Audiowarnung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 13.06.2006
Erteilt am 08.04.2020
Vertretung
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08.04.2020
MEMS-Vorrichtung mit variabler Spaltbreite und Herstellungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 07.02.2012
Erteilt am 08.04.2020
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Wray, Antony John · Basingstoke
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01.04.2020
Verstärker mit Integriertem Richtkoppler
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
An embodiment of an amplifier includes a first amplifier with a first output terminal, a second amplifier with a second output terminal, and a plurality of microstrip transmission lines electrically connected to the amplifiers. The transmission lines include an impedance inverter line electrically connected between the first and second output terminals, and an output line electrically connected between the second output terminal and an output of the amplifier, where the output line forms a portion of an output impedance transformer. The amplifier also includes a directional coupler formed from a main line and a coupled line positioned in proximity to the main line, where the main line is formed from a portion of one of the transmission lines. The amplifier may also include a module substrate with a plurality of metal layers, where the main line and the coupled line are formed from different portions of the metal layers. |
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01.04.2020
Kurzes Trainingsfeld für Wifi
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 23.09.2015
Erteilt am 01.04.2020
Vertretung
Krott, Michel · Eindhoven
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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01.04.2020
Körpersteuerungsvorrichtung für einen Bidirektionalen Transistor
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 07.03.2017
Erteilt am 01.04.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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01.04.2020
Verpacktes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Formung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.04.2018
Erteilt am 01.04.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
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01.04.2020
Transistor mit Abschirmstruktur, Verpackte Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.09.2019
Anhängig
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Lee, Candice Jane · Redhill
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25.03.2020
LDMOS-Anordnung mit hoher Durchbruchspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.06.2013
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Zusammenfassung
A multi-region (81, 83) lateral-diffused-metal-oxide-semiconductor (LDMOS) device (40) has a semiconductor-on-insulator (SOI) support structure (21) on or over which are formed a substantially symmetrical, laterally internal, first LDMOS region (81) and a substantially asymmetric, laterally edge-proximate, second LDMOS region (83). A deep-trench isolation (DTI) wall (60) substantially laterally terminates the laterally edge-proximate second LDMOS region (83). Electric field enhancement and lower source-drain breakdown voltages (BVDSS) exhibited by the laterally edge-proximate second LDMOS region (83) associated with the DTI wall (60) are avoided by providing a doped SC buried layer region (86) in the SOI support structure (21) proximate the DTI wall (60), underlying a portion of the laterally edge-proximate second LDMOS region (83) and of opposite conductivity type than a drain region (31) of the laterally edge-proximate second LDMOS region (83). |
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25.03.2020
Slave-Vorrichtung für ein Verteiltes Echtzeitnetzwerk, Verteiltes Echtzeitnetzwerk und Verfahren dafür
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 04.11.2011
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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25.03.2020
Vorrichtung und Zugehöriges Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Angemeldet am 09.11.2016
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Lee, Candice Jane · Redhill
Terblanche, Candice Jane · Redhill
Zusammenfassung
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Wer vertritt NXP USA?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP USA vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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