NXP USA Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.545 gesamt| Patent | |||
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10.01.2024
Verfahren zum Kompensieren einer Fehlanpassung eines Hohen Thermischen Ausdehnungskoeffizienten einer Gestapelten Vorrichtung
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Angemeldet am 20.02.2019
Erteilt am 10.01.2024
Vertretung
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10.01.2024
Manipulationsschutz von Speichervorrichtungen auf einer Integrierten Schaltung
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27.12.2023
Transistor mit Stromanschlussbereichen und Kanalbereich in einer Schicht über einem Dielektrikum
EP4297099
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.12.2023
Sensorschnittstellenschaltung, Sensorsystem und Verfahren zur Signalmessung
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Angemeldet am 03.06.2020
Erteilt am 20.12.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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13.12.2023
Batterieverwaltungskommunikationssystem
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13.12.2023
Sensorschaltungskompensation für Versorgungsspannungstransienten
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Status
Angemeldet am 23.10.2018
Erteilt am 13.12.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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13.12.2023
Verpacktes Halbleiterbauelement mit einem Leiterrahmen und Innen- und Aussenanschlüssen und Verfahren zur Herstellung
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Status
Angemeldet am 11.05.2017
Erteilt am 13.12.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
A method of making a packaged integrated circuit device includes forming a lead frame with leads that have an inner portion and an outer portion, the inner portion of the lead is between a periphery of a die pad and extends to one end of openings around the die pad. The outer portion of the leads are separated along their length almost up to an opposite end of the openings. Leads in a first subset of the leads alternate with leads in a second subset of the leads. The inner portion of the first subset of the leads is bent. The die pad, the inner portion of the leads, and only a first portion of the openings adjacent the inner portion of the leads are encapsulated. A second portion of the openings and the output portions of the leads form a dam bar for the encapsulating material. |
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13.12.2023
Polykristalliner Halbleiterwiderstand
EP4291007
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.12.2023
Basissilizid auf Monokristallinen Basisstrukturen in Bipolartransistoren
EP4290581
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.12.2023
Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Halbleiterbauelements mit einem Geschlossenen Hohlraum
EP4290562
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.05.2023
Anhängig
Vertretung
Colaiuda, Antonella · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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13.12.2023
Sicherheitsüberwachung des Ein- Und/oder Ausschaltens einer Energieverwaltungsvorrichtung
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Status
Angemeldet am 20.05.2020
Erteilt am 13.12.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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06.12.2023
Tdc, Digitaler Synthesizer, Kommunikationseinheit und Verfahren dafür
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Status
Angemeldet am 22.12.2016
Erteilt am 06.12.2023
Vertretung
Lee, Candice Jane · Redhill
Terblanche, Candice Jane · Redhill
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29.11.2023
Halbleiteranordnung mit einem zwischen einer Steuerelektrode und einem Leitenden Element Gebildeten Isolationsbereich und Verfahren zu deren Herstellung
EP4213217
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.11.2023
Sender und Verfahren für den Sender
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22.11.2023
Strukturierte und Planarisierte Unter-Höcker-Metallisierung
EP4280265
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.05.2023
Anhängig
Vertretung
Colaiuda, Antonella · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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15.11.2023
Sicherheitsvorrichtung
EP4276781
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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15.11.2023
Prüfung von Disruptiven Speichern auf Metastabile Bedingungen
EP4276837
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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08.11.2023
Transistor mit Dielektrischen Spacern und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP4273936
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.11.2023
Transistor mit Dielektrischen Spacern und Feldplatte und Verfahren zu dessen Herstellung
EP4273937
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.11.2023
Isolationsverbindungen für eine Hochspannungs-Leistungsstufe
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01.11.2023
Kapazitiver Berührungssensor
EP4270789
Elektronik & Schaltungstechnik
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01.11.2023
Schaltbare Abschlusswiderstandsschaltung
EP4270886
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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01.11.2023
Konfigurierbarer Schaltleistungsverstärker für Effiziente Hohe/niedrige Ausgangsleistung
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01.11.2023
Halbleiterbauelement mit Eingebetteter Batterie und Verfahren dafür
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01.11.2023
Datenverarbeitungssystem mit Speichersteuerung mit Inline-Fehlerkorrekturcode (ecc)-Unterstützung
EP4270197
Software & Datenverarbeitung
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25.10.2023
Spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung
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25.10.2023
Mikroelektronische Gehäuse mit Koaxial Abgeschirmten Hochfrequenz-Eingangs-/ausgangsschnittstellen
EP4243065
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.10.2023
Halbleiterbauelement mit Offenem Hohlraum und Verfahren dafür
EP4235767
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.02.2023
Anhängig
Vertretung
Colaiuda, Antonella · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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18.10.2023
Transistoren mit Source-Verbundenen Feldplatten
EP4199104
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.10.2023
Synchronisator mit Kontrollierten Metastabilitätseigenschaften
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Status
Angemeldet am 03.12.2019
Erteilt am 18.10.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
Synchronizer circuits having controllable metastability are provided, one of which includes: a first flip-flop circuit comprising a first master latch connected in series with a first slave latch; and a second flip-flop circuit comprising a second master latch connected in series with a second slave latch, wherein an output of the first flip-flop circuit is connected to an input of the second flip-flop circuit, at least a portion of the first flip-flop circuit is implemented in a first PWell isolated by an underlying a deep isolation NWell, at least a portion of the first flip-flop circuit is implemented in a first NWell that electrically contacts the deep isolation NWell, the first NWell is connected to a first bias voltage that is less than a positive power supply voltage, and the first PWell is connected to a second bias voltage that is greater than a negative power supply voltage. |
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18.10.2023
Zeitcodierte Nachrichtenübermittlung für Radar-Kaskadiertes Synchronisationssystem
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Status
Angemeldet am 18.06.2018
Erteilt am 18.10.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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18.10.2023
Schaltung zur Asynchronen Datenübertragung
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Status
Angemeldet am 12.05.2020
Erteilt am 18.10.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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11.10.2023
Schaltung zur Steuerung einer Gestapelten Rückschnappklemme
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04.10.2023
Steuerung eines Hilfsvorrichtungsunterstützten Gleichspannungswandlers
EP4254762
Elektrische Energietechnik
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04.10.2023
Steuerung eines Hilfsvorrichtungsunterstützten Gleichspannungswandlers
EP4254763
Elektrische Energietechnik
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04.10.2023
Vorspannungssteuerungsschaltung für Leistungstransistoren
EP4254786
Elektronik & Schaltungstechnik
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04.10.2023
Dynamische Sicherheitszustandsteuerung eines Elektromotors auf der Basis der Fahrzeuggeschwindigkeit
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Status
Angemeldet am 22.04.2020
Erteilt am 04.10.2023
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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27.09.2023
Hochfrequenzgehäuse mit Substraten mit an Wärmeausdehnungskoeffizienten Angepassten Montagepads und Zugehörige Herstellungsverfahren
EP4207265
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.09.2023
Adaptives Schwankungsreduktionshardware und Verfahren auf einem Chip für Lvds-Systeme
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27.09.2023
Halbleiterbauelementstruktur und Verfahren dafür
EP4250348
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt NXP USA?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die NXP USA vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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