CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) Patente

Substrat (10) en silicium cristallin pour cellule solaire en particulier dans le domaine du spatial, ledit substrat ayant une conductivité de type P et étant dopé à l'aide d'au moins une espèce dopante de type accepteur dans le silicium, cette espèce dopante ayant une concentration p0 à l'équilibre supérieure à 1017 atomes par cm3.

L'invention concerne un dispositif électronique comprenant : - un composant présentant une résistance (R120) à coefficient de température négatif, et - un moyen de contrôle de la température présentant une résistance électrique (R130) variant en fonction de la température T de sorte que la somme de la résistance totale (R) soit, sur une deuxième sous-gamme de température (302), supérieure à une température de consigne (305), strictement supérieure à la résistance totale (R) à la température de consigne (305).

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un niveau d'interconnexion comprenant : • une formation, sur un substrat (S), d'une première couche métallique (21), • une formation, sur la première couche métallique (21), d'une couche d'arrêt de gravure (30), • une structuration de la couche d'arrêt de gravure (30), • une formation, sur la couche d'arrêt de gravure structurée comprenant une ouverture de via (30v), d'une deuxième couche métallique (22), • une formation, sur la deuxième couche métallique (22), d'un deuxième masque définissant un motif de via (40v) à l'aplomb de l'ouverture de via (30v), • une gravure de la deuxième couche métallique (22), configurée pour former un via (61) sous le deuxième masque, puis • une gravure de la première couche métallique (21), configurée pour former une ligne (62) sous la couche d'arrêt de gravure structurée, la ligne (62) étant connectée au via (61) au travers de l'ouverture de via (30v).

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif FeMFET comprenant :- une fourniture d'un transistor (1) comprenant une grille (10), une source (12) et un drain (13) connectés à des vias (14, 15),- une formation d'une première couche métallique (21),- une formation d'une couche ferroélectrique (30a),- une structuration de la couche ferroélectrique (30a) pour former un motif fermé (31) surmontant la grille (10) et des motifs ouverts (32a) surmontant les vias (14, 15),- une formation d'une deuxième couche métallique (22),- une gravure de la deuxième couche métallique (22), configurée pour former des vias (221, 222) en s'arrêtant sur la couche ferroélectrique (30a) et,- une gravure de la première couche métallique (21) de part et d'autre du motif fermé (31) et des motifs ouverts (32a), configurée pour former des lignes (211, 212).

L'invention concerne un accumulateur électrochimique (A) métal-ion avec un dispositif d'interruption de courant ,(11) intégré dans l'accumulateur, qui comprend un réservoir (14) rempli d'au moins un matériau endothermique et isolant électrique. Le dispositif étant commandé en pression, et. possédant un haut pouvoir de coupure.

L'invention concerne un procédé de surveillance du trafic de données entre des clients et des serveurs, mis en œuvre par un dispositif de surveillance, comprenant : collecter des données d'observation du trafic courant entre les clients et les serveurs ; effectuer à l'aide d'un module de détection automatique d'anomalies du trafic, nommé M6, une analyse d'une partie au moins des données d'observation courantes collectées et correspondant spécifiquement au type O6 d'angle d'observation propre au trafic entre un unique groupe de clients donné et un unique groupe de serveurs donné ; effectuer à l'aide d'un autre module distinct de détection automatique d'anomalies du trafic, M7, une analyse d'une partie au moins des données d'observation courantes collectées et correspondant spécifiquement au type O7 d'angle d'observation propre au trafic entre l'ensemble des clients donné et l'ensemble des serveurs donné.

L'invention concerne une source lumineuse directement modulée (DMD) comprenant : - une diode laser dite horizontale (DH) comprenant une jonction PIN horizontale (JH), la jonction horizontale étant formée d'une zone intrinsèque (Zi) disposée entre une première zone dopée p (Zp1) et une première zone dopée n (Zn1), la zone intrinsèque comprenant des puits quantiques ; - une jonction PIN verticale (JV) formée de ladite zone intrinsèque disposée entre une deuxième zone dopée p (Zp2), et une deuxième zone dopée n (Zn2) disposée du côté du substrat ; la jonction verticale étant polarisée en inverse et module ladite lumière émise par la diode laser horizontale par effet Stark dans les puits quantique ; - une couche bloquante (CB) disposée sous la première zone dopée p et configurée pour empêcher des fuites de courant entre la première zone dopée de type p et la deuxième zone dopée n.

L'invention concerne un module photovoltaïque (1), comprenant une première couche de protection (11) présentant une face interne (11b), une unité photovoltaïque (10) présentant une première (10a) et une deuxième (10b) face externe et une deuxième couche de protection (12) présentant une face interne (12a), caractérisé en ce que les couches de protection forment un logement (14) au sein duquel sont placés l'unité et au moins un dispositif de fixation (13) et en ce que une face externe de l'unité comprend une première zone (140) et une deuxième zone (141), l'au moins un dispositif de fixation présente une zone de recouvrement (131) en contact avec la deuxième zone et présente une surface inférieure ou égale à 10% de la surface de l'au moins une face externe permettant un déplacement d'une face interne au sein du logement.

L'invention concerne un réacteur électrochimique (1), configuré pour recevoir un empilement (10), le réacteur comprenant une plaque d'appui (22), l'empilement étant positionné en contact avec la plaque d'appui, caractérisé en ce que le réacteur comprend en outre un dôme (30), présentant un volume interne (V_int), destiné à recevoir l'empilement, de la fritte de verre (40) liquide présentant un volume (V_l) et une face supérieure dite surface libre (41) et configurée pour recouvrir l'empilement, le volume interne comprenant en outre un gaz de couverture (42) positionné en contact de la surface libre du volume de fritte liquide, le gaz de couverture étant configuré pour être mis sous pression par un module à une pression de serrage (Ps), celle-ci étant configuré de sorte à maintenir en compression l'empilement sur la plaque d'appui sous un effort mécanique proportionnel à la pression de serrage.

L'invention concerne un procédé d'élaboration d'un acier ferritique Fe - 12/18 Cr renforcé par une dispersion d'oxydes, comprenant les étapes suivantes :a) fournir (100) une poudre d'acier ferritique Fe - 12/18 Cr et une poudre d'oxydes ;b) réaliser un co-broyage (200) de la poudre d'acier ferritique Fe - 12/18 Cr avec la poudre d'oxydes pour obtenir une poudre d'acier ferritique Fe - 12/18 Cr renforcée par une dispersion d'oxydes ;c) tamiser (300) la poudre d'acier ferritique Fe - 12/18 Cr renforcée par une dispersion d'oxydes à une granulométrie moyenne initiale prédéterminée ;d) retraiter (400) la poudre d'acier ferritique Fe - 12/18 Cr renforcée par une dispersion d'oxydes de sorte à obtenir une granulométrie moyenne finale prédéterminée qui est strictement inférieure à la granulométrie moyenne initiale prédéterminée ; et,e) élaborer (500) l'acier ferritique Fe - 12/18 Cr renforcé par une dispersion d'oxydes.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant :- disposer d'un substrat en saphir ;- déposer une couche intermédiaire épitaxiée sur le substrat en nitrure de métaux de transition choisis parmi : TiN, ZrN, HfN, NbN, TaN, VN, MoN, WN, CrN ;- déposer une couche tampon sur la couche intermédiaire de manière à obtenir une couche épitaxiée, la couche tampon étant en Al_xGa_1-xN avec 0≤x≤1 ;- déposer, sur la couche tampon, un empilement de diode électroluminescente comprenant une couche active, et une couche d'injection de part et d'autre de la couche active ;- coller un substrat de report sur l'empilement grâce à une couche de collage ; et- effectuer un détachement par laser du substrat en appliquant un rayon laser à travers le substrat et la couche intermédiaire, le rayon laser ayant une longueur d'onde d'émission absorbée par la couche intermédiaire.

Dispositif de génération de signal (100), comprenant :- un oscillateur pulsé (102) générant un signal TORP de fréquence égale à M.F_Ref ;- un premier ILO (108) comprenant deux sorties sur lesquelles des signaux périodiques V_out+ et V_out- de fréquence égale à N.F_Ref et déphasés de 180° l'un par rapport à l'autre sont délivrés ;- un premier échantillonneur (110) échantillonnant les signaux V_out+ et V_out- à la fréquence F_Ref ;- un premier intégrateur (114) délivrant des signaux V_o+ et V_o- résultant d'une intégration des signaux V_out+ et V_out-échantillonnés ;- un premier circuit de conversion (118) comprenant une entrée de commande recevant une tension de décalage V_off, et délivrant un signal de sortie de valeur proportionnelle à la différence de tension (V_off + V_o+) - (V_off + V_o-) et appliqué sur une entrée de contrôle du premier ILO.

L'invention porte sur capteur comprenant au moins un pixel de profondeur. Une zone de stockage commandable comprend une voie d'écoulement de charges s'étendant à l'aplomb d'une région photosensible et comportant une région mémoire séparée de la région photosensible par une barrière de potentiel ; une grille de transfert en vis-à-vis de la barrière ; une grille de transfert inverse en vis-à-vis de la barrière et d'une partie supérieure de la région photosensible. Une voie additionnelle d'écoulement de charges s'étend à l'aplomb de la région photosensible et comporte une zone de collecte séparée de la région photosensible par un canal de collecte commandable par une grille d'initialisation. Un circuit est configuré pour : échantillonner un signal reçu dans la région mémoire ; initialiser un nœud de lecture ; activer les grilles de transfert inverse et d'initialisation pour évacuer des charges de mémoire ; lire un potentiel électrique du nœud de lecture.

L'invention porte sur capteur d'une image comprenant un pixel de profondeur comportant deux zones de stockage commandables. Chacune comprend successivement une barrière, une région mémoire et une zone de pincement ; une grille de transfert en vis-à-vis de la barrière ; une grille de transfert inverse commune aux deux zones de stockage en vis-à-vis de la barrière et d'une partie de la région photosensible ; une grille de pincement en vis-à-vis de la mémoire formant une capacité de couplage avec la mémoire. Une voie d'écoulement de charges s'étend entre les grilles de transfert à l'aplomb de la région photosensible. Un circuit est configuré pour échantillonner un signal dans chaque mémoire ; déconnecter les zones de pincement et les capacités ; vider les mémoires vers la voie d'écoulement par activation des grilles de transfert et de la grille de transfert inverse ; lire les potentiels électriques des capacités de couplage.

L'invention concerne une plaque photonique (PP) comprenant au moins un motif (MOT), un motif comprenant au moins une puce photonique dite fonctionnelle (PPf) et un dispositif de test (DT), le dispositif de test (DT) comprenant : • un premier ensemble de test (E1t) comprenant : o un premier coupleur par la tranche de test (EDC1t), dénommé premier coupleur test, o un premier dispositif de couplage lumière/guide test (DC1t), o un deuxième coupleur par la tranche de test (EDC2t), dénommé deuxième coupleur test, o un deuxième dispositif de couplage lumière/guide test (DC2t), o le premier et le deuxième coupleur test étant disposés symétriquement par rapport à un point O, • un ensemble dit de référence (Er) comprenant un guide d'onde de référence (WGr) et un premier (DC1r) et un deuxième (DC2r) dispositif de couplage lumière/guide de référence, • les premier (DC1t) et deuxième (DC2t) dispositifs de couplage lumière/guide test et les premier (DC1r) et deuxième (DC2r) dispositifs de couplage lumière/guide de référence étant tous identiques.

L'invention porte sur un capteur comprenant un pixel de profondeur comportant une zone de stockage commandable qui comprend successivement une barrière de potentiel, une région mémoire, une zone de pincement ; une grille de transfert en vis-à-vis de la barrière ; une grille de transfert inverse en vis-à-vis de la barrière et de la région photosensible ; une grille de pincement en vis-à-vis de la mémoire formant une capacité de couplage avec la mémoire. Une voie d'écoulement de charges à l'aplomb de la région photosensible comporte une zone de collecte séparée de la région photosensible par un canal ; une grille d'initialisation en vis-à-vis du canal. Un circuit est configuré pour : échantillonner un signal dans la mémoire ; déconnecter la zone de pincement et la capacité ; vider la mémoire par activation de la grille de transfert inverse et d'initialisation ; lire un potentiel électrique de la capacité.

There is provided a SIM-enabled transmitter (2) comprising a base station (2), Stacked Intelligent Metasurfaces, SIM (25) and a controller for jointly control the phase shifts of the electromagnetic waves passing through the meta-atoms of the SIM layers and the power allocated to each user equipment, using an unsupervised online dual-task deep-learning neural network (6). In response to the determination of an online channel estimation by the neural network, the transmitter implements iterations, each iteration comprising a forward propagation pass (504), a determination of a loss function (505), and a backpropagation pass (506). In the forward propagation pass (504), the online input data received by the neural network is passed through the successive hidden layers (601) of the neural network (6) using the current weights of the neural network (6), until arriving to a dual-task output layer that determines in parallel a predicted phase shift vector and a predicted power allocation vector, using the output of the last hidden layer.

L'invention porte sur un capteur d'une image comprenant au moins un pixel de profondeur comportant deux zones de stockage commandables. Chacune comporte une région mémoire séparée d'une région photosensible par une barrière de potentiel électrique ; une grille de transfert s'étendant en vis-à-vis de la barrière ; une grille de transfert inverse s'étendant en vis-à-vis de la barrière et d'une partie supérieure de la région photosensible. Une voie d'écoulement de charges s'étendant entre les grilles de transfert, à l'aplomb de la région photosensible, comporte une zone de collecte séparée de la région photosensible par un canal. Un circuit est configuré pour : échantillonner un signal dans chaque mémoire ; et pour chaque zone de stockage, vider la mémoire par activation des grilles de transfert et de la grille de transfert inverse de la zone de stockage entre une initialisation et une lecture d'un nœud de lecture.

L'invention concerne un procédé de détection d'anomalies dans les communications mises en œuvre dans un réseau, comprenant effectuer une analyse multi-échelle de données d'observation collectées avec N modules de classification automatique des communications Mi associé à une taille respective Ti de fenêtre d'observation, avec Ti ≠ Tj pour i,j = 1 à N et i ≠ j, une anomalie étant déterminée présente ou non à un instant donné en fonction des résultats de détection de chaque module Mi associé à la taille respective Ti de fenêtre d'observation.

A method for the assessment of the irradiation embrittlement in a nuclear reactor pressure vessel RPV (10) comprises the steps (a): cutting a specimen (20, 40) from an un-irradiated RPV (10); (b): measuring grain size D_g of each grain (30) on a region (21, 41) of the specimen (20, 40); (c): performing several indentation tests at a temperature on this region; (d) to (g): for each test, calculating for each grain (30) the slip band number density N/D_g from equations; (h): repeating steps (c) to (g) at different temperatures to obtain an un-irradiated curve around the ductile-brittle transition temperature DBTT; (i): submitting specimen (40) to an irradiation dose and repeating steps (b) to (g) at different temperatures to obtain an irradiated curve around the DBTT; (j) and (k): assessing the irradiation embrittlement in the RPV from the ductile-brittle transition shift between the un-irradiated and irradiated curves.

L'invention concerne un procédé d'optimisation de la durée de vie d'une batterie de stockage électrique (6), mis en œuvre dans un calculateur (4) comprenant des moyens mémoire (8) stockant un modèle (12) de vieillissement de la batterie de stockage électrique (6), la batterie de stockage électrique (6) étant une batterie à équilibrage actif avec transfert de puissance ou une batterie reconfigurable et comprenant une pluralité d'accumulateurs électrochimiques ou de modules d'accumulateurs électrochimiques connectés en série et/ou en parallèle, le calculateur (4) comprenant en outre un contrôleur (10) configuré pour commander l'état de charge électrique de chaque accumulateur électrochimique ou de chaque module d'accumulateurs électrochimiques de la batterie (6). L'invention concerne également un produit programme d'ordinateur pour la mise en œuvre d'un tel procédé, ainsi qu'un véhicule automobile (2) comprenant un calculateur (4) stockant un tel produit programme d'ordinateur.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un moule d'impression (40), comprenant les étapes suivantes :- fournir un moule maître (10) ayant une surface structurée dotée d'un caractère antiadhésif, la surface structurée présentant une pluralité de motifs (20) ;- modifier une portion (100) seulement de la surface structurée de façon à faire perdre à ladite portion son caractère antiadhésif, ladite portion (100) comprenant au moins un des motifs (20) ;- former un support sur la surface structurée, le support comprenant une couche d'impression structurée par les motifs (20) ;- séparer (S4) le support du moule maître (10) pour obtenir le moule d'impression (40), une partie (311) de la couche d'impression restant fixée à la portion modifiée (100) de la surface structurée.

L'invention concerne un procédé d'élaboration d'un acier austénitique Fe-Cr-Ni renforcé par une dispersion d'oxydes, ledit procédé comportant les étapes suivantes : a) fournir (100) une poudre d'acier austénitique Fe-Cr-Ni ; b) réaliser (200) un broyage, dit broyage cryogénique, de la poudre d'acier austénitique Fe-Cr-Ni à une température comprise entre -50°C et -196°C ; c) fournir (300) une poudre d'oxydes ; d) réaliser (400) un co-broyage de la poudre d'acier austénitique Fe-Cr-Ni avec la poudre d'oxydes ainsi fournie pour obtenir une poudre d'acier austénitique Fe-Cr-Ni renforcée par une dispersion d'oxydes ; et e) élaborer (500) l'acier austénitique Fe-Cr-Ni renforcé par une dispersion d'oxydes à partir de la poudre ainsi réalisée.

L'invention concerne un robot parallèle (1) s'étendant suivant un axe longitudinal principal (X), caractérisée en ce qu'il comprend un premier bâti (10), un deuxième bâti (20) monté sur le premier bâti avec une liaison pivot, une plateforme mobile (30) reliée au deuxième bâti par une première (41), une deuxième (42) et une troisième bielle (43), et comprenant un premier (50a) et un deuxième (50b) élément de déplacement respectivement reliés par une liaison pivot à la première et à la deuxième bielle et par une liaison glissière au deuxième bâti, chacune des bielles étant articulée par une liaison pivot et reliée à un élément de liaison (50c) positionné sur la plateforme de sorte que le déplacement des éléments permet de translater la plateforme, et le déplacement du deuxième bâti permet de réaliser une rotation (R) de la plateforme autour de l'axe longitudinal principal.

La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (100), une cavité (150) étant formée à partir d'une première face principale (101) du substrat (100), le fond (151) de la cavité (150) étant en un premier matériau, la première face principale (101) étant en un deuxième matériau, b) réaliser une épitaxie sélective d'un troisième matériau dans la cavité (150), pour former une structure épitaxiée (200) remplissant et débordant de la cavité (150) d'une épaisseur dite de débordement, c) déposer une couche d'encapsulation (300) en un quatrième matériau sur le substrat (100) et la structure épitaxiée (200), d) réaliser une étape d'amincissement par CMP pour retirer la couche d'encapsulation (300) et la partie du matériau épitaxié dépassant de la première face principale (101), l'épaisseur de la couche d'encapsulation (300) déposée étant comprise entre 20 et 200% de l'épaisseur de débordement.

Cette tour de fibrage comporte un support (120) de stabilisation apte à limiter l'amplitude des vibrations d'une fibre optique nue générée par un four (42) d'étirage, ce support comportant à cet effet une membrane dont la dureté, sur l'échelle A de Shore, est comprise entre 5 et 60. La membrane comporte une fente pourvue de bords aptes à frotter contre la fibre optique nue lorsque cette fibre optique nue défile à l'intérieur d'un poste (44) d'inscription de motifs. La distance verticale entre la fente et une zone (66) d'inscription de motifs dans la fibre optique nue, est inférieure à une distance Dmax au-delà de laquelle l'amplitude des vibrations de la fibre optique nue devient supérieure au diamètre du cœur de cette fibre optique nue.

L'invention se rapporte à un système d'aide à la programmation d'un robot (2) apte à effectuer au moins une action sur une entité (310), comprenant : - un premier dispositif de désignation (41), configuré pour permettre à un opérateur (1) de désigner une entité (310) en projetant un premier motif (416) sur l'entité (310) ; - un dispositif de confirmation de visibilité (42, 45), configuré pour fournir à l'opérateur un rendu visuel (426, 4261) du caractère visible, par le robot (2), de l'entité (310) ; - au moins un dispositif de confirmation d'atteignabilité (43, 44, 45, 4140), configuré pour fournir à l'opérateur (1) un rendu visuel (436, 446, 4262, 4180) du caractère atteignable, par un effecteur (24, 26) du robot (2), de l'entité (310) ; - une interface homme-machine (4101-4105, 4140, 4160-4170), configurée pour recevoir au moins une commande, fournie par l'opérateur (1), d'interaction du robot (2) avec l'entité (310).

La présente invention concerne des composés oligomères de polycarbonate et polycarbonates comprenant des unités dérivées d'un diol divanilline ou dérivés de divanilline (pouvant être biosourcé). La présente invention concerne également leurs procédés de préparation, notamment en voie fondue, et leurs utilisations.

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) comportant au moins une diode (10) photoémettrice ou photoréceptrice présentant une face avant destinée à transmettre ou recevoir un rayonnement lumineux ; au moins un composant optique (50) de mise en forme du rayonnement lumineux, situé sur la face avant et recouvrant la diode, et présentant une variation latérale d'indice optique effectif (ñ) prédéfinie. Le procédé comporte les étapes suivantes : fournir la diode (10) ; déterminer une variation latérale d'un taux de porosité (p), à partir d'une variation latérale d'indice optique cible (n_c) prédéfinie, d'une portion semiconductrice réalisée en un matériau cristallin transparent au rayonnement lumineux et située sur la face avant et recouvrant la diode (10) ; réaliser la portion semiconductrice à porosifier ; effectuer une porosification électrochimique de la portion semiconductrice, de sorte qu'elle présente la variation latérale déterminée du taux de porosité (p), la portion semiconductrice ainsi porosifiée formant alors le composant optique (50).

L'invention concerne un procédé de fabrication (P2) d'un dispositif électronique (100) résonant comprenant une étape de mise à disposition (E10) d'un empilement primaire (30) comprenant : une étape de fourniture (E1) d'un empilement initial (10) comprenant un substrat initial (11) présentant une face avant (Fav) comprenant une zone centrale (Zc) et une zone de détourage périphérique (Zdp), et une couche mince résonante (13) en matériau piézoélectrique ; et une étape de protection (E2), dans laquelle une couche mince de protection (17) est déposée sur l'empilement initial (10) et recouvrant la zone de détourage périphérique (Zdp); la couche mince de protection (17) étant en un matériau présentant une impédance acoustique supérieure à 20 MRayl pour des ondes longitudinales et/ou supérieure à 12 MRayl pour des ondes de cisaillement. L'invention concerne également un dispositif électronique (100) résonant.

L'invention concerne un procédé de correction d'épaisseur comprenant successivement une étape de mise à disposition (E0) d'un substrat support (5) comprenant une couche mince (10), ladite couche mince (10) présentant une surface (s10) s'étendant jusqu'à un bord périphérique (b10) ; une étape de gravure (E2), dans laquelle la couche mince (10) est gravée sélectivement par bombardement d'ions localisé, de sorte qu'une épaisseur (e10) de ladite couche mince (10) varie progressivement depuis un centre (C10) la couche mince (10) vers le bord périphérique (b10) ; et une étape de planarisation (E3), dans laquelle la couche mince (10) est polie par polissage mécanochimique, de sorte qu'à l'issue de l'étape de planarisation (E3), la couche mince (10) présente une épaisseur sensiblement constante.

Batterie de Carnot à cycle de charge simplifié par un éjecteur assurant une production de froid L'invention concerne une batterie de Carnot comprenant un cycle moteur destiné à transformer de l'énergie thermique en électricité et un cycle de réfrigération à éjecteur (SERS) comprenant un circuit frigorifique de circulation du fluide de travail comprenant trois branches agencées en parallèle: • une branche motrice et • une branche frigorifique, et • une branche de mélange sur laquelle est agencé un éjecteur destiné à assurer le mélange du fluide de travail issu de la branche motrice et le fluide de travail issu de la branche frigorifique et la batterie comprenant un module de stockage d'énergie thermique comprenant un fluide destiné à stocker de l'énergie thermique froide et formant la source à refroidir de la branche frigorifique, le module de stockage étant connecté thermiquement au condenseur du cycle moteur assurant le transfert thermique de l'énergie thermique froide du fluide stocké dans le module de stockage d'énergie vers le cycle moteur.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche d'encapsulation utilisée pour encapsuler des cellules photovoltaïques logées dans un module photovoltaïque, ce procédé consistant à : - Utiliser une bande d'un film d'encapsulation, ladite bande s'étendant suivant un plan, - Créer plusieurs fentes parallèles à travers ladite bande, suivant une première direction, - Etirer la bande dans son plan et suivant une deuxième direction perpendiculaire à la première direction des fentes pour créer une structure en treillis formant ladite couche d'encapsulation.

L'invention concerne les batteries Carnot et plus particulièrement celles fonctionnant avec un cycle subcritique. La batterie de Carnot selon l'invention est greffée à un cycle moteur et comprend un module de conversion d'énergie électrique en énergie thermique chaude, un module de stockage thermique chaud et un circuit intermédiaire de décharge du module de stockage vers le cycle moteur. L'invention permet d'optimiser la phase de décharge notamment pour un fonctionnement subcritique.Elle appartient aux domaines techniques correspondants d'une part aux technologies de stockage d'électricité et d'autre part aux systèmes augmentant la flexibilité de centrales thermiques de production électrique

L'invention concerne les batteries Carnot et plus particulièrement celles fonctionnant avec un cycle subcritique. La batterie de Carnot selon l'invention est greffée à un cycle moteur 200 et comprend une machine frigorifique 100, un module de stockage thermique froid 3 et un circuit intermédiaire 1 de décharge du module de stockage vers le cycle moteur. L'invention permet d'optimiser la phase de décharge notamment pour un fonctionnement subcritique. Elle appartient aux domaines techniques correspondants d'une part aux technologies de stockage d'électricité et d'autre part aux systèmes augmentant la flexibilité de centrales thermiques de production électrique.

Procédé de caractérisation d'un objet, l'objet comportant au moins un radionucléide émettant un rayonnement β, le procédé comportant : - a) disposition d'un détecteur face à l'objet ; - b) détection du rayonnement émis par l'objet ; - c) à partir du rayonnement détecté par le détecteur, formation d'un spectre d'entrée, comportant une composante β ; - d) application d'un algorithme d'identification, associé à un radionucléide, au spectre d'entrée, l'algorithme d'identification déterminant une présence du radionucléide, auquel l'algorithme d'identification est associé, dans l'objet ; - e) en fonction de d) identification du radionucléide contenu dans l'objet ; - f) application d'un algorithme de déconvolution au spectre d'entrée de façon à estimer une contribution de chaque radionucléide, identifié dans e), dans le spectre d'entrée.

Il est proposé un dispositif photonique (10) comprenant un composant émetteur (100), configuré pour émettre au moins un signal d'émission (S₁) comprenant une composante optique de signal, un composant récepteur (200), et un composant d'interconnexion (300) entre le composant émetteur (100) et le composant récepteur (200), le composant d'interconnexion (300) comprenant au moins un micro-tube (310) adapté pour transmettre la composante optique de signal issu du composant émetteur (100) vers le composant récepteur (200). Un micro-tube (310) comprend une paroi (314) et un milieu interne (312) adapté pour propager la composante optique de signal, entouré par la paroi du micro-tube, la paroi (314) étant adaptée pour séparer le milieu interne (312) et un milieu ambiant (40) dans lequel est plongé le dispositif photonique (10).

Dispositif quantique comprenant une pluralité de qubits, des électromètres (100) couplés à des qubits de la pluralité, un module de génération de tensions (90) générant une pluralité de tensions pour exciter lesdits électromètres à des fréquences, phases ou amplitudes propres à chaque électromètre et une ligne de transmission d'un signal agrégé issu des électromètres, ledit signal étant, après sa prise en charge par un amplificateur (110), traité par un module de démodulation (120) pour fournir des signaux démodulés. La pluralité de qubits comprend des qubits organisés en un code de surface pour correction d'erreurs quantiques comprenant des qubits de données pour assurer la conservation de données quantiques et des qubits auxiliaires couplés aux électromètres (100), des modulations introduites par le module de génération de tensions (90) dans les tensions de la pluralité de tensions étant adaptées dynamiquement par un module (150) d'attribution des modulations adapté au code et en fonction dudit signal démodulé (125 ; 200) pour régler une fidélité de lecture du dispositif quantique.

L'invention concerne un procédé de traitement d'une plaquette de silicium cristallin conduisant à une réduction de la densité de défauts Bore-Oxygène qui augmentent la sensibilité à l'illumination, qui comprend une étape i) de chauffage de la plaquette de silicium cristallin à une température appartenant à la gamme allant de 650°C à 1200°C, où l'étape i) est suivie d'une étape ii) de refroidissement ultra-rapide qui démarre alors que la plaquette de silicium cristallin est encore à une température de 600°C au moins, et, lors de laquelle, la température de la plaquette de silicium cristallin est abaissée selon une vitesse de refroidissement de 150 à 2000 °C/s, jusqu'à atteindre une température de 400°C ou moins. L'invention concerne également les plaquettes de silicium cristallin, les procédés de fabrication d'une cellule photovoltaïque et les cellules photovoltaïques correspondants.

La présente invention concerne un dispositif (16) de conversion d'énergie entre une source de tension continue (12) et une source de tension alternative (14), comprenant : - un premier onduleur (20) ayant une tension de fonctionnement égale à une tension basse (V<min>) prédéterminée, le premier onduleur (20) étant propre à être connecté à la source de tension alternative (14), - un second onduleur (22) ayant une tension de fonctionnement égale à une tension haute (V<max>) prédéterminée, le second onduleur (22) étant propre à être connecté à la source de tension alternative (14), et - un hacheur (24) propre à être connecté à la source de tension continue (12) et connecté au premier onduleur (20) et au second onduleur (22) de sorte que la tension aux bornes du hacheur (24) soit égale à la différence entre la tension haute (V<max>) et la tension basse (V<min>).